Классификация ис по уровням интеграции.

Уровень интеграции	Число элементов и компонентов в одной микросхеме	Цифровые микросхемы на МДМ-транзисторах	Аналоговые микросхемы на биполярных транзисторах
МИС (1 -2 ст.)	<=100	<=100	<=100
СИС(3-4ст.)	>100<=1000	>100<=500	>100<=500
СИС(3-4ст.)	>1000<=10000	>500 <=2000	>500
СБИС (7 ст.)	>100000	>50000	>10000

Аналоговая интегральная микросхема – интегральная микросхема, предназначенная для преобразования и обработки сигналов по закону непрерывной функции (микросхема с линейчатой характеристикой – линейная ИС).

Цифровая ИС – интегральная микросхема, предназначенная для преобразования и обработки сигналов, изменяющихся по закону дискретной функции (логическая микросхема)

Степень интеграции интегральной микросхемы – показатель степени сложения микросхемы, характерный числом содержащихся в ней элементов и компонентов.

Определяется по формуле:

где L – коэффициент, определяющий степень интеграции, округляемый до ближайшего больше целого числа.

N – число элементов и компонентов, входящих в интегральную микросхему.

Серия интегральных микросхем – совокупность интегральных микросхем, которые могут выполнять различные функции, имеющие единое конструктивно-технологическое исполнение и предназначенные для совместного применения.

В ГОСТ 17467-88 приведены термины, касающиеся конструктивных ИС.

Тело корпуса – часть корпуса без выводов.

Позиция вывода – одно из нескольких равноотстоящих друг от друга местоположений выводов на выходе из тела корпуса, разложенных по окружностям или в ряду, которое может быть занято или не занято выводом, каждая позиция вывода отмечена порядковым номером.

Установочная плоскость – плоскость, на которую устанавливается интегральная микросхема.

Ключ – конструктивная особенность, которая определяет позицию вывода.

На низшем, нулевом, уровне конструктивной иерархии ЭВА любого типа и назначения находятся ИС, выполняющие логические, вспомогательные, специальные функции, а также функции запоминания.

1.2 Классификация микросхем и условные обозначения.

В зависимости от технологии изготовления ИС делятся на 3 разновидности:

1) полупроводниковые.

2) пленочные.

3) гибридные.

Кроме того, ИС можно разделить на:

1) цифровые.

2) аналоговые.

В основу классификации цифровых микросхем положены 3 признака:

1) компонентов логической схемы, на которой выполняются логические операции над входными переменными;

2) способ соединения полупроводниковых приборов в логическую схему;

3) вид связи между логическими схемами.

По этим признакам логические ИС можно классифицировать следующим образом:

а) схемы с непосредственными связями на МОП-структурах – НСТЛМ (МОП – металл-окисел-полупроводник или МДП металл-диэлектрик-полупроводник).

б) схемы с резисторно-емкостными связями – РЕТЛ. РЕТЛ – схемы, входная логика которых осуществляетсяся на резисторных цепях. РЕТЛ и РТЛ - морально устарели и в новых разработках не используются.

в) схемы, входная логика которых осуществляется на диодах – ДТЛ.

г) схемы, входная логика которых выполняется на многоэмиттерном транзисторе – ТТЛ.

д) схемы, со связанными эмиттерами – ЭСЛ, или ПТТЛ – логика на переключателях тока.

ж) инжекторно-интегральная логика ИИЛ или И2Л – на ее основе создаются микросхемы большой степени интеграции высокого быстродействия и с малым потреблением энергии.

з) схемы, основанные на совместном включении пары транзисторов с каналами разных видов проводимости, так называемые комплиментарные структуры. (КМОП - структуры).

Все отечественные ИС делятся по конструктивно-технологическому исполнению делятся на 3 группы:

1) 1 ,5 ,6 ,7 - полупроводниковые.

2) 2 ,4 ,8 - гибридные.

3) 3 прочие - (пленочные, вакуумные и т.д.).

Применение микрокорпусов (МК) дает возможность увеличить мощность компоновки БИС и улучшить их электрическую проводимость.

Наиболее очевидны преимущества МК по сравнению с традиционными корпусами ИС является значительное уменьшение геометрических параметров МК – занимает площадь примерно в 4.8 раза меньше, и объем в 5.5 раза, чем обычный корпус ИС.

МК является частью конструкции ИС (БИС) и предназначен для защиты кристаллов от внешних воздействий и соединения посредством выводных площадок (выводов) с внешними электрическими цепями.