лекции / электронные лекции / 1.3.1.1.2.3

Комплентарный эмиттерный повторитель в режиме В.

При положительных входных сигналах транзистор T1 работает как эмиттерный повторитель, а транзистор Т2 заперт. При отрицательных входных напряжениях - наоборот. Таким образом, транзисторы работают попеременно, каждый в течение одного полупериода входного напряжения. Такой режим работы называют двухтактным режимом В. При Uвх=0 оба транзистора заперты; следовательно, схема имеет малый ток покоя. Ток, потребляемый как от положительного, так и от отрицательного источника напряжения, равен току в нагрузке. Поэтому схема обладает существенно более высоким КПД по сравнению с обычным эмиттерным повторителем. Еще одно различие состоит в том, что выходное напряжение при любой нагрузке может достигать +-Еп, поскольку транзисторы не ограничивают выходной ток. Разность между входным и выходным напряжениями равна напряжению база-эмиттер открытого транзистора. При изменении нагрузки оно меняется незначительно. Следовательно,

Uвых~Uвх независимо от нагрузки. Мощность в нагрузке обратно пропорциональна сопротивлению Rн и не имеет экстремума. Таким образом, в схеме не требуется согласования нагрузки, и максимальная мощность на выходе определяется лишь предельным током и максимальной мощностью рассеяния используемых транзисторов. При полном изменении уровня синусоидального сигнала эта мощность равна

Вычислим теперь Pт1 - мощность, рассеиваемую на транзисторе Т1(из-за симметрии схемы мощность, рассеиваемая на транзисторе Т2, будет такой же):

Для синусоидального входного сигнала Uвых(t)=Uвыхmax*sin(wt)

При Uвых=0 мощность, рассеиваемая на транзисторах, как и следовало ожидать, равна нулю. При Uвых=Еп она равна

Отсюда следует, что коэффициент полезного действия схемы составляет

Максимальная мощность рассеивается на транзисторах не при полной амплитуде выходного сигнала, а при

что следует из условия экстремума функции мощности

В этом случае на каждом транзисторе рассеивается мощность

Зависимость выходной, рассеиваемой и потребляемой мощности от амплитуды выходного сигнала показана на рис.4

Рис.4 Распределение мощности в комплементарном эмиттерном повтрителе.

1 - потребляемая мощность;

2 - мощность в нагрузке;

3 - мощность, рассеиваемая на каждом транзисторе.