
- •1 Типовые проектные процедуры сапр
- •2 Методика получения математических моделей элементов
- •3 Методы одновариантного анализа
- •4 Методы многовариантного анализа
- •5 Особенности автоматизированного проектирования двухслойных печатных плат. Методы трассировки
- •6 Особенности автоматизированного проектирования многослойных печатных плат. Решение задачи расслоения
- •7 Назначение, структура, классификация и принцип работы сетей Петри
- •8 Задача параметрической оптимизации при внутреннем проектировании
- •9 Методы преобразования трехмерных графических объектов
- •10 Автоматизация технической подготовки производства
- •1 Машинные коды чисел в эвм, их виды.
- •2 Представление переключательных функций в виде дснф и кснф с помощью минтермов и макстермов.
- •3Методы минимизации пф.
- •4. Принцип построение классической архиетктуры эвм. Структура и основные функциональные узлы эвм.
- •5. Цифровые автоматы, их виды и классификация.
- •6.Структура памяти эвм, ее состав и принцип действия
- •7Способы обмена ядра эвм и внешних устройств. Стандартный интерфейс.
- •8 Принципы построения, классификация и виды архитектур вычислительных систем
- •9 Комплексирование вс.
- •1 Природа образования случайных процессов
- •2 Задачи нелинейного программирования
- •Основные виды зависимостей между переменными
- •3 Корреляционная функция
- •4 Характеристики скорости изменения случайных процессов во времени
- •5 Классификация идентификации
- •Оценка значимости величины
- •8. Построение математической модели
- •10 Показатели адекватности модели
- •1 Классификация субд
- •2. Архитектура субд.
- •3. Этапы проектрирования бд
- •7. Информационно-логическая модель «сущность – связь».
- •8. Операции реляционной алгебры, используемые в рмд.
- •9. Виды функциональных зависимостей между атрибутами
- •10 Нормализация отношений
- •1. Назначение, виды информационно-вычислительных сетей. Системы телекоммуникаций.
- •2. Модель взаимодействия открытых систем.
- •3. Семиуровневая архитектура вос. Сетевые протоколы.
- •4. Виды топологий локальных вычислительных сетей.
- •5. Протоколы канального уровня. Методы доступа к сети.
- •6. Базовые технологии лвс. Протоколы лвс.
- •8. Линии и каналы связи, их характеристики.
- •9. Методы передачи данных на физическом уровне: модуляция, демодуляция. Емкость канала связи. Кодирование. Уплотнение информационных потоков.
- •10. Режимы переноса информации: коммутация каналов, коммутация сообщений, коммутация пакетов.
- •Понятие модели и моделирования. Этапы построения моделей
- •2. Основы построения мат. Моделей на микроуровне. Законы сохранения энергии, массы, и количества движения
- •3. Общая характеристика условий однозначности краевой задачи. Начальные и граничные условия
- •4. Основные типы уравнений для систем с распределенными параметрами. Параболические, гиперболические и эллиптические уравнения.
- •5. Базовое уравнение срп и стандартная форма записи
- •Параллельное и последовательное соединение распределенных блоков
- •Алгоритм расчета распределенной выходной функции и интегральной передаточной функции
- •Метод сосредоточенных масс при моделировании на макроуровне. Компонентные и топологический уравнения в общем виде
- •Графическая и матричная формы представления моделей на макроуровне
- •Узловой метод формирования математических моделей макроуровня
- •1. Принципы построения микропроцессорных систем.
- •2. Архитектурные особенности современных микропроцессоров.
- •3. Структура и функционирование микропроцессорной системы.
- •5. Программное обеспечение микропроцессорных устройств.
- •6. Управление памятью и внешними устройствами.
- •7. Интерфейсы микропроцессорных систем.
- •8. Управляющие программируемые контроллеры.
- •9. Однокристальные мк с cisc-u risc-архитектурой.
- •1. Структура Pascal -программ
- •2. Переменные. Типы переменных
- •3. Операторы языка Pascal
- •4. Массивы. Описание одномерного массива
- •5. Действия над элементами одномерного массива
- •6. Описание двумерного массива. Ввод и вывод элементов двухмерного массива.
- •7. Подпрограммы пользователя. Описание процедур и функций.
- •8. Параметры значения и параметры переменных подпрограмм. Механизм передачи параметров в подпрограмму
- •9. Описание строкового типа. Операции со строками.
- •10. Строковые процедуры и функции.
- •1. Основные понятия спо.
- •2. Функции ос
- •5. Ресурсы. Классификация ресурсов.
- •6. Понятие сетевых ос и распределенных ос. Функциональные компоненты сос.
- •7. Сетевые службы и сетевые сервисы.
- •8. Схемы построения сетей (одноранговые сети, сети с выделенными серверами, гибридные сети).
- •9. Трансляторы. Компиляторы. Интерпретаторы.
- •10.Этапы компиляции. Общая схема работы компилятора
- •1. Понятие соединения систем и их элементов. Структурные схемы.
- •2. Критерий устойчивости рауса — гурвица.
- •3. Назначение и виды коррекции динамических свойств сау.
- •4. Фазовый портрет нелинейной системы управления. Анализ поведения системы по фазовому портрету.
