
- •1. Энергетические диаграммы полупроводников.
- •2. Образование элекгронно-дыючного перехода. Электронно-дырочный переход в состоянии равновесия
- •З.Типы полупроводниковых диодов
- •4. Параметры и характеристики транзистора.
- •Характеристики транзистора.
- •5. Порядок расчета однотактного трансформаторного усилителя.
- •6. Операционный усилитель. Схемы на его основе.
- •Суммирующие усилители на оу.
- •Интегрирующие усилители на оу.
- •Дифференцирующие усилители на оу.
- •7. Релаксационные генераторы прямоугольных импульсов.
- •8. Комбинационные микросхемы.
- •9. Схемы с памятью (моё с тетради)
- •9. Схемы с памятью (со 100 ответов)
4. Параметры и характеристики транзистора.
В зависимости от сочетания знаков и значений напряжений на р-n-переходах различают следующие области (режимы) работы транзистора: активная область — напряжение на эмиттерном переходе прямое, a на коллекторном — обратное; область отсечки — на обоих переходах обратные
напряжения (транзистор заперт); область насыщения — на обоих переходах прямые напряжения (транзистор открыт); инверсная активная область — напряжение на эмиттерном переходе обратное, а на коллекторном — прямое. Режимы отсечки и насыщения характерны для paботы транзистора в качестве переключательного элемента. Активную область, или активный режим, используют при работе транзистора в усилителях или генераторах. Инверсное включение применяют в схемах двунаправленных переключателей, использующих симметричные транзисторы, в которых обе крайние области имеют одинаковые свойства.
Биполярный транзистор можно описать линейным четырехполюсником в предположении, что на входе и выходе присутствуют достаточно малые сигналы, много меньшие напряжения источника питания. Для больших сигналов проявляются нелинейные свойства транзистора. Для описания транзистора используются системы Z- параметров, Y- параметров и H- параметров.
А. Система Z- параметров.
Рис.1
Все параметры определяются в условиях холостого хода (ХХ).
Четырехполюсник описывается системой уравнений:
U1=I1 Z11+I2 Z 12
U2=I1 Z12+I2 Z 22
Все величины, входящие в систему уравнений представлены в комплексной форме. Для низких частот систему можно переписать, используя действительные составляющие комплексных величин в виде: U1=I1 r11+I2 r 12
U2=I1 r12+I2 r 22
Реализуем режим ХХ по входу (I1=0), откуда следует, что
- сопротивление
обратной связи,
-
выходное сопротивление
Реализуя режим ХХ по выходу (I2=0), откуда следует, что
- входное сопротивление
-
сопротивление прямой передачи
Б. Система Y параметров:
Четырехполюсник описывается системой уравнений:
I1=U1 Y11+U2 Y 12
I2=U1 Y12+U2 Y 22
Для низких частот система уравнений перепишется в виде:
I1=U1 y11+U2 y12
I2=U1 y12+U2 y22
Осуществим режим КЗ по входу (U1=0):
-
проводимость обратной связи,
-
выходная проводимость
Осуществим режим КЗ по выходу (U2=0):
-
входная проводимость
-
проводимость прямой передачи
В. Система H параметров:
Четырехполюсник описывается системой уравнений:
U1=I1 H11+U2 H 12
I2=I1 H12+U2 H 22
Для низких частот система уравнений перепишется в виде:
U1=I1 h11+U2 h12
I2=I1 h12+U2 h22
Система h-параметров – смешанная система, где определение параметров необходимо проводить, осуществляя режимы ХХ на входе и КЗ на выходе.
Реализуем режим ХХ на входе (I1=0):
-
коэффициент обратной связи
-
выходная проводимость
Осуществим режим КЗ по выходу, тогда U2=0
- входное
сопротивление,
-
коэффициент усиления по току
Система h - параметров является наиболее употребляемой, так как дает основную информацию о параметрах транзистора.