
- •2. Полупроводниковые приборы.
- •2.1.1 Классификация и система обозначений приборов.
- •2.1.2 Параметры диодов.
- •2.1.4 Излучающие оптоэлектронные приборы.
- •Классификация полупроводниковых индикаторов.
- •Условные обозначения полупроводниковых индикаторов.
- •Параметры и характеристики полупроводниковых индикаторов.
- •3) Параметры, характеризующие устойчивость ппи к действию внешних факторов.
- •2.2 Транзисторы.
- •2.2.1 Классификация и условные обозначения транзисторов.
- •2.2.2 Параметры предельных режимов работы транзистора и влияние температуры на его параметры.
- •2.2.3 Корпуса транзисторов.
- •2.2.4 Выбор транзисторов.
- •2.3 Тиристоры.
- •2.3.1 Классификация и система условных обозначений тиристоров.
- •2.3.2 Параметры теристоров
- •2.3.3 Корпуса тиристоров.
- •2.3.4 Маркировка полупроводниковых элементов.
- •3. Конденсаторы.
- •3.1 Классификация и схема условных обозначений конденсаторов.
- •3.2 Параметры конденсаторов.
- •3.3 Маркировка конденсаторов.
- •3.4 Применение конденсаторов в рда.
2.2.3 Корпуса транзисторов.
Существует более 70 типов конструкции корпусов транзисторов. Некоторые типы включают в себя несколько типоразмеров.
2.2.4 Выбор транзисторов.
Стандартный транзистор будет выбран верно с учетом следующих требований:
1. Транзисторы являются приборами универсального применения и могут усиленно использоваться в функциональных элементах различных классов, их следует применять по назначению, указанному в справочниках.
2. В справочниках приводятся значения параметров для соответствующих оптимальных или предельных режимов эксплуатации. Рабочий режим транзистора в проектируемом устройстве часто отличается от указанных. В этом случае необходимо по формулам и характеристикаам определить необходимое значение для выбранного режима.
3. Применение ВЧ транзисторов в НЧ устройствах нежелательно, так как они дороги, склонны к самовозбуждению и развитию вторичного пробоя, обладают меньшим эксплутационным запасом.
Эксплутационный запас – это разница между максимальным значением какого-либо параметра и его максимально допустимым значением.
4. Не допускается превышение максимально допустимых значений напряжений, токов, температуры, мощности рассеяния. Как правило, транзистор работает более устойчиво при неполном использовании его по напряжению и полном использовании по току.
Для надежной работы транзистора, напряжение на его коллекторе и рассеиваемая на нем мощность должны составлять не более 70-80% от максимально допустимых значений. Создаваемый тем самым второй эксплуатационный запас предотвращает превышение этими параметрами их допустимых значений при колебаниях, например, питающих напряжений, при переходных режимах, возникающих при включении аппаратуры и так далее.
5. Не следует применять мощные транзисторы там, где можно применить маломощные, так как при использовании мощных транзисторов в режиме малых токов их коэффициент передачи по току мал и сильно зависим как от тока, так и от температуры окружающей среды, а также уменьшаются массогабаритные и стоимостные показатели аппаратуры.
Необходимо применять транзистор минимально возможных для данных условий мощности, но так чтобы он при этом не перегревался.
Лучше применять транзистор малой мощности с небольшим теплоотводом, чем большой мощности без теплоотвода.
6. Если нет особых причин применять германиевый транзистор, лучше применить кремневый, т.к. они лучше работают при высоких температурах, имеют более высокие пробивные напряжения и на 1-2 порядка меньше, чем у германиевых обратные токи.
7. Коэффициент передачи тока базы зависит от тока коллектора и при некотором его значении обычно имеет максимальное напряжение.
Для хорошего усиления на низких частотах желательно выбирать это максимальное значение или близкое к нему по приводимым в справочнике графикам. В других случаях коэффициент передачи тока следует принимать равным указанному в справочнике или среднему арифметическому от минимальных и максимальных значений параметра.
2.3 Тиристоры.
Тиристор – полупроводниковый прибор с 2 устойчивыми состояниями, 3 или более переходов, который может переключатся из закрытого состояния в открытое и наоборот. Может выполнять функции преобразователя тока любой формы, ключей генераторов, используется в качестве ЗУ.