
- •Лекция №1 движение электрона в электрическом и магнитном полях.
- •1 Движение электрона в электрическом поле
- •2 Электровакуумные приборы, созданные на основе учета особенностей движения электрона в электрическом поле
- •3 Движение электрона в магнитном поле
- •Вопросы для самопроверки
- •Лекция №3 полупроводники с собственной, электронной и дырочной электропроводностью
- •1 Собственные полупроводники.
- •2 Полупроводники с электронной электропроводностью
- •3 Полупроводники с дырочной электропроводностью
- •Вопросы для самопроверки
- •Лекция №4 построение энергетических моделей различного типа полупроводниковых приборов.
- •1Энергетическая модель p-n перехода (полупроводниковый диод)
- •2 Построение энергетической модели p-n перехода, включенного в обратном направлении.
- •3 Построение энергетической модели p-n перехода ,включенного в прямом направлении.
- •4 Построение энергетической модели p-I-n перехода в случае термодинамического равновесия
- •5Построение энергетической модели p-I-n структуры в случае прямого включения
- •6 Построение энергетической модели p-n- p структуры
- •Вопросы для самопроверки
- •Лекция №5 полупроводниковый диод
- •1.Физическая модель р-n перехода.
- •3 Классификация полупроводниковых диодов.
- •4 Выпрямительные диоды.
- •Вопросы для самопроверки
- •Лекция № 6 разновидности диодов. Одно- и двухполупериодная схемы выпрямления
- •2 Основные параметры стабилитрона.
- •4 Фотодиоды
- •5 Светодиоды
- •6 Однофазные схемы выпрямления
- •Вопросы для самопроверки
- •3 Принцип работы биполярного транзистора.
- •4 Включение транзистора по схеме с оэ
- •5 Предельные параметры.
- •2 Входные и выходные характеристики полевых транзисторов
- •3 Основными параметры полевых транзисторов
- •4 Фототранзисторы.
- •5 Тиристоры.
- •5 Усилители на биполярных транзисторах.
- •Вопросы для самопроверки
- •2 Усилители постоянного тока.
- •3 Упт на базе каскада с оэ.
- •4 Схема симметричного дифференциального каскада.
- •Вопросы для самопроверки
- •3 Особенности оос
- •4 Параллельные и последовательные ос
- •5 Применение оос для температурной стабилизации каскада с общим эмиттером.
- •Вопросы для самопроверки
- •2 Характеристики реального и идеального оу
- •3 Особенность работы оу
- •4 Параметры оу
- •5 Классы оу
- •6 Схема включения оу.
- •Вопросы для самопроверки
- •Лекция №13 усилители (продолжение) линейные оос в операционных усилителях.
- •2 Дифференциальная схема оу.
- •2 Применение электронных ключей
- •Вопросы для самопроверки
- •Лекция № 15 схемы ключей на биполярных и полевых транзисторах.
- •1 Схемы ключей на биполярных транзисторах
- •2 Схемы ключей на полевых транзисторах.
- •Вопросы для самопроверки
- •Лекция №16 общая характеристика импульсных устройств.
- •1 Преимущества импульсного режима работы
- •2 Области применения импульсных устройств и классификация импульсов
- •3 Параметры последовательности.
- •4 Триггер Шмитта
- •Вопросы для самопроверки
- •2 Мультивибраторы на оу.
- •3 Одновибратор.
- •4 Генератор напряжения треугольной и пилообразной формы.
- •Вопросы для самопроверки
2 Входные и выходные характеристики полевых транзисторов
а)
стоко-затворная (входная); б) стоковая
(выходная)
3 Основными параметры полевых транзисторов
-крутизна характеристики S = dIc/dUзи, при Uси = const.
-дифференциальное сопротивление стока (выходное)
Rвых = dUси /dIc , при Uзи = const.
Полевые транзисторы с изолированным затвором отличаются тем, что канал в них изолирован тонким слоем диэлектрика, обычно SiO2, а p – n переход в них отсутствует. Такие полевые транзисторы часто называют МДП – транзисторами (металл-диэлектрик – полупроводник) или МОП – транзисторами (металл – оксид – полупроводник). Вольтамперные характеристики этих транзисторов в основном аналогичны характеристикам транзисторов с управляющим p – n переходом, но в тоже время изолированный затвор позволяет работать в области положительных напряжений между затвором и истоком, т.е. при Uзи > 0. В этой области расширение канала и увеличение тока стока Ic.
