курсовой проект / сканированные

» цикла считывания гс. мкс > 1 5

» сдвига tAcs, не...... ^30

Входная емкость С;, пФ .... < 10

Выходная емкость Со, пФ .... ^10

Емкость нагрузки CL. пФ < 250

Масочные ПЗУ серии К541. Микросхе­ма ПЗУ типа 541РЕ1 представляет собой постоянное ЗУ с емкостью 16 384 бит для хранения и считывания информации в объеме 2048 8-разрядных слов.

Входные и выходные уровни напряже­ний совместимы с ТТЛ ИС. Микросхема К541РЕ1 имеет выходы с открытым кол­лектором. Программирование ПЗУ осу­ществляется с помощью фотошаблона технолотческого слоя «диэлектрик». На­копитель представляет собой набор диэ­лектрических окон с развязывающими элементами. Наличие и отсутствие этих окон определяют хранимую информацию в накопителе.

Условное обозначение и назначение выводов приведены на рис. 14.7, ж1.

Основные электрические параметры ■ БИС К541РЕ1 в диапазоне температур от

-10 ял +70°С при Ucr = (5±0,5) В: Ток потребления в статическом

режиме /;.(-.. мЛ...... --с 100

Выходное напряжение низкого \ров­ня Uql при 1ql = 8 мА, В . . . ^ 0.45 Ток утечки на выходе 1011. мкА ?$ 40 Входное напряжение низкого уров­ня UIL при /;;. = 0.4 мА, В ... < 0,5 Входное напряжение высокого уров­ня Иш при /;я = 40 мкА, В ... > 2,4 Время выбора адреса 1АЛ. не . . . > 100 » выборки разрешения ics. «с > 70 » восстановления iOff- не . . . «70

» цикла /f, . не...... > 150

Входная емкость С;. пФ..... < 3

Выходная емкость Со, пФ . . . < 6

Емкость нагрузки CL, пФ . . . . < 200

Масочные ПЗУ серии К555. Микрос­хемы серии К555 выполнены на основе ТТЛ по планарно-эпитакснальной техно­логии с диодами Шоттки. представляют собой ПЗУ емкостью 16 384 бит лля хра­нения и считывания информации в объе­ме 2048 8-разрядных слов. Микросхема К555РЕ4 по входу и выходам совместима с ТТЛ ИС, имеет выходы с открытым коллектором.

Условное обозначение и назначение выводов приведены на рис. 14.7, ж.

Основные электрические параметры БИС К555РЕ4 при температуре 25 °С и Ucc = (5±0,25) В:

Ток потребления Ice, м^ • • • • ^ 170 Выходное напряжение низкого уров­ня UOt при l0L = 8 мА, В ... «0,5 Ток утечки на выходе 10ц, мкА < 100 Входное напряжение низкого уров­ня U,L при /;i=-0,25 мА, В «0,4 Входное напряжение высокого уров­ня Uih при Ijh — 25 мкА, В ... « 2,4 Время выборки адреса 1Лл, не . . . > 110

» выборки разрешения tcs, не > 40 Длительность фронта (среза) вход­ного импульса tj не . . . . . < 150

Входная емкость С,, пФ..... < 3

Выходная емкость Q>, пФ .... =?6

Емкость нагрузки CL, пФ..... < 150

Масочные ПЗУ серий КР568, К568.

Микросхемы ПЗУ серии К568 [15] вы­полнены на основе МОП-структур с р-ка-нальной проводимостью и представляют собой: К568РЕ1, КР568РЕ1 - ПЗУ ем­костью 16К бит; КР568РЕ2 - ПЗУ ем­костью 64К бит; КР568РЕЗ - ПЗУ ем­костью 128К бит.

Микросхемы по входу и выходу со­вместимы с ТТЛ ИС серии 155, причем каждый выход БИС ПЗУ может оы гь на­гружен одним иходом ilC 1!ышеуказин-ной серии, и на выходах имеют три состояния.

В настоящее время серийно выпу­скаются ПЗУ серии КР568. имеющие сле­дующую прошивку: КР568РЕ1-ООО1-знакогенератор международного теле­графного кода № 2 (ГОСТ 15607-84) с вертикальным разложением знаков в формате 5x7 и 7x9; КР568РЕ1 -0002 - знакогенератор геле-графно! о международного кода № 2 с горизонтальным разложением знаков в формате 7 х 9 с отображением маркера над каждым знаком,

КР568РЕ1 -0003 - знакогенератор ГОСТ 13052 — 74* (96 символов, кодовая табли­ца КОИ — 7Н2, 32 математических и дополнительных знака);

КР568РЕ1-ООП -знакогенератор ГОСТ 19768 — 74* (90 символов в формате 5x7, русский и латинский алфавиты, знаки и цифры, горизонтальная развертка); КР568РЕ1 -0301, КР568РЕ1 -0302 - ре­дактор текстов: КР568РЕ1 -0303-0306-ассемолер; КР568РЕ1-0309,

КР568РЕ1-0310 - функция sin (0ч-90)° разряды 1 — 16 с дискретностью 5' "??"); КР568РЕ1 -0310 - предназначена для обеспечения входного контроля микро­процессора КР58ОИК8О и контроля ОЗУ; КР568РЕ2-О001 -знакогенератор ме­ждународных телеграфных кодов № 2 и № 5 (ГОСТ 15607-84* и ГОСТ 13052-74*); КР568РЕЗ-ООО2 - редактор текстов, ассемблер, МОС-2.

