- •Энергетические зоны
- •Электронные полупроводники (n-типа)
- •Дырочные полупроводники (р-типа)
- •2) По характеру проводимости Собственная проводимость
- •Примесная проводимость
- •3)Физическая сущность возникновения p-n перехода
- •Пробой p-n-перехода
- •4)Возникновения прямого тока через p-n переход.
- •Возникновения прямого тока через p-n переход.
- •5) Понятие выпрямительного диода. Обозначение выводов. Условное обозначение в схемах. Вах диода.
- •6)Вах стабилитрона.Основные параметры. Материал для изготовления стабилитрона.Условное обозначение.
- •Схемы включения биполярного транзистора
- •8)Светодиоды.Принцип действия.Применение.Недостатки и преимущества.
- •Преимущества
- •Стоимость
- •9)Структура динистора.Физические процессы динистора при подключении u.Вах
- •10)Понятие тиристора.Разновидности.Применение.Свойства
- •Отличие динистора от тринистора
- •[Править]Симистор
- •Симистор (симметричный тринистор) представляет собой тиристор, по своей структуре подобный двум встречно-параллельным тринисторам. Способен пропускать электрический Применение
- •11,12)Вах тринистора.Указать открытые и закрытые участки Способы управления тринисторами
- •13)Область применения электронных усилителей. Нарисуйте схему одного каскада
- •14)На чём основано усиление электрических сигналов с помощью транзистора?
- •15)Вывод уравнения характеристики для нахождения координат рабочей точки
- •Это соответствует замкнутому положению ключа.
- •20) .Стартёры
- •2. Имс можно разделить:
- •3. Полупроводниковые имс.
- •22) Гибридные интегральные микросхемы совмещают свой-
- •23) 3. Полупроводниковые имс.
- •25) 3.Фотолитография
- •36) Нанотехнологии и области применения
Преимущества
По сравнению с другими электрическими источниками света (преобразователями электроэнергии в электромагнитное излучение видимого диапазона), светодиоды имеют следующие отличия:
-
Высокая световая отдача. Современные светодиоды сравнялись по этому параметру с [Натриевыми газоразрядными лампами][9] и металлогалогенными лампами, достигнув 150 Люмен на Ватт.
-
Высокая механическая прочность, вибростойкость (отсутствие нити накаливания и иных чувствительных составляющих).
-
Длительный срок службы - от 30000 до 100000 часов ( при работе 8 часов в день - 34 года). Но и он не бесконечен — при длительной работе и/или плохом охлаждении происходит «отравление» кристалла и постепенное падение яркости.
-
Спектр современных светодиодов бывает различным - от тёплого белого = 2700 К до холодного белого = 6500 К.
-
Малая инерционность - включаются сразу на полную яркость, в то время как у ртутно-форфорных (люминесцентных-экономичных) ламп время включения от 1 сек до 1 мин, а яркость увеличивается от 30% до 100% за 3-10 минут, в зависимости от температуры окружающей среды.
-
Количество циклов включения-выключения не оказывают существенного влияния на срок службы светодиодов (в отличие от традиционных источников света - ламп накаливания, газоразрядных ламп).
-
Различный угол излучения - от 15 до 180 градусов.
-
Низкая стоимость индикаторных светодиодов, но относительно высокая стоимость при использовании в освещении, которая снизится при увеличении производства и продаж.
-
Безопасность — не требуются высокие напряжения, низкая температура светодиода или арматуры, обычно не выше 60 градусов Цельсия.
-
Нечувствительность к низким и очень низким температурам. Однако, высокие температуры противопоказаны светодиоду, как и любым полупроводникам.
-
Экологичность - отсутствие ртути, фосфора и ультрафиолетового излучения в отличие от люминесцентных ламп.
-
Недостатки
Стоимость
Стоимость мощных светодиодов, применяемых в портативных прожекторах и автомобильных фарах, на сегодняшний день довольно высока - порядка 8-10$ и более за штуку. Как правило, в небольших фонариках и бытовых лампах-сборках используется несколько десятков не слишком мощных светодиодов.
