
- •210308 – Техническое обслуживание и ремонт
- •Энергетическая диаграмма твердого тела
- •Энергетическая диаграмма твердого тела выглядит:
- •Ширина запрещенной зоны влияет на электропроводность:
- •2 Внутреннее строение полупроводников
- •2.1 Примесная проводимость полупроводника
- •2.1.1 Донорная (электронная) проводимость
- •2.1.2 Акцепторная (дырочная) проводимость
- •2.2.2 Диффузионный ток
- •3 Контактные явления
- •3.1.1Симметричный p-n переход в равновесном состоянии
- •3.1.2.Обратное включение p-n перехода
- •3.1.3 Прямое включение p-n перехода
- •3.1.4 Вольт-амперная характеристика перехода Выпрямляющий и омический контакты
- •3.2 Емкости p-n перехода
- •3.2.1 Барьерная емкость
- •3.2.2 Диффузионная емкость
- •3.3 Пробой p-n перехода
- •Обратная ветвь вах при пробое:
- •Виды пробоев:
- •3.3.1 Тепловой пробой
- •3.3.2 Электрический пробой
- •А) Лавинный пробой
- •Б) Туннельный пробой
- •Механизм туннельного пробоя:
- •4 Внутренний и внешний фотоэффект
- •4.1 Внутренний фотоэффект
- •4.2 Внешний фотоэффект
- •5.2 Выпрямительный диод
- •Механизм сглаживания пульсаций:
- •5.3 Стабилитрон
- •Применение стабилитронов:
- •5.4 Буквенно-цифровое обозначение стабилитронов бцо стабилитронов состоит из четырех элементов:
- •Пример1: кс182а
- •Пример2: 2с620а
- •5.5 Варикап
- •Принцип работы схемы:
- •Применение варикапа:
- •5.6 Импульсный диод
- •Пример: 2д503а
- •Причины инерционности:
- •Способы уменьшения инерционности импульсного диода (повышение быстродействия)
- •Р hν ассмотрим фотодиодный режим:
- •6.2 Особенности лазерного излучения
- •6.3 Лазеры на гетероструктурах
- •Применение гетеропереходов:
- •6.4 Применение лазеров
- •7 Транзисторы
- •7.1.Биполярные транзисторы
- •Обозначение:
- •7.1.1 Назначение областей транзистора
- •7.1.2 Режимы работы транзистора
- •7.1.3 Буквенно- цифровое обозначение транзисторов бцо транзисторов состоит из четырех элементов:
- •7.1.4 Принцип работы транзистора
- •7.1.5 Основные коэффициенты, характеризующие работу транзистора
- •Выходные характеристики транзистора об
- •Статические вах транзистора оэ
- •Входные характеристики транзистора оэ
- •7.1.9 Динамический режим работы транзистора
- •7.1.10 Первичные параметры транзистора
- •Примечание:
- •7.1.12 Частотные свойства биполярных транзисторов
- •Граничные частоты транзисторов:
- •Способы уменьшения времени пролета нз через базу
- •Время пролета уменьшают:
- •7.2 Полевые транзисторы
- •Полевой транзистор содержит 3 электрода:
- •Полевые транзисторы бывают:
- •7.2.1 Полевой транзистор с p-n затвором
- •Обозначение:
- •Принцип действия полевого транзистора
- •Влияние напряжения на сечение канала
- •Выходные (стоковые) характеристики
- •Стоковые (выходные) характеристики
- •Стоко-затворные (передаточные) характеристики
- •Обозначение:
- •Достоинства:
- •Недостатки:
- •8 Тиристоры
- •8.1 Динисторы
- •Обозначение:
- •Вах динистора
- •8.2 Тринисторы
- •Пример: ку 201а, ку 202а
- •Вах тринистора
- •9 Электронные лампы
- •9.1 Диод
- •9.2 Триод
- •Анодные (выходные) характеристики триода
- •Анодно-сеточные (передаточные) характеристики триода
- •9.3 Тетрод
- •9.4 Пентод
- •Анодные (выходные) характеристики пентода
- •Анодно-сеточные характеристики пентода (в режиме перехвата)
- •Электростатическая отклоняющая система
- •Трубки с магнитным управлением
7.2 Полевые транзисторы
Полевые транзисторы – это полупроводниковые приборы с управляемым каналом для тока ОНЗ.
