
- •1. Полупроводниковые приборы Электрические свойства полупроводниковых материалов
- •Механизм электропроводности полупроводников
- •Электронно-дырочный переход (эдп)
- •2. Полупроводниковые диоды Вольт-амперная характеристика (вах) диода
- •Параметры полупроводниковых диодов
- •Виды пробоев эдп Лавинный пробой
- •Тепловой пробой
- •Устройство точечных диодов
- •Устройство плоскостных диодов
- •Условное обозначение силовых диодов
- •Условное обозначение маломощных диодов
- •Стабилитрон
- •Туннельный диод
- •5.10. Обращенный диод
- •Варикап
- •Фотодиоды, полупроводниковые фотоэлементы и светодиоды
- •3. Транзисторы
- •Распределение токов в структуре транзистора
- •Схемы включения транзисторов. Статические вах
- •Схемы включения транзистора как усилителя электрических сигналов
- •Краткие характеристики схем включения транзистора. Области применения схем
- •Режимы работы транзистора
- •Работа транзистора в ключевом режиме
- •Малосигнальные и собственные параметры транзисторов
- •Параметры биполярных транзисторов
- •Классификация и системы обозначений (маркировка) транзисторов
- •5. Полевые транзисторы
- •6.15. Технологии изготовления транзисторов
- •Биполярные транзисторы с изолированным затвором (igbt - транзисторы)
- •5. Тиристоры Назначение и классификация
- •Диодные и триодные тиристоры
- •Переходные процессы при включении и выключении тиристора
- •Основные параметры тиристоров
- •Маркировка силовых тиристоров
- •Лавинные тиристоры
- •Симметричные тиристоры (симисторы)
- •Полностью управляемые тиристоры
- •Специальные типы тиристоров
- •Конструкции тиристоров
Схемы включения транзистора как усилителя электрических сигналов
Одна из основных областей применения биполярного транзистора - усиление электрических сигналов. Для использования транзистора в качестве усилителя напряжения, тока или мощности входной сигнал, который надо усилить, подают на два каких-либо электрода, и с двух электродов схемы снимают усиленный сигнал. В усилительных схемах биполярные транзисторы работают в активном режиме, напряжения на их выводах содержат постоянную и переменную составляющие.
Схема включения транзистора с общей базой
Схема включения транзистора с общей базой как усилителя сигналов приведена на рис. 6.15. Источник сигнала (ИС) в этой схеме включается в цепь эмиттера, сопротивление нагрузки Rн – в цепь коллектора.
Рис. 6.15. Схема включения транзистора с общей базой
как усилителя сигналов
Схема включения транзистора с общим эмиттером
Схема включения транзистора с общим эмиттером как усилителя сигналов приведена на рис. 6.16. Источник сигнала (ИС) в этой схеме включается в цепь базы, сопротивление нагрузки Rн – в цепь коллектора.
Рис. 6.16. Схема включения транзистора с общим эмиттером
Схема включения транзистnора с общим коллектором
Схема включения транзистора с общим коллектором как усилителя сигналов приведена на рис. 6.17. Источник сигнала (ИС) в этой схеме включается в цепь базы, сопротивление нагрузки Rн – в цепь эмиттера.
Рис. 6.17. Схема включения транзистора с общим коллектором
Используя статические характеристики транзистора, можно определить важные параметры основных схем включения транзистора.
Свойства схем усиления на транзисторах определяются коэффициентами усиления по току kI, напряжению kU, мощности kP и значением сопротивлений входной Rвх и выходной Rвых цепей.
Эти параметры могут быть определены экспериментально и рассчитаны по характеристикам с помощью следующих выражений:
(6.10)
(6.13)
(6.11)
(6.14)
;
(6.12)
Значения параметров можно представить в виде таблицы (табл. 6.1).
Таблица 6.1
Параметры основных схем включения транзисторов
Параметры |
Схема с общей базой |
Схема с общим эмиттером |
Схема с общим коллектором |
Rвх |
Единицы – десятки Ом |
Сотни Ом – единицы кОм |
Десятки – сотни кОм |
Rвых |
Сотни кОм –единицы МОм |
Единицы – десятки кОм |
Сотни Ом – единицы кОм |
kI |
Немного меньше 1 ( = 0,92-0,999) |
Десятки – сотни ( = 10-1000) |
Десятки – сотни |
kU |
Десятки – сотни |
Десятки – сотни |
Немного меньше 1 |
kP |
Десятки – сотни |
Десятки – сотни тысяч |
Десятки – сотни |