 
        
        - •Тема №3 полупроводниковые материалы
- •3.1. Общие сведения.
- •3.2. Собственные (чистые) полупроводники.
- •3.2.1. Концентрация собственных носителей заряда.
- •3.3. Примесные полупроводники
- •3.3.1. Донорные примеси
- •3.3.2. Акцепторные примеси.
- •3.3.3. Основные и неосновные носители зарядов.
- •3.4. Электропроводность полупроводников.
- •3.5. Воздействие внешних факторов на электропроводность полупроводников
- •3.5.1. Влияние температуры на электропроводность полупроводников.
- •3.5.2. Влияние деформации на электропроводность полупроводника.
- •3.5.3. Влияние света на электропроводность полупроводника
- •3.5.4. Влияние сильных электрических полей на электропроводность полупроводников
		 
		
Лекции по дисциплине «Радиоматериалы» 2010 г 18 нояб.
Тема №3 полупроводниковые материалы
3.1. Общие сведения.
Все полупроводниковые материалы делятся на простые полупроводники (ПП) или элементы, полупроводниковые химические соединения и полупроводниковые комплексы. В последнее время также изучаются стеклообразные и жидкие полупроводники. Простых ПП существует около десяти. В современной технике особое значение приобрели кремний (Si), германий (Ge) и, частично, селен (Se).
| Материалы | Атомный № | D W, эВ | Подвижн. электронов, см2/В* с | Подвижн. дырок, см2/В* с | 
| Ge | 32 | 0.67 | 3900 | 1900 | 
| Si | 14 | 1.12 | 1400 | 500 | 
| Se | 34 | 1.79 | - | 0.2* 10-4 | 
Полупроводниковыми химическими соединениями являются соединения элементов различных групп таблицы Менделеева, соответствующие общим формулам АIIВVI (CdS, ZnSe), АIIIВV(InSb, GaAs, GaP ), АIVВVI (PbS, PbSe, PbTe), также некоторые оксиды и вещества сложного состава.
AIII BV
| Материалы | D W, эВ | Подвижн. электронов, см2/В* с | Подвижн. дырок, см2/В* с | 
| GaSb | 0.7 | 5000 | 800 | 
| InSb | 0.18 | 80000 | 1000 | 
| GaAs | 1.4 | 8500 | 400 | 
| InAs | 0.35 | 30000 | 500 | 
AII BVI
| Материалы | D W, эВ | Подвижн. электронов ,с см2/В* с | Подвижн. дырок, см2/В* с | 
| ZnS | 3.74 | 140 | 5 | 
| CdS | 2.53 | 340 | 110 | 
| HgS | 1.78 | 700 | - | 
| ZnSe | 2.73 | 260 | 15 | 
AIVBVI
| Материалы | D W, эВ | Подвижн. электронов, см2/В* с | Подвижн. дырок, См2/В* с | 
| PbS | 0.39 | 600 | 700 | 
| CdS | 0.27 | 1200 | 1000 | 
| HgS | 0.32 | 1800 | 900 | 
К полупроводниковым комплексам можно отнести вещества с полупроводящей или проводящей фазой и карбида кремния, графита, сцепленных керамической или другой связкой. Наиболее распространенными из них являются тирит, силит и др. c шириной запрещенной зоны 0.75 ч 1.35 эВ.
