лекции / электронные лекции / 1.3.1.1.2.4

Расчет напряжений питания +Еп, потребляемой мощности Ро, КПД, мощности на коллекторах оконечных транзисторов Рк.

При заданных значениях амплитуды напряжения на нагрузке Uнm и мощности на нагрузке Рн рассчитывают

Iнm = 2 Рн / Uнm (1)

Rн = Uнm/Inm (2)

Напряжения питания выходного каскада выбирают из условия

Е=Uнm + U =Uнm +(34)В. (3)

На рис.4 построены линии нагрузки выходных транзисторов VT4–5 (рис.2) или VT3-4 (рис.3)

Расчет энергетических параметров:

Потребляемая мощность

. (4)

Среднее значение потребляемого тока

(5)

Выходная мощность (на нагрузке)

(6)

Мощность, рассеиваемая на коллекторах выходных (оконечных) транзисторов

. (7)

Коэффициент полезного действия

. (8)

Рис. 5 Типовые зависимости Po, Pн, Рк от Uнm.

Мощность, рассеиваемая на коллекторах выходных транзисторов, имеет максимум при Uнм = 2E / 0,64E

(9)