2. Имс можно разделить:

• По технологии изготовления

• По степени интеграции

• По назначению

По технологии изготовления различают полупроводниковые и гибридные.

Гибридные делятся на толстоплёночные и тонкоплёночные.

3. Полупроводниковые имс.

Это ИМС, все элементы и межэлементные соединения которой выполнены в объёме одного п/п кристалла введением легирующих примесей в определённые

микрообласти. Иногда её называют монолитной ИМС.

Основа п/п ИМС-кремний. Пластина диаметром 30-75 мм р или п типа толши

ной 0,2 мм. При нагревании пластины в кислородной среде на её поверхности

образуется плёнка SiO2. Она защищает кристалл от загрязнения, из неё форми -руется маска для диффузии, она может выполнять роль диэлектрика в схеме.

Изготовление ИМС: тысячи схем формируют одновременно, алмазным рез-

цом делают насечки и разламывают на кристаллики, делают выводы, герметизиру ют, помещают в корпуса.

Для изготовления п/п ИМС применяют планарно-эпитаксиальную техноло -гию, фотолитографию, химическое травление и др. методы.

1. 22) Гибридные интегральные микросхемы совмещают свой-

ства полупроводниковых и плёночных ИМС. 2 вида ИМС

а) в объёме п/п создаются активные элементы, а на поверхности подложки формируются плёночные пассивные элементы и токо-

проводящие дорожки;

б) диэлектрическая подложка является плёночной ИМС, на

которую подвешиваются активные бескорпусные элементы.

Контакты навесных элементов имеют вид проволоки, балки, шариков. Для соединений применяют лазерную, термокомпрессионную и ультразвуковую сварку.

23) 3. Полупроводниковые имс.

Это ИМС, все элементы и межэлементные соединения которой выполнены в объёме одного п/п кристалла введением легирующих примесей в определённые

микрообласти. Иногда её называют монолитной ИМС.

Основа п/п ИМС-кремний. Пластина диаметром 30-75 мм р или п типа толши

ной 0,2 мм. При нагревании пластины в кислородной среде на её поверхности

образуется плёнка SiO2. Она защищает кристалл от загрязнения, из неё форми -руется маска для диффузии, она может выполнять роль диэлектрика в схеме.

Изготовление ИМС: тысячи схем формируют одновременно, алмазным рез-

цом делают насечки и разламывают на кристаллики, делают выводы, герметизиру ют, помещают в корпуса.

Для изготовления п/п ИМС применяют планарно-эпитаксиальную техноло -гию, фотолитографию, химическое травление и др. методы.

2. 24) Толстоплёночные ИМС > 1 мкм

Основа – керамическая подложка. На неё наносится паста (смесь поро-

шков благородных металлов и стекла, взвешенных в связующей жидкости)

через сетчатый трафарет- МАСКУ. Технология –метод трафаретной печати.

После отжига на подложке образуются пассивные элементы, соедини - тельные проводники и контактные площадки.

Р 1- паста

2- трафарет

3- подложка

Эти ИМС обеспечивают стабильность параметров, надёжность и сравнительно недороги. Точность параметров обеспечивают контролируя размеры толщины плёнки лазерным лучом.

3.Тонкоплёночные ИМС < 1 мкм

Основа- подложка из сапфира, керамики,стекла, на которой формиру –ется плёнка напылением через трафарет-маску.

Используется термическое напыление в вакууме, в электронно-лучевых испарителях, косвенный нагрев, катодное напыление, химическое осаждение.

Например, индуктивные элементы

изготовляют из никеля, серебра,хрома.

Обкладки конденсатора из алюминия,

меди. Диэлектрические плёнки- окисляют

внешние слои металлических

плёнок.