К началу 2011 года стоимость мощных (1 Вт и более) светодиодов снизилась и начинается от 0,9 $. Стоимость сверх мощных (10Вт и более P7 и CREE M-CE 15-20$ CREE XM-L 10W 1000Lm порядка 10$)
9)Структура динистора.Физические процессы динистора при подключении u.Вах
Динистор
представляет собой монокристалл
полупроводника, обычно кремния, в котором
созданы четыре чередующиеся области с
различным типом проводимости
(рис. 5.2, а).
На границах раздела этих областей
возникнут p-n-переходы:
крайние переходы (
и
)
называются эмиттерными,
а области, примыкающие к ним, – эмиттерами;
средний p-n-переход
(
)
называется коллекторным.
Внутренние n1-
и p2-области
структуры называется базами.
Область p1,
в которую попадает ток из внешней сети,
называется анодом (А),
область n2 – катодом (К).

Рассмотрим
процессы, происходящие в тиристоре при
подаче прямого напряжения, т. е. «+»
на анод, «–» на катод. В этом случае
крайние p-n-переходы
и
смещены
в прямом направлении, средний
переход
смещен
в обратном направлении. Соответственно
динистор можно представить в виде
двухтранзисторной структуры (рис. 5.3).
Так как переходы
и
смещены
в прямом направлении, из них в области
баз инжектируются носители заряда:
дырки из области p1,
электроны из области n2.
Эти носители заряда диффундируют в
областях баз n1 и p2,
приближаясь к коллекторному переходу,
и перебрасываются его полем через
переход
.
Дырки, инжектированные из областиp1,
и электроны из области n2 движутся
через переход
в
противоположных направлениях, создавая
общий ток
.
Рис. 5.3. Структура (а) и схема двухтранзисторного эквивалента динистора (б)
При
малых значениях внешнего напряжения
все оно практически падает на коллекторном
переходе
.
Поэтому к переходам
и
,
имеющим малое сопротивление, приложена
малая разность потенциалов и инжекция
носителей заряда невелика. В этом случае
ток
мал
и равен обратному току через переход
.
При
увеличении внешнего напряжения ток в
цепи сначала изменяется незначительно.
При дальнейшем увеличении напряжения,
по мере увеличения ширины перехода
,
все большую роль начинают играть носители
заряда, образовавшиеся вследствие
ударной ионизации. При определенной
величине напряжения носители заряда
ускоряются настолько, что при столкновении
с атомами p-n-перехода
ионизируют
их, вызывая лавинное размножение
носителей заряда. Образовавшиеся при
этом дырки под влиянием электрического
поля переходят в область p2,
а электроны в область n1.
Ток через переход
увеличивается,
а его сопротивление и падение напряжения
на нем уменьшаются. Это приводит к
повышению напряжения, приложенного к
переходам
и
и
увеличению инжекции через них, что
вызывает дальнейший рост коллекторного
тока и токов инжекции. Процесс протекает
лавинообразно и сопротивление
перехода
становится
малым. Носители заряда, появившиеся в
областях вследствие инжекции и лавинного
размножения, приводят к уменьшению
сопротивления всех областей динистора,
и падение напряжения на нем становится
незначительным. На вольт-амперной
характеристике этому процессу
соответствует участок 2 с отрицательным
дифференциальным сопротивлением
(рис. 5.4). После переключения
вольт-амперная характеристика аналогична
ветви характеристики диода, смещенного
в прямом направлении (участок 3).
Участок 1 соответствует закрытому
состоянию динистора.
Рис.
5.4. Вольт-амперная характеристика
динистора
Динистор
характеризуется максимально допустимым
значением прямого тока
(рис. 5.4),
при котором на приборе будет небольшое
напряжение
.
Если уменьшать ток через прибор, то при
некотором значении тока, называемом
удерживающим током
,
ток резко уменьшается, а напряжение
резко повышается, т. е. динистор
переходит обратно в закрытое состояние,
соответствующее участку 1. Напряжение
между анодом и катодом, при котором
происходит переход тиристора в проводящее
состояние, называют напряжением
включения
.
При
подаче на анод отрицательного напряжения
коллекторный переход
смещается
в прямом направлении, а эмиттерные
переходы в обратном направлении. В этом
случае не возникает условий для открытия
динистора и через него протекает
небольшой обратный ток.
