
- •2. Полупроводниковые приборы.
- •2.1.1 Классификация и система обозначений приборов.
- •2.1.2 Параметры диодов.
- •2.1.4 Излучающие оптоэлектронные приборы.
- •Классификация полупроводниковых индикаторов.
- •Условные обозначения полупроводниковых индикаторов.
- •Параметры и характеристики полупроводниковых индикаторов.
- •3) Параметры, характеризующие устойчивость ппи к действию внешних факторов.
- •2.2 Транзисторы.
- •2.2.1 Классификация и условные обозначения транзисторов.
- •2.2.2 Параметры предельных режимов работы транзистора и влияние температуры на его параметры.
- •2.2.3 Корпуса транзисторов.
- •2.2.4 Выбор транзисторов.
- •2.3 Тиристоры.
- •2.3.1 Классификация и система условных обозначений тиристоров.
- •2.3.2 Параметры теристоров
- •2.3.3 Корпуса тиристоров.
- •2.3.4 Маркировка полупроводниковых элементов.
- •3. Конденсаторы.
- •3.1 Классификация и схема условных обозначений конденсаторов.
- •3.2 Параметры конденсаторов.
- •3.3 Маркировка конденсаторов.
- •3.4 Применение конденсаторов в рда.
2. Полупроводниковые приборы.
Промышленные электронные устройства, как правило, содержат микропроцессорную систему управления, которая определяет логику работы устройств и строится на интегральных микросхемах и мощной исполнительной схеме, которая передает в нагрузку преобразованную электрическую мощность. В качестве нагрузки может выступать, например, электродвигатель ЭВМ, громкоговоритель и так далее. Электронное устройство (схема) состоит из элементов связанных между собой пассивных компонентов (резисторов, конденсаторов и так далее) и активных компонентов – полупроводниковых приборов. В ИС активные и пассивные элементы составляют единое целое, то есть полупроводниковый прибор нельзя выделить конструктивно из корпуса, как самостоятельный элемент. Полупроводниковый прибор ИС будем называть интегральным прибором. В мощной схеме – полупроводниковый прибор – конструктивно самостоятельный элемент, и в этом применении его будем называть дискретным прибором. Современный дискретный полупроводниковый прибор мощной схемы преобразует мощность до 10 кВт и более.
Внутри электронного устройства полупроводниковый прибор выполняет 2 основные функции:
1) замыкает и размыкает цепь электрического тока, то есть работает как ключ;
2) обеспечивает линейное усиление электрического сигнала, то есть работает как усилитель.
По функциональным возможностям можно выделить 3 основных класса полупроводниковых приборов: диоды, транзисторы и тиристоры.
Диод – это электрический «вентиль», то есть прибор, обеспечивающий однонаправленную передачу электрического сигнала. Диод можно считать неуправляемым ключом, который не усиливает мощность сигнала.
2.1.1 Классификация и система обозначений приборов.
Классификация современных приборов по их назначению, физическим свойствам, основным электрическим параметрам, роду исходного полупроводникового материала находит отражение в системе условных обозначений их типов.
Система обозначений современных полупроводниковых диодов, тиристоров и оптоэлектронных приборов установлена отраслевым стандартом ГОСТ 11336.919-81 и базируется на ряде классификационных признаков этих приборов.
В основу обозначений положен буквенно-цифровой код.
В основу классификации диодов можно положить различные признаки - вид электирческого перехода (точечные и плоскостные), физические процессы в переходе (туннельный и так далее), характер преобразования энергии сигнала (светодиод, фотодиод, и другие), метод изготовления электрического перехода (диффузионные, сплавные и другие), и так далее. В справочниках приводится классификация по применению в РЭА или по назначению. Она отражает принцип преобразующих и нелинейных свойств электрического перехода, исходный материал для изготовления.
Таким образом, современная система обозначений вмещает значительный объем информации о свойствах прибора.
Поскольку ГОСТ 336.919-81 введен в действие в 1982 г., для ранее разработанных приборов использована иная система обозначений. Условные обозначения приборов, разработанных до 1964г. состоял из следующих элементов.
Обозначение приборов разработанных между 1964г. и 1981г. мало отличаются от обозначений по ГОСТ. Исключение составляют стабилитроны. В их обозначении в качестве 3-го и 4-го элемента присваивались числа в зависимости от мощности (малой мощности Р <= 0.3Вт; средней мощности 0,3Вт < Р <= 5Вт; большой мощности Р > 5Вт ), причем две последние цифры каждого числа соответствуют напряжению стабилизации стабилитронов данного типа.
Например:
2С168А - кремниевый стабилитрон малой мощности с uct = 6,8В.