3) Параметры, характеризующие устойчивость ппи к действию внешних факторов.

К ним относятся механические воздействия: вибрационные нагрузки; многократные ударные нагрузки с ускорением; постоянное ускорение.

Климатические воздействия: повышение и понижение температуры, влажность, давление.

ППИ отличается высокой устойчивостью к внешним воздействующим факторам, значение параметров практически не меняется.

4) параметры, характеризующие надежность ППИ.

Один из основных - интенсивность отказов, а также изменение светотехнических параметров в процессе эксплуатации.

Выбор режима работы ППИ.

Режим работы ППИ должен быть таким, чтобы требуемые светотехнические параметры для данного ППИ, обеспечивал необходимую надежность, долговечность и допустимую деградацию параметров.

Поскольку все параметры ППИ связаны между собой, то применение ППИ одновременно в нескольких предельных электрических и эксплутационных режимах недопустимо, так как при работе в таком режиме не будет обеспечена требуемая надежность. Нельзя работать одновременно, например, при максимальной рассеиваемой мощности и максимальной температуре окружающей среды. В частности при работе на максимальной мощности необходимо снижать температуру. Для многоэлементных ППИ приращение температуры необходимо умножить на количество элементов индикатора. ППИ работают также в импульсном и мультиплексном режиме. В этом случае необходимо знать значение прямого импульсного тока. Значение максимально допустимого импульсного тока ограничивается 2 факторами: максимально допустимой температурой и амплитудой прямого импульсного тока.

2.2 Транзисторы.

Транзистор – управляемый полупроводниковый прибор, который может работать в электрических схемах как в ключевом, так и в усилительном режимах. Это универсальных прибор интегральных и мощных схем.

2.2.1 Классификация и условные обозначения транзисторов.

В настоящее время выпускается большое количество транзисторов различных типов и назначений. Транзисторы классифицируют по их функциональному назначению, физическим свойствам, основным электрическим параметрам, по конструктивно технологическим признакам и типу исходного полупроводникового материала. Транзисторы выпускаются на мощности от 200мВт до сотен ватт, с граничными частотами от 100 кГц до десяти гигогерц, с так допустимыми напряжениями от единиц до тысяч вольт и токами от 5 мА до сотен ампер, с уровнем собственных шумов от единиц до десятков децибел. Они могут выпускаться в различного вида корпусах и бескорпусном исполнении для гибридных ИС транзисторных микроприборах.

Биполярные транзисторы в соответствии с основными областями применения подразделяются на ряд групп: усилительные НЧ, высокочастотные, сверхвысокочастотные. По мощности транзисторы подразделяются на маломощные, средней и большой мощности.

По изготовлению транзисторы делятся на силовые, диффузионные, конвертные, диффузионно-силовые, планарные и т.д.

Биполярные транзисторы изготовляются в дискретном исполнении и в качестве компонентов ИС.

Полевые приборы выполняют те же функции, что и биполярные.

И полевые и биполярные транзисторы управляются зарядом, но передача управляющего заряда осуществляется по разному:

напряжением – в полевых (через емкость);

током – в биполярных (через сопротивление).

Система обозначений современных транзисторов основана на их физических свойствах и конструктивно-технологических принципах. В основу системы положен буквенно-цифровой код.

Условные обозначения биполярных транзисторов, разработанных до 1964 года и выпускаемых до настоящего времени, состоит из 2 или 3 элементов.