
- •1 Типовые проектные процедуры сапр
- •2 Методика получения математических моделей элементов
- •3 Методы одновариантного анализа
- •4 Методы многовариантного анализа
- •5 Особенности автоматизированного проектирования двухслойных печатных плат. Методы трассировки
- •6 Особенности автоматизированного проектирования многослойных печатных плат. Решение задачи расслоения
- •7 Назначение, структура, классификация и принцип работы сетей Петри
- •8 Задача параметрической оптимизации при внутреннем проектировании
- •9 Методы преобразования трехмерных графических объектов
- •10 Автоматизация технической подготовки производства
- •1 Машинные коды чисел в эвм, их виды.
- •2 Представление переключательных функций в виде дснф и кснф с помощью минтермов и макстермов.
- •3Методы минимизации пф.
- •4. Принцип построение классической архиетктуры эвм. Структура и основные функциональные узлы эвм.
- •5. Цифровые автоматы, их виды и классификация.
- •6.Структура памяти эвм, ее состав и принцип действия
- •7Способы обмена ядра эвм и внешних устройств. Стандартный интерфейс.
- •8 Принципы построения, классификация и виды архитектур вычислительных систем
- •9 Комплексирование вс.
- •1 Природа образования случайных процессов
- •2 Задачи нелинейного программирования
- •Основные виды зависимостей между переменными
- •3 Корреляционная функция
- •4 Характеристики скорости изменения случайных процессов во времени
- •5 Классификация идентификации
- •Оценка значимости величины
- •8. Построение математической модели
- •10 Показатели адекватности модели
- •1 Классификация субд
- •2. Архитектура субд.
- •3. Этапы проектрирования бд
- •7. Информационно-логическая модель «сущность – связь».
- •8. Операции реляционной алгебры, используемые в рмд.
- •9. Виды функциональных зависимостей между атрибутами
- •10 Нормализация отношений
- •1. Назначение, виды информационно-вычислительных сетей. Системы телекоммуникаций.
- •2. Модель взаимодействия открытых систем.
- •3. Семиуровневая архитектура вос. Сетевые протоколы.
- •4. Виды топологий локальных вычислительных сетей.
- •5. Протоколы канального уровня. Методы доступа к сети.
- •6. Базовые технологии лвс. Протоколы лвс.
- •8. Линии и каналы связи, их характеристики.
- •9. Методы передачи данных на физическом уровне: модуляция, демодуляция. Емкость канала связи. Кодирование. Уплотнение информационных потоков.
- •10. Режимы переноса информации: коммутация каналов, коммутация сообщений, коммутация пакетов.
- •Понятие модели и моделирования. Этапы построения моделей
- •2. Основы построения мат. Моделей на микроуровне. Законы сохранения энергии, массы, и количества движения
- •3. Общая характеристика условий однозначности краевой задачи. Начальные и граничные условия
- •4. Основные типы уравнений для систем с распределенными параметрами. Параболические, гиперболические и эллиптические уравнения.
- •5. Базовое уравнение срп и стандартная форма записи
- •Параллельное и последовательное соединение распределенных блоков
- •Алгоритм расчета распределенной выходной функции и интегральной передаточной функции
- •Метод сосредоточенных масс при моделировании на макроуровне. Компонентные и топологический уравнения в общем виде
- •Графическая и матричная формы представления моделей на макроуровне
- •Узловой метод формирования математических моделей макроуровня
- •1. Принципы построения микропроцессорных систем.
- •2. Архитектурные особенности современных микропроцессоров.
- •3. Структура и функционирование микропроцессорной системы.
- •5. Программное обеспечение микропроцессорных устройств.
- •6. Управление памятью и внешними устройствами.
- •7. Интерфейсы микропроцессорных систем.
- •8. Управляющие программируемые контроллеры.
- •9. Однокристальные мк с cisc-u risc-архитектурой.
- •1. Структура Pascal -программ
- •2. Переменные. Типы переменных
- •3. Операторы языка Pascal
- •4. Массивы. Описание одномерного массива
- •5. Действия над элементами одномерного массива
- •6. Описание двумерного массива. Ввод и вывод элементов двухмерного массива.
- •7. Подпрограммы пользователя. Описание процедур и функций.
- •8. Параметры значения и параметры переменных подпрограмм. Механизм передачи параметров в подпрограмму
- •9. Описание строкового типа. Операции со строками.
- •10. Строковые процедуры и функции.
- •1. Основные понятия спо.
- •2. Функции ос
- •5. Ресурсы. Классификация ресурсов.
- •6. Понятие сетевых ос и распределенных ос. Функциональные компоненты сос.
- •7. Сетевые службы и сетевые сервисы.
- •8. Схемы построения сетей (одноранговые сети, сети с выделенными серверами, гибридные сети).
- •9. Трансляторы. Компиляторы. Интерпретаторы.
- •10.Этапы компиляции. Общая схема работы компилятора
- •1. Понятие соединения систем и их элементов. Структурные схемы.
- •2. Критерий устойчивости рауса — гурвица.