■ Условное обозначение и назначение выводов БИС серии 568 приведены на рис. 14.8, а —в.

Основные электрические и временные параметры БИС серии К568, (КР568) в диапазоне температур от —10 до + 70сС приведены в табл. 14.11.

Масочные ПЗУ серии К596. Микро­схема К596РЕ1 выполнена на основе ТТЛ-технологии с изоляцией р — «-перехо­дов, представляет собой ПЗУ емкостью 65 536 бит для хранения и считывания ин­формации в объеме 8192 8-разрядных слов и совместима по входу и выходу с ТТЛ ИС. Выходы имеют три состояния при низком уровне сигнала на выводе CS.

программирующий вывод, который является также входом разрешения вы­борки CS, и на вывод питания. Подача программирующих импульсов тока на выход ППЗУ обеспечивается подключе­нием программируемого выхода через резистор к выходу программатора, за­дающего напряжение на входе CS. Про­граммирование осуществляется с ис­пользованием схемы, приведенной на рис. 14.9, в, где G — генератор про­граммирующих импульсов; RI — ре­зистор 620 Ом ± 5 %, R2 — резистор 2,0 кОм + 5 %.

Временная диаграмма цикла програм­мирования приведена на рис. 14.9, г, а па­раметры импульсов программирова­ния — в табл. 14.14.

Программирование любого выбран­ного бита в состояние низкого уровня сигнала состоит в следующем: 1) на вы­ход (разряд), который будет программи­роваться, задается ток 1РР=2 ~4 мА: 2) на выводы 20 и 24 для К541РТ2 (или 14 и 16 для К541РТП должны быть поданы программирующие импульсы согласно временной диаграмме, представленной на рис. 14.9, г, с параметрами, приведенными в табл. 14.14.

Задание выходного тока 1РР = 2 + -г- 4 мА допускается отдельным генера­тором тока (15 =£ С7 =S 25 В) или соедине­нием программируемого выхода через резистор 2 кОм с выводом 20 (К541РТ2) или 14 (К541РТ1) во время подачи про­граммирующих импульсов.

Длительност;, программирующих им­пульсов линейно возрастает от 1 до 8 мке согласно рис. 14.9, г. При програм­мировании входные уровни должны быть VIL = (0 -f- 0.4) В и и,„ = (2,4 н- 4,5) В.

Контроль программирования можно осуществлять, когда напряжение на выво­дах 20 и 24 (К541РТ2) или 14 и 16 (К541РТ1) достигает уровня U = = (0^-0,4) В и U = (5 + 0,25) В соответ­ственно. Нагрузочный ток при измерении U0L может обеспечиваться как генерато­ром тока, так и подключением соответ­ствующего выхода через резистор 620 Ом + 5 %' к источнику питания 5 В.

Контроль программирования можно осуществлять в паузах между импульсами или после окончания никла программи­рования. При контроле программирова­ния в паузах .между программирующими импульсами после появления на выходе состояния низкого уровня сигнала про-

Все оставшиеся выходы можно оста­вить незадействованными или заземлить. При программировании и контроле на выводах 18 и 19 для К541РТ2 должно быть состояние высокого уровня, а на выводе 12 для К541РТ1 — низкого уровня сигнала.

граммирование необходимо продолжить еще 100 мс. Если после программирова­ния в течение 400 мс на выходе не заре­гистрирован низкий уровень сигнала, то это означает, что бит не программирует­ся. Не допускается программирование двух и более разрядов одновременно.

Программируемые ПЗУ серии К556.

Микросхемы серии К556 представляют собой биполярные схемы, выполненные по ТТЛ-технологии с использованием диодов Шоттки [5,17]. Серия включает в себя следующие микросхемы: КР556РТ1 — программируемая логиче­ская матрица (ПЛМ) с электрической за­писью информации (16 входных пере­менных. 48 конъюнкций, 8 выходных функций): КР556РТ4 — программируемое ПЗУ емкостью 1024 бит; КР556РТ5 -программируемое ПЗУ емкостью 4096 бит; КР556РТ6. КР556РТ7 - програм­мируемое ПЗУ емкостью 16 346 бит.

Микросхемы серии К556 по входным и выходным сигналам полностью совме­стимы с ТТЛ ИС. имеют выходы с от­крытым коллектором (кроме КР556РТ7).

В микросхемах ППЗУ серии К556 ис­пользуются нпхромовые перемычки. Для исключения возможности самовосстанов­ления пережженных перемычек необходи­ма электротермотренировка. С целью снижения потребляемой мощности в БИС допускается использование им­пульсного питания.

