лабораторные работы / Полевой транзистор (6-

инжектирован­ных носителей доходит до коллекторного перехода, изменяя его ток. Основной носитель, введенный в базу, либо может исчезнуть вследствие рекомбинации, либо инжектироваться в эмиттер. Как указывалось, в транзисторе приняты меры, чтобы вероятность это­го была мала, и на один основной носитель, вошедший в базу, при­ходится много неосновных носителей, прошедших от эмиттера до коллектора. В этом и заключается усиление по току в схеме с об­щим эмиттером. Усиление по мощности в данном случае объясня­ется аналогично усилению в схеме с общей базой.

В схеме с общим коллектором выходной цепью является эмиттерная. В связи с тем, что ток эмиттера почти равен теку коллек­тора, здесь тоже имеет место усиление по току и по мощности.

Резким насыщения. При работе транзистора в режиме насыщения (рис. 2.4,6) в прямом направлении включен не только эмиттерный, но и коллекторный переход. Это приводит к тому, что из базы в коллектор происходит инжекция и не все носители, иижектированные эмиттером и дошедшие до коллекторного перехода перехватываются им. Условно можно считать, что навстречу потоку неосновных носителей, идущих из базы в коллектор, идет поток таких же носителей из коллектора в базу, и суммарный.их ток определяется разностью этих потоков.

В связи с тем, что в режиме насыщения коллекторный переход уже не осуществляет полной экстракции носителей из базы, там происходит их накопление и интенсивная рекомбинация. Процесс рекомбинации инжектированных носителей происходит и в области коллектора.

В режиме насыщения соотношения (2.5) и (2.6) не выполняются, ток базы может оказаться сравнимым с током эмиттера.

Режим отсечки. Если на обоих переходах транзистора напряже­ние обратное, через них идут токи, обусловленные процессами тепловой генерации носителей в объеме полупроводника, областях |объемного заряда и на невыпрямляющих контактах, а также утечками. При достаточно больших напряжениях происходит лавинное умножение.