- •3. Назначение и виды коррекции динамических свойств сау.
- •4. Фазовый портрет нелинейной системы управления. Анализ поведения системы по фазовому портрету.
- •6. Показатели качества управления, их определение по переходным и ач характеристикам системы.
- •7. Типовые нелинейные звенья систем управления, их графические характеристики.
- •8. Определение передаточной функции.
- •9. Критерий устойчивости Михайлова, кривая Михайлова.
- •10. Критерий устойчивости Найквиста.(замкнутой по разомкнутой)
- •Движение электрона в электрическом поле. Приборы, созданные на основе особенностей движения.
- •Основы зонной теории. Энергетические уровни. Зонная диаграмма.
- •3. Понятие «дырки». Полупроводники р- и n-типа
- •Полупроводниковые диоды.
- •5. Биполярные транзисторы.
- •Принцип работы биполярного транзистора.
- •Основные схемы включения транзистора
- •6. Операционный усилитель. Схемы на его основе.
- •Суммирующие усилители на оу.
- •Интегрирующие усилители на оу.
- •Дифференцирующие усилители на оу.
- •8. Комбинационные микросхемы.
- •Базовые логические элементы
- •Логические функции одной переменной
- •Логические функции двух переменных
- •Регистры. Триггеры. Разновидности триггеров.
-
Регистры. Триггеры. Разновидности триггеров.
Триггеры - элементарные цифровые автоматы с двумя устойчивыми состояниями. Одному состоянию присваивается значение 0, другому - 1, служит для хранения информации. От функциональных возможностей триггеров и режимов управления их работой зависят характеристики регистров, счетчиков и других узлов.
Классификация триггеров.
По способу записи (приёма) информации различают синхронные и асинхронные триггеры.
В асинхронных триггерах изменение состояния происходит при подаче сигналов на информационные входы триггера.
В синхронных триггерах кроме информационных входов имеется один или несколько дополнительных входов для сигналов управления. Состояние таких триггеров изменяется при подаче синхронизирующих импульсов в соответствии с сигналами на информационных входах.
По способу управления различают триггеры со статическим и динамическим управлением.
Триггеры со статическим управлением могут изменять свое состояние в любой момент на протяжении действия тактового импульса.
Триггеры с динамическим управлением изменяют состояние только в момент перехода тактового импульса от 0 к 1 или от 1 к 0.
Различают RS, D,T(счетный), JK(универсальный) триггеры.
RS-тригтер имеет два информационных входа S и R, сигналы на которых определяют состояние триггера, и два выхода: прямой Q и инверсный Q. Различают асинхронные и синхронные триггеры. Особенностью асинхронных триггеров является то, что установка их состояния, т. е. запись информации, осуществляется с поступлением сигналов на входы. В синхронных триггерах есть также вход С для синхронизирующего (тактового) сигнала. Запись информации производится сигналами на информационных входах, но с поступлением тактового сигнала, т.е. при С=1. Если С=0, триггер находится в режиме хранения.
D-триггер имеет два входа: информационный D и тактовый С и два выхода Q, Q. При С=1 состояние триггера определяет сигнал на входе D. При С=0 триггер находится в режиме хранения.
Т-триггер (счетный) имеет один вход Т и два выхода: прямой и инверсный. Особенность Т-триггера состоит в том, что с приходом очередного импульса на вход он изменяет состояние на обратное.
JK-триггер (универсальный) имеет два информационных входа: J и К, тактовый вход С и два выхода: прямой и инверсный. Он обладает свойствами всех других, поэтому наиболее широко представлен в современных сериях ИС.
Регистры - нашли широкое применение для приема, хранения и выдачи информации. Регистр состоит из триггеров, число которых равно числу разрядов кодов комбинации. Имеется несколько разновидностей регистров. Наибольшее применение получили регистры сдвига, или последовательные регистры, запись информации в которые производится только через первую ячейку, и регистры памяти, или параллельные регистры, запись в которые производится через се ячейки.
Информация в регистре хранится в виде числа (слова), представленного комбинацией сигналов 0 и 1. Запоминающими элементами в регистрах служат триггеры, число которых равно числу разрядов хранимых чисел.
По способу записи информации, регистры делятся на 3 типа:
-
Параллельные (регистры памяти);
-
Последовательные (регистры сдвига);
-
Параллельно-последовательные (например, ввод — в параллельном коде, а вывод в последовательном и наоборот).
В параллельные регистры запись числа осуществляется параллельным кодом, т.е. во все разряды одновременно.
Последовательные регистры характеризуются последовательной записью кода числа, начиная с младшего или старшего разряда, путем последовательного сдвига кода тактирующими импульсами.
По способу представления вводимой и выводимой информации различают регистры однофазного и парафазного типа. В однофазных регистрах информация вводится либо в прямом (прямой вход триггера), либо в обратном коде (инверсный вход), а в парафазных — одновременно в прямом и обратном кодах. Вывод информации из регистров может осуществляться как в прямом, так и в обратном коде. Парафазные регистры выполняются, как правило, с применением триггеров RS-типа, а однофазные - на основе триггеров D-типа.