Условное обозначение и назначение выводов БИС ППЗУ серии 556 приве­дены на рис. 14.8.3 и и; 14.10,а — в. Ос-

новные электрические и временные пара­метры БИС серии К556 в диапазоне температур от —10 до +70 С при t/'f-c- = (5,0 + 0,25) В приведены

в табл. 14.15. До программирования в БИС КР556РТ4, КР556РТ6. КР556РТ7 по всем адресам и разрядам записан ло­гический нуль, а в БИС К556РТ5 — логи­ческая единица [12].

Программирование рассмотрим на примере записи информации в БИС К556РТ5. хотя что можно распростра­нить и на остальные гппы БИС серии К556. Микросхемы серии КР556 имеют два основных режима paooiu: считыва­ния информации и программирования.

Программирование микросхем вклю­чает запись информации и контроль элек­трических параметров БИС с записанной информацией.

Схема подачи режимов при saiiiicH ин­формации приведена на рис. 14.10.«, где G/— GJ — источники постоянною нап­ряжения; R — резистор 300 Ом + 5 %; Р — контрольное устройство: SA — пере­ключатель режимов (/ - режим програм­мирования, // — режим контроля). Исход­ное состояние микросхемы: выводы 12, 20 — заземлены: на выводы 21. 22, 24 — подается напряжение логического

НИНЫ.

Последовательность подачи напряже­ний в режиме записи информации сле­дующая.

1. Напряжение питания Un. (выводы 22. 24) повышается от 0 до (5 + 0,25) В. Источник напряжения 5 В должен обеспе­чивать ток не менее 200 мА.

2. На все выходы (выводы 9—11. 13—17) подается напряжение низкого уровня UlL = (Q + 0,5) В.

3. Напряжение питания (выводы 22. 24) повышается от 5 ± 0,25 до 12,5 ± 0.5 В. Источник напряжения 12,5 R должен обеспечивать ток не менее 600 мА. Такое же напряжение через резистор К = 300 Ом ± 5 % подается на выход, соответствующий первому разряду, в ко­торый записывается информация. При этом ток нагрузки не более 15 мА.

4. Напряжение на выводе 21 повы­шается от VlL = (0 + 0,5) В до С = ="•(15 ±0,5) В. Ток потребления по чтому источнику напряжения должен быть огра­ничен на уровне 100 мА.

5. Напряжение питания на выводах 22. 24 понижается до U!L = (0 + 0.5) В.

6. Напряжение на выводе 21 пони­жается до (.",»= (0 +0.5) В.

7. Пункты 2 — 6 повторяются для всех _ программируемых разрядов, что соответ­ствует циклу записи информации в одно слово.

8. По окончании циклов записи ин­формации одного слова проводится кон­троль правильности информации в дан­ном слове с учетом записи. Для этого напряжение на выводах 22. 24 уста­навливается (5 + 0,25) В и производятся считывание и проверка правильности за­писанной в данное слово информации. Допускается по окончании цикла записи информации в слово напряжение питания (выводы 22, 24) понижать от 12,5±0,5 до 5 ±0,25 В, совмещая конец цикла записи информации с началом цикла контроля, проводить контроль информации пс ле записи информации в каждый бит. Время воздействия напряжения питания при контроле правильности записанной ин­формации не должно превышать 30 мкс.

Методика программирования

БИСППЗУ серии 556 заключается в сле­дующем.

осуществляется путем подачи напряже­ний, указанных выше, в виде трех серий импульсов для каждого слова ППЗУ, в которое записывается информация.

2. Временная диагра> ма сигналов, подаваемых на выводы микросхемы в процессе записи информации, приведена на рис. 14.10, г.

3. Параметры и число импульсов в каждом режиме приведены в габл. 14.16.

4. Первая серия импульсов соответ­ствует нормальному режиму записи ин­формации и характеризуется минималь­ной длительностью записывающих им­пульсов для каждого бита и числом импульсов Л',.

5. Если в данное слово не записалась информация при подаче импульсов пер-!юй серии, необходимо перейти к форси­рованному режиму с длительностью им­пульса г-, и числом импульсов на один опт iV2. Р"ли по окончании второй серии импульсов информация в одно слово не записалась, микросхема должна быть за­бракована.

6. После того как информация записа­лась (независимо от того, при подаче пер­вой или второй серии импульсов) необхо­димо прервать подачу указанных серий импульсов и на данное слово подать до­полнительную последовательность им­пульсов (третью серию). Эта последова­тельность соответствует нормальному ре­жиму записи информации и отличается от него числом импульсов N3. фиксиро­ванным для данной последовательности.

7. Если в процессе воздействия на ми­кросхему дополнительной последователь­ности импульсов будет зафиксирована потеря информации, необходимо повто­рить запись информации в данное слово в соответствии с пп. 4-6. Если же потеря записанной информации будет зафикси­рована при повторном воздействии до­полнительной последовательности им­пульсов, то микросхема должна быть забракована.

Программируемое ПЗУ серии КР565. Микросхемы КР565РТ1, выполненные на основе МОП-технологии с п-каналом. представляют собой программируемые у заказчика ПЗУ емкостью 4096 бит в объеме 1024 '-разрядных слов, по вхо-