- •6. Показатели качества управления, их определение по переходным и ач характеристикам системы.
- •7. Типовые нелинейные звенья систем управления, их графические характеристики.
- •8. Определение передаточной функции.
- •9. Критерий устойчивости Михайлова, кривая Михайлова.
- •10. Критерий устойчивости Найквиста.(замкнутой по разомкнутой)
- •Движение электрона в электрическом поле. Приборы, созданные на основе особенностей движения.
- •Основы зонной теории. Энергетические уровни. Зонная диаграмма.
- •3. Понятие «дырки». Полупроводники р- и n-типа
- •Полупроводниковые диоды.
- •5. Биполярные транзисторы.
- •Принцип работы биполярного транзистора.
- •Основные схемы включения транзистора
- •6. Операционный усилитель. Схемы на его основе.
- •Суммирующие усилители на оу.
- •Интегрирующие усилители на оу.
- •Дифференцирующие усилители на оу.
- •8. Комбинационные микросхемы.
- •Базовые логические элементы
- •Логические функции одной переменной
- •Логические функции двух переменных
- •Регистры. Триггеры. Разновидности триггеров.
10. Критерий устойчивости Найквиста.(замкнутой по разомкнутой)
Амплитудно-фазовый критерий может быть применен и тогда, когда характеристическое уравнение разомкнутой системы имеет некоторое число корней, лежащих справа от мнимой оси. Допустим, что Q (р) = 0 имеет r корней справа от мнимой оси и n — r корней слева. Тогда суммарный угол поворота вектора К (j) для устойчивой замкнутой системы при изменении частоты w от -∞ до +∞ будет равен argK(jw)=2rn. Таким образом, амплитудно-фазовый критерий устойчивости можно формулировать так:
1. Чтобы система, устойчивая в разомкнутом состоянии, была устойчивой и в замкнутом состоянии, необходимо и достаточно, чтобы амплитудно-фазовая характеристика разомкнутой системы при изменении частоты от от -∞ до +∞ не охватывала точку с координатами (—1, j0).
2. Если система в разомкнутом состоянии неустойчива
и имеет r корней справа, то амплитудно-фазовая характеристика разомкнутой системы при изменении со от от -∞ до +∞ должна охватывать r раз точку с координатами (—1, j0) для того, чтобы система была устойчивой в замкнутом состоянии. Вместо вектора W(jw) можно рассматривать вектор — W(jw), что в ряде случаев оказывается более удобным. В этом случае критической точкой будет (+1;j0).
-
Движение электрона в электрическом поле. Приборы, созданные на основе особенностей движения.
Э
Е
Fлектрон
представляет собой материальную
заряженную частицу, имеющую массу m
и отрицательный заряд q.
Это означает, что электрон должен
подчиняться 2му закону Ньютона
и тем законам, которые определяют его
движение в электрическом поле
Пусть
имеется однородное электрическое поле.
Движение
электрона в эл. поле происходит под
действием силы, связанной с эл полем
.
Эта сила определяет направление движения
электрона. Электрон движется с ускорением
и в процессе движения приобретает
определенный запас кинетической энергии
ЕК.
Т.о. можно утверждать, что с помощью эл.
поля можно управлять движением электрона
и передавать ему со стороны поля
определенный запас энергии.
Электронно-лучевая трубка
Электрическое поле между отклоняющими пластинами однородно (поле конденсатора), эта конструкция помещается в вакуумированный обьем:
Триод
Пусть имеется металлический цилиндр, в котором находится вольфрамовая нить. Катод сделан из материала, обладающего наибольшим коэффициентом термоэмиссии.
Вольфрам при нагреве окисляется и покрывается оксидной пленкой, являющейся диэлектриком, поэтому нить спиралевидная – витки изолированы друг от друга и вольфрамовая нить работает по всей длине.
Сетка может полностью отсутствовать, тогда получим вакуумный диод, с одной сеткой – триод. Триод усиливает электрический сигнал. Рассмотрим триод, включенный в электрическую цепь.
Электрическое
поле анод-катод воздействует на электроны,
т. е. электроны, эмитированные с катода
устремляются к аноду. Сетка расположена
вблизи катода. Напряжение на ней (по
отношению к катоду)
.
Несмотря на то, что
,
ввиду близости сетки к аноду, потенциал
на ней может создавать напряженность
,
т. е. EСК
может быть
,
а может быть и
.
На
участке
ток существует за счет наличия
высокоэнергетичных электронов,
эмитируемых с катода (их энергия
достаточно велика, чтобы преодолеть
тормозящее действие сетки и, преодолев
сетку, электроны попадают в чисто
ускоряющее поле).
Расстояние
между сеткой и катодом влияет на крутизну
характеристики
.
При увеличении расстояния она будет
более пологой.
Клистрон
В клистроне можно выделить ускоряющее поле EСК и тормозящее EАС. На сетку подается положительный потенциал. Сетка редка, электроны попадают в объемном резонатор, где поле тормозящее. Электрическое поле сетка-катод для электрона является ускоряющим полем. Электрон движется ускоренно, его энергия возрастает.
В объемном резонаторе электроны, тормозясь в поле, излучают.
Клистроны генерируют мощность от милливатт до десятков киловатт в см и мм диапазоне излучения.