Исходным состоянием регистра является нулевое.
1.
Имеется сплавной германиевый p-n-переход
с Nд
=
103Nа
, причем
на каждые 108
атомов германия приходится
один атом акцепторной примеси. Определить
контактную
разность потенциалов при температуре
Т=300
К (плотности атомов N
и
ионизованных атомов ni
принять
равными 4,4*1022см-3
и 2,5*1013
см -3
соответственно).
Решение. Определим концентрацию акцепторных атомов:
(N=4,4*1022 см-3 — плотность атомов германия).
Концентрация атомов доноров NД=103 Na=4,4*1017cм-3.
Контактная разность потенциалов
2. Имеется кремниевый p-n-переход с Nд = 103Nа , причем на каждые 108 атомов кремния приходится один атом акцепторной примеси. Определить контактную разность потенциалов при температуре Т=300 К (плотности атомов N и ионизованных атомов ni принять равными 5*1022см-3 и 1010 см -3 соответственно).
Решение. Определим концентрацию акцепторных атомов:
(N=5*1022 см-3 — плотность атомов кремния).
Концентрация атомов доноров NД=103 Na=5*1017cм-3.
Контактная разность потенциалов
3. Удельное сопротивление р-области германиевого p-n-перехода ρр=2 Ом*см, а удельное сопротивление n-области ρn =1 Ом*см. Вычислить контактную разность потенциалов (высоту потенциального барьера) при Т = 300 К. ni = 2,5*1013 см -3.
Решение.
Известно, что удельное сопротивление
р-области
полупроводника
,
где
Na
— концентрация акцепторов; е — заряд
электрона; µр
—
подвижность дырок. Отсюда
Аналогично найдем концентрацию доноров в n-области полупроводника:
Контактная разность потенциалов
4. В германиевом p-n-переходе удельная проводимость р-области σр=104 См/м и удельная проводимость n-области σn=102 См/м. Подвижности электронов μп и дырок μp в германии соответственно равны 0,39 и 0,19 м2/(В*с). Концентрация собственных носителей в германии при Т=300К ni=2,5*1019 м-3. Вычислить контактную разность потенциалов (высоту потенциального барьера) при Т=300 К.
Решение. Для материала р-типа σP≈рPeµp, где σр — удельная проводимость; µp — подвижность дырок; рр—концентрация дырок; е — заряд электрона. Отсюда
Аналогично для материала n-типа
Концентрация
Контактная разность потенциалов
5. Прямой ток эмиттера транзистора п-р-п составляет IЭ=2 мА, коллекторная цепь разорвана. Определить: а)напряжение на эмиттерном и коллекторном переходах; б)напряжение эмиттер—коллектор, полагая IКБ0 = 2 мкА, IЭБ0=1,6 мкА, α = 0,98. В каком режиме работает транзистор?
Решение.
Откуда
Напряжение база—коллектор
Следовательно, транзистор работает в режиме насыщения.
б) Напряжение эмиттер — коллектор
6. Транзистор, имеющий α = 0,995, αI = 0,1, IЭБК = 10-14 А, IКБК = 10-13 А, включен в схему. Определить напряжение коллектор—эмиттер UКЭ, ток IК..
Решение. Напряжение коллектор — эмиттер найдем из выражения
Откуда
Ток коллектора
7. Дана схема, изображенная на рис. Известно, что транзистор работает в активном режиме. Предполагая, что сопротивление резистора RЭ достаточно велико по сравнению с сопротивлением эмиттерного перехода и что сопротивление коллекторного перехода rK »RH, найти коэффициент усиления по напряжению кU. Пренебречь обратным током коллектора IКБ0.
Решение. Выходное напряжение
Пренебрегая
падением напряжения на эмиттерном
переходе, можно написать:
Пренебрегая обратным током коллектора IКБ0, найдем ток коллектора
Следовательно,
Коэффициент
усиления по напряжению
8. В схеме на рис. RЭ = 2 кОм, EЭ = 2 B, Rб =15 кОм, EБ = 3B, RН = 4 кОм, Eк=16 В. Транзистор имеет α = 0,98; IКБ0 = 10 мкА. Определить ток коллектора.
Решение.
Используя второй закон Кирхгофа для
входной цепи (эмиттер — база), запишем:
.
Но
ток базы
следовательно,
.
Откуда
Ток коллектора:
9.
В усилителе на рис. при
ток стока
.
Определить: а) сопротивление резистора
RИ,
если падением напряжения IЭRЭ
пренебречь;
б) Ес,
если RН
=10
кОм, UCИ
=
4 В.
Решение.
10. В усилительном каскаде с общим истоком сопротивление нагрузки RН = 20 кОм. Эффективное входное сопротивление полевого транзистора 20 кОм, рабочая крутизна S=2 мА/В. Определить коэффициент усиления каскада.
Решение. Результирующее сопротивление нагрузки
Коэффициент усиления каскада