
- •Механизм электрической проводимости полупроводников
- •[Править] Дырка
- •[Править] Энергетические зоны
- •Подвижность
- •[Править] Собственная плотность
- •[Править] Виды полупроводников [править] По характеру проводимости [править] Собственная проводимость
- •[Править] Примесная проводимость
- •[Править] По виду проводимости [править] Электронные полупроводники (n-типа)
- •[Править] Дырочные полупроводники (р-типа)
- •[Править] Использование полупроводников в радиотехнике [править] Полупроводниковый диод
- •[Править] Транзистор
- •[Править] Типы полупроводников в периодической системе элементов
- •[Править] Физические свойства и применение
- •[Править] Легирование
- •[Править] Методы получения
- •[Править] Оптика полупроводников
- •[Править] Список полупроводников
[Править] Список полупроводников
Полупроводниковые соединения делят на несколько типов:
-
простые полупроводниковые материалы — собственно химические элементы: бор B, углерод C, германий Ge, кремний Si, селен Se, сера S, сурьма Sb, теллур Te и йод I. Самостоятельное применение широко нашли германий, кремний и селен. Остальные чаще всего применяются в качестве легирующих добавок или в качестве компонентов сложных полупроводниковых материалов;
-
в группу сложных полупроводниковых материалов входят химические соединения, обладающие полупроводниковыми свойствами и включающие в себя два, три и более химических элементов. Полупроводниковые материалы этой группы, состоящие из двух элементов, называют бинарными, и так же, как это принято в химии, имеют наименование того компонента, металлические свойства которого выражены слабее. Так, бинарные соединения, содержащие мышьяк, называют арсенидами, серу — сульфидами, теллур — теллуридами, углерод — карбидами. Сложные полупроводниковые материалы объединяют по номеру группы Периодической системы элементов Д. И. Менделеева, к которой принадлежат компоненты соединения, и обозначают буквами латинского алфавита (A — первый элемент, B — второй и т. д.). Например, бинарное соединение фосфид индия InP имеет обозначение AIIIBV
Широкое применние получили следующие соединения:
AIIIBV
-
InSb, InAs, InP, GaSb, GaP, AlSb, GaN, InN
AIIBV
-
CdSb, ZnSb
AIIBVI
-
ZnS, ZnSe, ZnTe, CdS, CdTe, HgSe, HgTe, HgS
AIVBVI
-
PbS, PbSe, PbTe, SnTe, SnS, SnSe, GeS, GeSe
а также некоторые окислы свинца, олова, германия, кремния а также феррит, аморфные стёкла и многие другие соединения ( AIBIIIC2VI, AIBVC2VI, AIIBIVC2V, AIIB2IIC4VI, AIIBIVC3VI).
На основе большинства из приведённых бинарных соединений возможно получение их твёрдых растворов: (CdTe)x(HgTe)1-x, (HgTe)x(HgSe)1-x, (PbTe)x(SnTe)1-x, (PbSe)x(SnSe)1-x и других.
Соединения AIIIBV, в основном, применяются для изделий электронной техники, работающих на сверхвысоких частотах
Соединения AIIBV используют в качестве люминофоров видимой области, светодиодов, датчиков Холла, модуляторов.
Соединения AIIIBV, AIIBVI и AIVBVI применяют при изготовлении источников и приёмников света, индикаторов и модуляторов излучений.
Окисные полупроводниковые соединения применяют для изготовления фотоэлементов, выпрямителей и сердечников высокочастотных индуктивностей.