БАЛАКОВСКИЙ ИНСТИТУТ ТЕХНИКИ, ТЕХНОЛОГИИ И УПРАВЛЕНИЯ

ФАКУЛЬТЕТ ИНЖЕНЕРНО-СТРОИТЕЛЬНЫЙ

КАФЕДРА УПРАВЛЕНИЕ И ИНФОРМАТИКА В ТЕХНИЧЕСКИХ СИСТЕМАХ

Лабораторная работа №2

по дисциплине

Электроника

Выполнили ст. гр. УИТ-21

Принял преподаватель

_____

“_____” ___________2002

2002

Цель работы: исследование статических входных и выходных вольт-амперных характеристик биполярного транзистора, расчет на их основе характеристик h-параметров. Расчет однокаскадного усилителя.

Биполярный транзистор – это полупроводниковый прибор с двумя взаимодействующими переходами и тремя или более выводами, усилительные свойства которого обусловлены явлениями инжекции и экстракции неосновных носителей заряда. Особенность транзистора состоит в том, что между его электронно-дырочными переходами существует взаимодействие – ток одного из переходов может управлять током другого.

Задана схема:

При проведении опыта был использован германиевый транзистор с p–n–p-переходом типа МП 26А. С основными характеристиками:

Режим измерения h параметров напряжение коллектора ток коллектора входное сопротивление емкость коллекторного перехода	20 В 2.5 мА 25 Ом 50 пФ
Обратный ток эмиттера UЭБ	75/70 В*мА
Обратный ток коллектора UКБ	60/35 В*мкА
h11 Б h21 З h12 Б h22 Б	25 Ом 20 …40 4*10-3 3.5 мкСм

Задание №1. Построение вольт-амперных характеристик

Входные вольт-амперные характеристики

Выходные вольт-амперные характеристики

Задание №2. Определение h-параметров.

Задание №3.Расчет УНЧ.

I_A

I_B

I_C

При построении использовалось: h₁₁=610 Ом; h₂₁=34.6; h₂₂=0.1537 мСм; U_ИП=10 В

, если предположить что k_U=35, то R_H=610*35/34.6=6170. Значит I_K=

=U_ИП/R_H=10/617=16.2 мА

На данном графике соответствующие точки находятся по точкам предыдущего графика (I_A=73 mkA, U_A=8.2 mB; I_B=23 mkA, U_B=9.4 mB; I_C=8 mkA, U_C=9.8 mB).

I_Д=2~6 I_Бс; I_Бс=39 мкА; I_Д=4*39=156 мкА; U_БЭс=0.138 В; R₁=R-R₂

R=U_ИП/I_д=10 В/156 мкА=64.1 кОм

R₂=U_БЭс/I_Д=0.138 В/156 мкА=0.885 кОм

R₁=64.1-0.885=6.32 кОм

Вывод: проведя ряд практических исследований с биполярным транзистором, мы смогли построить входные и выходные вольт-амперные характеристики. На основе полученных данных мы получили соответствующие h- параметры, которые близки по значению к научно полученным параметрам для данного типа транзистора. Используя те же данные, мы рассчитали и графически построили коэффициент усиления этого транзистора.

9