
- •1.1 Терминология.
- •1.2 Классификация микросхем и условные обозначения.
- •1.3 Корпуса микросхем.
- •1.4 Параметры микросхем.
- •1.5 Сравнение различных типов микросхем.
- •1.6 Микросхемы полупроводниковой памяти.
- •1.8 Взаимозаменяемость и аналоги микросхем.
- •1.9 Маркировка.
- •2/1.1 Классификация и система обозначений приборов.
- •2.1.2 Параметры диодов.
- •2.1.4 Излучающие оптоэлектронные приборы.
- •2.2.1 Классификация и условные обозначения транзисторов.
- •2.2.3 Корпуса транзисторов.
- •2.2.4 Выбор транзисторов.
- •2.3 Тиристоры.
- •2.3.1 Классификация и система условных обозначений тиристоров.
- •3. Конденсаторы.
- •4.Резисторы.
- •5. Электрические соединения
- •6. Трансформаторы и дроссели.
2.3.1 Классификация и система условных обозначений тиристоров.
Тиристроры классифицируются по следующим признакам:
1) по кол-ву выводов;
2) по виду выходной ВАХ;
3) по способам вкл. и управления и по др. признакам. По кол-ву выводов различают:
1) диодные тиристоры, имеющие 3 вывода (2 основных и 1 управляющий);
2) четырех электродные тиристоры, имеющие 4 вывода (2 вх. и 2 вых.). По виду выходной ВАХ:
1) тиристоры, не проводящие в обратном направлении;
2) тиристоры, проводящие в обратном направлении;
3) симметричные, кот. могут переключатся в открытое состояние в обоих
направлениях. По способу выключения:
1) не запираемые;
2) запираемые.
По способу управления:
1)Тиристоры -управляются внеш. эл. сигналом по управляющему электроду;
2) фототиристоры - внеш. оптическим сигналом;
3) оптотиристоры - внутренним оптическим сигналом.
По мере создания и освоения новых видов и классификационных групп тиристоров развивалась и совершенствовалась система их условных обозначений. Начиная с 1968
года, она трижды претерпевала изменения. Начиная с 1980 года введена новая, действующая до настоящего времени, система обозначений унифицированных силовых приборов по ГОСТ 20859.1-89
тиристоры _
Триак - симметричный триодный тиристор. Диак - диодный тиристор.
Тиристоры
По
виду вых.
ВАХ
По
кол-ву
выводов
По
способу
вьнеяючения
По
способу
управления
Динисторы
не запираемые
тиристоры
не
проводящие
в обратном
направлении
тиристоры
(триодные)
запираемые
фототиристоры
проводящие
"в"
обратном
направлении
тетродные
-симисторы
оптотиристоры
лавинные
2.3.2 Параметры теристоров
Важнейшими параметрами как двух электродных, так и трех электродных теристоров
является следующее.
dU_ = dUk J вкл - ток включения определяется из условия fij dJ
U вкл - напряжение включения - представляет собой максимальное прямое напряжение на теристоре.
J уд - удерживающий ток - это минимальное значение тока, при котором теристор еще может находится в открытом состоянии.
При изменении основного или действующего тока до значений, меньших J уд , прибор переключается в закрытое состояние.
U омор -падение напряжения во включенном состоянии.(постоянное напряжение в открытом состоянии).
J обр- обратный ток при определенном обратном напряжении.
J ун - коммутирующий постоянный ток, ток уравнения - минимальное значение постоянного тока управляющего электрода, при котором включается теристор.
Этот параметр, характеризует управляющие свойства прибора, соответствующим определенному заданному напряжению включения.
Инерционность процессов включения и выключения тиристора при подаче на него импульсов напряжения характеризуется временем включения и выключения.
t вкл - время включения, интервал времени с момента подачи импульса в течении которого напряжение на теристоре уменьшается от уровня 0.9 до уровня 0.1 своего максимального значения. Параметр существенно снижается с возрастанием мощности переключающего сигнала и возрастает при увеличении тока нагрузки и уменьшением напряжения источника питания.
t выкл - время выключения, интервал времени в течении которого теристор из открытого состояния переходит в запертое, определяется теми же процессами, что и в транзисторе, при переключении его в режим насыщения.
Время выключения может быть уменьшено при подаче на теристор напряжения обратной полярности.
Для характеристики максимально допустимого режима работы тиристора указываются следующие параметры.
U обр.мах - максимальное значение постоянного обратного напряжения, при котором обеспечивается заданная надежность при длительной работе. Параметр ограничивается пробивным напряжением одного из крайних переходов тиристора (с местным пробивным напряжением)
J обр.мах максимальная величина прямого тока обеспечивающего заданную надежность при длительной работе. Параметр ограничивается мах. Мощностью выделяемой на переходе тиристора.
2.3.3 Корпуса тиристоров.
Конструкции корпусов тиристоров такие же как и корпуса диодов и транзисторов.
2.3.4 Маркировка полупроводниковых элементов.
В соответствии с ГОСТ 20859.1-89. на каждом приборе или модуле, должны быть нанесены четкими нестирающимися знаками, следующие данные.
1). Товарный знак предприятия изготовителя.
2). Условное обозначение прибора.
3). Климатическое исполнение и категория нумерация (и исполнение и категория не наносят и не допускают наносить если одно климатическое исполнение )
4). Символ полярности для приборов (кроме симметричных амперметров) и схема внутреннего соединения и расположения выходов для модулей.
5). Условное обозначение выводов (если это предусмотрено в технических условиях на конкретные линии приборов и модулей)
6). Дата изготовления (месяц, год), для приборов и модулей, не предусмотренных для
экспорта.
Допускается указывать дополнительные данные, если это предусмотрено ТУ на
конкретные типы приборов и модулей.
Цветовое обозначения выводов должно быть : 1). Вывод катода эмиттера- красный
2). Вывод анода коллектора - синий или черный.
3). Вывод управляющего электрода и базы - желтый или белый.
Если поверхность прибора которая может быть использована для маркировки прибора не более 3 см2 то допускается применения других способов кодирования маркировки (при сохранении требуемой информации) которая указана в ТУ на приборы конкретных типов. Литература.
1) Тиристоры. Справочник Григорьев О.П, Замятин В.А
2) Вершинин О.С, Мироненко Н.Г Нонсенс радиоэлектронной аппаратуры.
3). Тугов Н.М и др. Полупроводниковые приборы.
4). Овчинников Полупроводниковые приборы.
5). под ред. Герасимова В.Г Основы промышленной электроники.
6). Н.Н Васерин и др. Применение полупроводниковых индикаторов.
7). ГОСТ 23900-87 Приборы полупроводниковые,силовые.Габариты.
8). Справочник Полупроводниковые диоды
9). Справочник Транзисторы.
10). ГОСТ 25486-82 Изделия Электронной техники, Маркировка.
11). ГОСТ 20859.1-89 . Приборы полупроводниковые, основные технические условия (маркировка, условные обозначения)
12). ГОСТ 19095-73 Транзисторы полевые, термины обозначения.
13). ГОСТ 18472-88 Полупроводниковые приборы, конструкция, размеры.
14). ГОСТ 17456-80 Диоды полупроводниковые. Основные параметры.
15). ГОСТ 17466-80 Транзисторы биполярные и полевые. Основные параметры.