Полевой транзистор содержит 3 электрода:
-
Исток – электрод, через который в канал втекают НЗ, создающие ток канала;
-
Сток – электорд, через который НЗ вытекают из канала;
-
Затвор – управляющий электрод, регулирующий поток НЗ в канале.
Полевой транзистор относится к однополярным транзисторам, т.к. в нем используется движение НЗ только одного знака (через канал движутся либо электроны, либо дырки).
НЗ
в полевом транзисторе движутся от Истока
к Стоку через канал под действием
продольного
электрического поля, создаваемого
напряжением
.
Затвор
управляет величиной тока канала с
помощью поперечного
электрического поля, создаваемого
напряжением
.
Наличие этих 2-х полей объясняет название “полевой транзистор”.
Полевые транзисторы бывают:
Полевые
транзисторы
С
управляющим p-n
переходом (с
p-n
затвором) С
изолированным затвором (МОП
– транзисторы)
металл
оксид полупроводник
С
наведенным каналом Со
встроенным каналом
7.2.1 Полевой транзистор с p-n затвором
L
– длина канала; d
– толщина канала
На кремниевой подложке p+-типа создается тонкий слой n-типа, выполняющий функцию канала. Канал – слаболегированная область. На концах канала создают сильнолегированные (низкоомные) n+-области Истока и Стока. Эти области делают низкоомными, чтобы уменьшить потери полезного сигнала (на малом сопротивлении будет и малое падение полезного напряжения). Область Затвора (p+-область) также является сильнолегированной. Подложка используется как второй Затвор или подключается к Затвору.
Рассмотренный полевой транзистор имеет n-канал, существуют транзисторы с p-каналом.
Обозначение:
Принцип действия полевого транзистора
с n-каналом
На
Сток подается положительный потенциал
относительно Истока. Считаем, что
. Под действием этого напряжения ОНЗ
(электроны) движутся от Истока к Стоку,
образуя ток канала
.
Для
эффективной работы транзистора p-n
переходы,
с помощью которых происходит управление
этим током, должны
быть смещены в обратном направлении.
При подключении к переходам обратного
напряжения
(минус
на Затворе, плюс на Истоке) переходы
расширяются, следовательно, канал
сужается, и ток канала уменьшается.
Таким
образом, изменяя напряжение на Затворе
,
можно управлять током канала.
При
определенном напряжении
произойдет смыкание переходов, и ток
канала станет равным нулю – транзистор
запирается.
Характерным
для полевого транзистора является очень
малый ток в цепи Затвора (Затвор образует
с каналом обратно смещенный переход,
обладающий большим сопротивлением). В
электрических схемах Затвор обычно
является входным электродом, поэтому
полевой
транзистор обладает высоким входным
сопротивлением:
–
достоинство.
Влияние напряжения на сечение канала
Пусть
(поперечное поле отсутствует), а напряжение
(меняется).
С
ростом напряжения
растет продольное поле, бо́льшее число
зарядов протекает через канал, т.е. ток
канала увеличивается. Этот ток создает
на омическом сопротивлении канала
падение напряжения
,
которое растет по мере удаления от
Истока, т.к. растет омическое сопротивление
канала:
Х
Исток Сток
Суммарное
напряжение канала
является обратным для переходов (плюс
подается на n-область),
поэтому переходы расширяются, но не
равномерно: вблизи Истока они расширяются
меньше, чем вблизи Стока (из-за линейного
распределения напряжения
вдоль канала).
При
некотором значении
канал вблизи Стока перекрывается:
Исток
n-канал
Сток
Дальнейшее
повышение напряжения
приводит к увеличению зоны перекрытия.
Ток канала прекращает расти – наступает
режим
насыщения
(рабочий режим полевого транзистора).
Почему
при перекрытии канала
,
а не уменьшается до нуля?
Поскольку
напряжение
растет по мере удаления от Истока, то
потенциал в области перекрытия будет
больше потенциала канала (
).
Возникшая разность потенциалов вызовет
появление внутреннего поля, направленного
от бо́льшего потенциала к меньшему. Это
поле является ускоряющим для электронов,
поэтому электроны, подойдя к области
перекрытия
переходов,
перебрасываются полем в область Стока.
Таким образом, несмотря на то, что канал
перекрыт, движение НЗ продолжается,
т.е.
.
Исток
Сток
ЕВН
ВАХ полевого транзистора с p-n затвором
(n-канал)