- •Часть 1
- •1. Энергетический спектр носителей заряда
- •1.1. Зонная структура энергетического спектра носителей заряда
- •1.2.Заполнение зон. Эффективная масса носителей заряда
- •1.3. Локальные уровни в запрещенной зоне
- •1.4. Дефекты в кристаллах
- •2. Статистика носите лей заряда в твердом теле
- •2.1.Функция распределения Максвелла— Больцмана
- •2.2.Функция распределения Бозе - Эйнштейна
- •2.3.Функция распределения Ферми—Дирака
- •На рис.2.4. Для сравнения приведены различные кривые распределения электронов.
- •2.4. Концентрация носителей заряда
- •3. Неравновесные носители заряда в полупроводниках
- •3.1. Квазиуровни Ферми и время жизни неравновесных носителей заряда
- •Скорость рекомбинации
- •3.3. Уравнение непрерывности
- •3.4. Соотношения Эйнштейна и диффузионная длина
- •4.1. Контакт мегалл-полупроводник
- •4.2. Контакт полупроводников n и p типа.
- •4.3. Контакт полупроводников n-p-n и p-n-p типа Транзисторные переходы
- •4.4. Полупроводниковые сверхрешетки
- •4.5. Структура металл-диэлектрик-полупроводник.
- •1. Энергетический спектр носителей заряда
- •Зонная структура энергетического спектра носителей заряда
1.4. Дефекты в кристаллах
Теперь рассмотрим классификацию дефектов.
Если дефекты рассматривать как n-мерные нарушения в кристаллической решетке, то они могут быть: точечными (п = 0); линейными (n = 1); плоскими (п = 2); объемными (п = 3). Кроме того, различные n-мерные дефекты при благоприятных условиях могут взаимодействовать друг с другом с образованием сложных ассоциированных дефектов.
К точечным дефектам относятся атомы посторонней примеси, которые могут располагаться как в узлах, так и в междуузлиях основной решетки (матрицы) кристалла; вакансии — пустые узлы матрицы; междуузельные атомы самой матрицы; посторонние атомы, адсорбированные на поверхности кристалла.
Линейные дефекты представляют собой дислокации.
К плоским дефектам принадлежат границы зерен кристаллов-двойников, границы самого кристалла и зоны Гинье - Престона, представляющие особый вид скоплений примесных атомов в кристалле, но еще когерентных с самой матрицей, т. е. так называемую область предвыделения.
Объемные дефекты по существу являются макроскопическими нарушениями — это закрытые и открытые поры, трещины, включения посторонней фазы.
Сложные дефекты наименее изучены. Они могут возникать за счет взаимодействия атомов или ионов примесей с вакансиями.
2. Статистика носите лей заряда в твердом теле
В системе большого числа частиц могут наблюдаться определенные статистические закономерности в отношении распределения этих частиц по энергиям, В каждом конкретном случае существует наиболее вероятное размещение частиц по энергиям, описываемое статистической функцией распределения ./(£, Т}, представляющей собой среднее число частиц, находящихся в данном энергетическом состоянии Е при некоторой температуре Т.
Вид функции распределения зависит от того, являются ли даяние частицы различимыми и какое число частиц может находиться в данном разрешенном состоянии. Под различимостью понимают свойство частиц изменять макроскопические физические характеристики твердого тела при перестановке этих частиц местами.
2.1.Функция распределения Максвелла— Больцмана
В классической физике частицы предполагаются различимыми, причем в данном энергетическом состоянии может находиться неограниченное число классических частиц. Примером таких классических частиц является молекулярный газ. Эти частицы описываются хорошо известной в классической физике функцией распределения Максвелла— Больцмана:
(2.1.)
где μМ - представляет собой термодинамический параметр, называемый химическим потенциалом. Химический потенциал выражает изменение свободной энергии системы при изменении числа частиц этой системы на единицу, при неизменных температуре и объеме системы. Иными словами, химический потенциал равен величине свободной энергии; приходящейся на одну частицу системы в состоянии равновесия, и выражается формулой
(2.2.)
где n –число частиц в системе
На рис.2.1. приведены графики функции распределения при трех различных значениях температуры. Как видно из рисунка, с уменьшением температуры число частиц с малыми значениями энергии неограниченно возрастает. При температуре абсолютного нуля все частицы займут самое нижнее энергетическое состояние.

Рис.2.1. Графики функции распределения Максвелла-Больцмана (а) и распределение частиц по энергиям (в) при трех различных значениях температуры.
