Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
методические указания по контрольной работе / методические указания по микросхемотехники.doc
Скачиваний:
67
Добавлен:
12.02.2014
Размер:
6.08 Mб
Скачать

Тема 1. Элементы электронной техники

Управляемые и неуправляемые (пассигные) элементы электронной техники. Линейные и нелинейные элементы. Назначение различных видов элементов в электронной схемотехнике. Обозначения на схемах различных видов резисторов, конденсаторов, дросселей (индуктивных элементов), трансформаторов, диодов, транзисторов, тиристоров, электровакуумных и газоразрядных приборов, интегральных схем и микросхем.

Технические характеристики, основные параметры и применение в электронных устройствах резисторов, конденсаторов, индуктивных элементов (дросселей) и трансформаторов. Типизация этих элементов их классификационные обозначения, свойства и особенности различ­ных типов.

Монтажные элементы электронных устройств: печатные платы, клеммники, штепсельные разъемы, соединительные провода, жгуты, выключатели, переключатели, предохранители.

Исполнительные элементы и устройства электронных систем; электромагнитные реле, контакторы, электродвигатели, шаговые искатели записывающие, считывающие и стирающие магнитные головки, громкоговорители, электропневматические и электрогидравлические клапа­ны и переключатели.

Датчики - преобразователи неэлектрических величин в электрические: термопары, терморезисторы, резистивные тензометры, полупроводниковые чувствительные элементы температуры, давления, датчик магнитного поля.

Тема 2. Полупроводниковые приборы

Электрические свойства полупроводников с точки зрения их кристаллического строения. Собственная электропроводимость чистого полупроводника и образование двух видов примесных носителей тока электронов и дырок. Дрейфовые и диффузионные токи.

Электрические и физические свойства германия, кремния, арсенида галлия и других полупроводниковых материалов.

Электрофизические основы образования электронно-дырочных пер ходов. (р -n-переходов) и их свойства. Потенциальный барьер при прямом и обратном приложении внешнего напряжения на р -п. пере­ход. Прямой и обратный ток в р -п- переходе. Вентильные свойства р -п - перехода. Переходы металл - полупроводник: выпрямляющие и омические переходы.

Виды обратного пробоя р-n переходов: электрический, лавинный, тепловой.

Полупроводниковые диоды: устройство, классификация, статические вольт- амперные характеристики, основные параметры, области применения.

Полупроводниковые (кремниевые) стабилитроны. Их статические характеристики и основные параметры.

Туннельный эффект в р-n переходах. Туннельные диоды.

Устройство и принцип действия биполярных транзисторов р-n- р и n- р- n- структур. Особенности их как усилительных элементов. Коэффициенты передачи тока. Схемы включения транзисторов о общей базой (ОБ), общим эмиттером (ОЭ), общим коллектором (ОK). Семей­ства статических входных и выходных характеристик. Основные внут­ренние статические параметры транзисторов и система h-параметров. Типы транзисторов, их области применения. Системы маркировки.

Униполярные (полевые) транзисторы, их разновидности. Устройство и принципы действия полевых транзисторов с затвором в виде р-n-перехода и с изолированным металлическим затвором (структур МДП и МОП) со встроенным и индуцированным каналами. Их условные изобра­жения на схемах; статические стоково-затворные и стоковые характе­ристики и основные параметры.

Тиристоры и динисторы. Их устройство, принцип действия, статические характеристики и статические параметры. Принципы и области применения. Динамические параметры тиристоров: время включения и время отключения, критические скорости нарастания тока и напряже­ния. Маркировка тиристоров.

Эффект Холла в полупроводниках. Полупроводниковые датчики магнитных величин.

Выделение энергии при протекании тока через р-n-переход. Светодиоды. Полупроводниковые цифровые индикаторы.

Оптоэлектронные приборы. Принципы действия, свойства, основные параметры и графическое условное изображение на схемах диодных, транзисторных и тиристорных оптронов. Области их применения.

Полупроводниковые фотоэлектрические преобразователи, солнечные фотоэлектрические генераторы и батареи.

Микроэлектронные приборы и устройства. Основы технологии интег­ральных микросхем (ИМС). Основные виды технологий ИМС: ДТЛ, ТТЛ, МДП, МОП.