
- •210308 – Техническое обслуживание и ремонт
- •Энергетическая диаграмма твердого тела
- •Энергетическая диаграмма твердого тела выглядит:
- •Ширина запрещенной зоны влияет на электропроводность:
- •2 Внутреннее строение полупроводников
- •2.1 Примесная проводимость полупроводника
- •2.1.1 Донорная (электронная) проводимость
- •2.1.2 Акцепторная (дырочная) проводимость
- •2.2.2 Диффузионный ток
- •3 Контактные явления
- •3.1.1Симметричный p-n переход в равновесном состоянии
- •3.1.2.Обратное включение p-n перехода
- •3.1.3 Прямое включение p-n перехода
- •3.1.4 Вольт-амперная характеристика перехода Выпрямляющий и омический контакты
- •3.2 Емкости p-n перехода
- •3.2.1 Барьерная емкость
- •3.2.2 Диффузионная емкость
- •3.3 Пробой p-n перехода
- •Обратная ветвь вах при пробое:
- •Виды пробоев:
- •3.3.1 Тепловой пробой
- •3.3.2 Электрический пробой
- •А) Лавинный пробой
- •Б) Туннельный пробой
- •Механизм туннельного пробоя:
- •4 Внутренний и внешний фотоэффект
- •4.1 Внутренний фотоэффект
- •4.2 Внешний фотоэффект
- •5.2 Выпрямительный диод
- •Механизм сглаживания пульсаций:
- •5.3 Стабилитрон
- •Применение стабилитронов:
- •5.4 Буквенно-цифровое обозначение стабилитронов бцо стабилитронов состоит из четырех элементов:
- •Пример1: кс182а
- •Пример2: 2с620а
- •5.5 Варикап
- •Принцип работы схемы:
- •Применение варикапа:
- •5.6 Импульсный диод
- •Пример: 2д503а
- •Причины инерционности:
- •Способы уменьшения инерционности импульсного диода (повышение быстродействия)
- •Р hν ассмотрим фотодиодный режим:
- •6.2 Особенности лазерного излучения
- •6.3 Лазеры на гетероструктурах
- •Применение гетеропереходов:
- •6.4 Применение лазеров
- •7 Транзисторы
- •7.1.Биполярные транзисторы
- •Обозначение:
- •7.1.1 Назначение областей транзистора
- •7.1.2 Режимы работы транзистора
- •7.1.3 Буквенно- цифровое обозначение транзисторов бцо транзисторов состоит из четырех элементов:
- •7.1.4 Принцип работы транзистора
- •7.1.5 Основные коэффициенты, характеризующие работу транзистора
- •Выходные характеристики транзистора об
- •Статические вах транзистора оэ
- •Входные характеристики транзистора оэ
- •7.1.9 Динамический режим работы транзистора
- •7.1.10 Первичные параметры транзистора
- •Примечание:
- •7.1.12 Частотные свойства биполярных транзисторов
- •Граничные частоты транзисторов:
- •Способы уменьшения времени пролета нз через базу
- •Время пролета уменьшают:
- •7.2 Полевые транзисторы
- •Полевой транзистор содержит 3 электрода:
- •Полевые транзисторы бывают:
- •7.2.1 Полевой транзистор с p-n затвором
- •Обозначение:
- •Принцип действия полевого транзистора
- •Влияние напряжения на сечение канала
- •Выходные (стоковые) характеристики
- •Стоковые (выходные) характеристики
- •Стоко-затворные (передаточные) характеристики
- •Обозначение:
- •Достоинства:
- •Недостатки:
- •8 Тиристоры
- •8.1 Динисторы
- •Обозначение:
- •Вах динистора
- •8.2 Тринисторы
- •Пример: ку 201а, ку 202а
- •Вах тринистора
- •9 Электронные лампы
- •9.1 Диод
- •9.2 Триод
- •Анодные (выходные) характеристики триода
- •Анодно-сеточные (передаточные) характеристики триода
- •9.3 Тетрод
- •9.4 Пентод
- •Анодные (выходные) характеристики пентода
- •Анодно-сеточные характеристики пентода (в режиме перехвата)
- •Электростатическая отклоняющая система
- •Трубки с магнитным управлением
Анодно-сеточные (передаточные) характеристики триода
при
Iа
Iаmax
Uа=200В
Uс
Uсзап о
а)
В
этом случае
,
поэтому
,
т.е. передаточная характеристика
описывается законом степени трех вторых:
Тормозящее поле сетки отсутствует, следовательно
-
С появлением отрицательного напряжения сетки возникает потенциальный барьер вблизи катода (тормозящее поле), поэтому меньшее число электронов достигает анода, т.е.
уменьшается.
-
При некотором значении
тормозящее поле сетки превысит ускоряющее поле лампы, и лампа запрется (
).
б)
При
появляется
сеточный ток,
поэтому рост
анодного тока
замедляется
(передаточная характеристика идет
более полого).
Обычно с большим положительным сеточным напряжением работают генераторные и импульсные лампы, в усилительных лампах сеточное напряжение отрицательно.
9.3 Тетрод
Триоды
имеют ряд недостатков. У них малы
внутреннее сопротивление переменному
току
и статический коэффициент усиления .
Кроме того, они обладают значительной
проходной емкостью
,
реактивное сопротивление которой в
области ВЧ становится малым, что является
причиной возникновения паразитной
обратной связи, в результате чего часть
мощности выходного сигнала поступает
на вход лампы, что снижает коэффициент
усиления и может привести к самовозбуждению
усилителя.
Эти недостатки устраняются за счет введения в лампу экранирующей сетки между анодом и управляющей сеткой.
Экранирующая сетка (С2) выполняет роль электростатического экрана. По переменному току она через большую емкость соединяется с корпусом, в результате чего суммарная емкость между анодом и управляющей сеткой значительно уменьшается.
В
тетродах емкость
примерно в 100 раз меньше емкости
в триоде. Чем гуще экранирующая сетка,
тем эффективнее ее экранирующее действие,
но она не должна препятствовать
прохождению электронов к аноду лампы.
Экранирующая
сетка значительно ослабляет воздействие
анодного поля на потенциальный барьер
вблизи катода, тем самым уменьшая
проницаемость лампы
,
а следовательно увеличивая статический
коэффициент усиления
и внутреннее сопротивление
.
Обычно на экранирующую сетку подается положительное напряжение, соизмеримое с анодным напряжением.
Таким образом, тетрод является более высокочастотной лампой, чем триод, обладает большим усилением.
-
Недостатком тетрода является наличие динатронного эффекта. Динатронный эффект возникает при малых напряжениях на аноде (
) и заключается в образовании потока вторичных электронов с анода на экранирующую сетку, в результате чего анодный ток тетрода уменьшается, а ток экранирующей сетки увеличивается.