59.Технологический процесс изготовления полевого транзистора.

Полупроводниковые элементы на полевых транзисторах (рис. 2.1.12, 2.1.13) не требуют электрической изоляции и в этой связи технологический процесс содержит меньшее число операций.

В качестве примера ниже приведен технологический процесс ИМС, выполняемых на базе МДП- транзисторов n–p–n-типа с индуцированным каналом (рис. 2.1.12, а).

Последовательность выполнения операций и связанные с этим структурные изменения в поперечных разрезах подложки показаны на рис. 2.2.2. Используется подложка кремния p-типа диаметром от 60 до 250 мм. После очистки и последующего окисления выполняется фотолитография (первое маскирование) с травлением, открывающим всю площадь будущего элемента.

Далее осуществляется второе окисление до толщины 0,1…0,3 мкм в площади элемента. На созданном оксиде производится вторая литография, в процессе которой над затвором оксид сохраняется, площадь над будущими областями стока и истока от оксида освобождается.

После соответствующей подготовки производится диффузия бора, создаются тем самым области стока–истока. Температура процесса 1000…1100 °С, в качестве источника бора может использоваться диборан В2Н6 или галогениды бора BCl3 и BBr3. В случае использования галогенидов ведут окислительную диффузию для устранения эрозии поверхности. При этом в газовую смесь добавляют кислород и на поверхности кремния образуется слой SiO2B2O3. Из этого слоя и производится загонка примеси, что позволяет более точно регулировать необходимый профиль концентрации носителей на заданной глубине.

Третья фотолитография проводится для вскрытия окон в диэлектрике над областью затвора с целью последующего прецизионного окисления для создания диэлектрического оксидного слоя толщиной порядка 0,02 мкм.

В дальнейшем выполняется четвертая литография для вскрытия окон под омические контакты стока–истока, производится напыление слоя алюминия по всей площади и последующая пятая литография с целью получения топологии межэлементных соединений и контактных площадок. Основные обрабатывающие процессы заканчиваются напылением или осаждением защитного слоя (пассивация).