В качестве предельно допустимых параметров нормируются:
Uси max и Uзи max , Ic max.
4 Фототранзисторы.
Биполярный фототранзистор полупроводниковый прибор с двумя p – n переходами — предназначен для преобразования светового потока в электрический ток. Биполярный фототранзистор подобен обычному биполярному транзистору, между выводами коллектора и базы которого включен фотодиод. Таким образом, ток фотодиода оказывается током базы фототранзистора и создает усиленный в N раз ток в цепи коллектора. Если на фототранзистор подается только электрический сигнал, его параметры почти не отличаются от параметров обычного транзистора. Фототранзисторы можно включать по схемам со свободным коллектором, со свободной базой и со свободным эмиттером.
Полевые фототранзисторы аналогичны полевым транзисторам с p-n-затвором. Запирающее напряжение на p-n-переходе закрывает транзистор. Под действием освещения обратный ток затвора, как и в фотодиоде возрастает. При этом потенциал затвора возрастает и полевой фототранзистор открывается.
5 Тиристоры.
Тиристоры – двух или трёх электродные полупроводниковые приборы на основе трёх и более p-n переходов, вольтамперные характеристики которого имеют участок отрицательного динамического сопротивления.
Тиристоры бывают:
диодные, неуправляемые или динисторы;
триодные, управляемые или тринистроны, которые в свою очередь бывают управляемые по катоду и аноду.
С
имметричные диодные и триодные тиристоры называемые симисторами, которые также бывают управляемые и неуправляемые.
Вопросы для самопроверки
Что такое полевой транзистор?
Постройте входные и выходные характеристики полевых транзисторов.
Какие знаете основными параметры полевых транзисторов?
Что такое фототранзистор?
Что такое тиристор?
Лекция №9
УСИЛИТЕЛИ.
КЛАССИФИКАЦИЯ УСИЛИТЕЛЕЙ
Цель: изучить виды усилителей, их свойства, параметры, характеристики, а также организацию обратных связей в усидителях.
Задачи:
Рассмотреть понятие усилителя
Проклассифицировать усилители по ряду параметров
Проанализировать основные параметры усилителей.
Рассмотреть характеристики усилителей.
Охарактеризовать усилители на биполярных транзисторах
1 Понятие усилителя
Усилителем называется устройство, предназначенное для усиления электрических сигналов при заданном уровне искажений.
Каскадом усилителя называется активный элемент (транзистор, ИС) вместе с пассивными элементами входящими в его схемотехнику (резисторы, ёмкости, индуктивности).
2 Классификация усилителей
а) По мощности: малый — до 3 Вт;
средний — до 100 Вт;
большой — свыше 100 Вт.
б) По числу каскадов: однокаскадные;
многокаскадные.
в) По диапазону усиливаемых частот:
усилители низких частот — до 30 кГц;
усилители промежуточной частоты — до 100 кГц;
усилители высокой частоты — 10-100 МГц;
усилители СВЧ — свыше 100 МГц.
г) По функциональному назначению:
усилители постоянного тока;
усилители гармонических колебаний;
импульсные усилители;
операционные усилители.
3 Основные параметры усилителей
а) Коэффициент усиления
;
;
б) Коэффициент
полезного действия
характеризует экономичность работы
усилителя:,
где
— мощность, потребляемая усилителем
от всех источников питания.
в) Номинальное входное напряжение — необходимое входное напряжение, которое необходимо подвести ко входу усилителя для получения на выходе заданной мощности. Чем меньше величина Uвх тем больше чувствительность усилителя.
г) Полоса пропускания или динамический диапазон усилителя — это спектр частот, в пределах которого коэффициент усилителя не опускается ниже уровня К = 0,707.
В усилителях могут быть 3 вида искажений: нелинейные (амплитудные), частотные, фазовые.
4 Основные характеристики усилителей.
Амплитудной характеристикой усилителя называется зависимость выходного напряжения от входного.
Частотная характеристика усилителя — это зависимость коэффициента усиления от частоты.