
- •210308 – Техническое обслуживание и ремонт
- •Энергетическая диаграмма твердого тела
- •Энергетическая диаграмма твердого тела выглядит:
- •Ширина запрещенной зоны влияет на электропроводность:
- •2 Внутреннее строение полупроводников
- •2.1 Примесная проводимость полупроводника
- •2.1.1 Донорная (электронная) проводимость
- •2.1.2 Акцепторная (дырочная) проводимость
- •2.2.2 Диффузионный ток
- •3 Контактные явления
- •3.1.1Симметричный p-n переход в равновесном состоянии
- •3.1.2.Обратное включение p-n перехода
- •3.1.3 Прямое включение p-n перехода
- •3.1.4 Вольт-амперная характеристика перехода Выпрямляющий и омический контакты
- •3.2 Емкости p-n перехода
- •3.2.1 Барьерная емкость
- •3.2.2 Диффузионная емкость
- •3.3 Пробой p-n перехода
- •Обратная ветвь вах при пробое:
- •Виды пробоев:
- •3.3.1 Тепловой пробой
- •3.3.2 Электрический пробой
- •А) Лавинный пробой
- •Б) Туннельный пробой
- •Механизм туннельного пробоя:
- •4 Внутренний и внешний фотоэффект
- •4.1 Внутренний фотоэффект
- •4.2 Внешний фотоэффект
- •5.2 Выпрямительный диод
- •Механизм сглаживания пульсаций:
- •5.3 Стабилитрон
- •Применение стабилитронов:
- •5.4 Буквенно-цифровое обозначение стабилитронов бцо стабилитронов состоит из четырех элементов:
- •Пример1: кс182а
- •Пример2: 2с620а
- •5.5 Варикап
- •Принцип работы схемы:
- •Применение варикапа:
- •5.6 Импульсный диод
- •Пример: 2д503а
- •Причины инерционности:
- •Способы уменьшения инерционности импульсного диода (повышение быстродействия)
- •Р hν ассмотрим фотодиодный режим:
- •6.2 Особенности лазерного излучения
- •6.3 Лазеры на гетероструктурах
- •Применение гетеропереходов:
- •6.4 Применение лазеров
- •7 Транзисторы
- •7.1.Биполярные транзисторы
- •Обозначение:
- •7.1.1 Назначение областей транзистора
- •7.1.2 Режимы работы транзистора
- •7.1.3 Буквенно- цифровое обозначение транзисторов бцо транзисторов состоит из четырех элементов:
- •7.1.4 Принцип работы транзистора
- •7.1.5 Основные коэффициенты, характеризующие работу транзистора
- •Выходные характеристики транзистора об
- •Статические вах транзистора оэ
- •Входные характеристики транзистора оэ
- •7.1.9 Динамический режим работы транзистора
- •7.1.10 Первичные параметры транзистора
- •Примечание:
- •7.1.12 Частотные свойства биполярных транзисторов
- •Граничные частоты транзисторов:
- •Способы уменьшения времени пролета нз через базу
- •Время пролета уменьшают:
- •7.2 Полевые транзисторы
- •Полевой транзистор содержит 3 электрода:
- •Полевые транзисторы бывают:
- •7.2.1 Полевой транзистор с p-n затвором
- •Обозначение:
- •Принцип действия полевого транзистора
- •Влияние напряжения на сечение канала
- •Выходные (стоковые) характеристики
- •Стоковые (выходные) характеристики
- •Стоко-затворные (передаточные) характеристики
- •Обозначение:
- •Достоинства:
- •Недостатки:
- •8 Тиристоры
- •8.1 Динисторы
- •Обозначение:
- •Вах динистора
- •8.2 Тринисторы
- •Пример: ку 201а, ку 202а
- •Вах тринистора
- •9 Электронные лампы
- •9.1 Диод
- •9.2 Триод
- •Анодные (выходные) характеристики триода
- •Анодно-сеточные (передаточные) характеристики триода
- •9.3 Тетрод
- •9.4 Пентод
- •Анодные (выходные) характеристики пентода
- •Анодно-сеточные характеристики пентода (в режиме перехвата)
- •Электростатическая отклоняющая система
- •Трубки с магнитным управлением
7.1.4 Принцип работы транзистора
p ЭП n КП p
IЭР
IКР
Э
К
IЭ
IЭn
IРЕК
IКБО
IК
ЕВН
IЭ
Б
IК
IБ
ЕВНЕШН
+
IБ
+
UПР
UОБР
Пусть транзистор находится в активном (рабочем) режиме, т.е. на ЭП подано прямое напряжение, а на КП – обратное.
При этом возникает инжекция дырок из эмиттера в базу, в обратном направлении будет происходить инжекция электронов. Ток, проходящий через ЭП, равен сумме дырочной и электронной составляющих:
Т.к.
концентрация ОНЗ в эмиттере много больше
концентрации ОНЗ в базе, то инжекция
дырок будет преобладать над инжекцией
электронов, т.е.
.
Пришедшие
в базу дырки начинают рекомбинировать
с электронами.
Но рекомбинация
– процесс не мгновенный. Поэтому бо́льшая
часть дырок успевает пройти через тонкий
слой базы и достигнуть КП.
Суммарное
поле КП ()
является ускоряющим для дырок, поэтому
дырки перебрасываются этим полем через
КП
(происходит экстракция ННЗ) и участвуют
в образовании дырочной составляющей
коллекторного тока
(управляемая
часть коллекторного тока). Т.к.
КП находится под обратным напряжением,
через него протекает еще один ток –
неуправляемый тепловой
ток
коллекторного перехода
.
Суммарный ток коллектора равен:
Т.к.
тепловой ток мал, то
.
Те
дырки, которые всё же успевают
прорекомбинировать с электронами в
базе, участвуют в создании тока
рекомбинации
.
Таким образом, суммарный ток базы равен:
Все составляющие этого тока малы, следовательно, ток базы также мал.
Рекомбинация
в базе + инжекция электронов из базы в
эмиттер нарушают электрическую
нейтральность базы (база приобретает
положительный заряд). Для восстановления
электрической нейтральности базы от
внешнего источника питания ()
в базу поступают электроны. Т.к. ток
всегда направлен в сторону, противоположную
движению электронов, токи
и
имеют направление сверху вниз,
следовательно, ток базы
имеет
такое же направление.
Пришедшие
в эмиттер из базы электроны и ушедшие
из эмиттера дырки нарушают электрическую
нейтральность эмиттера (эмиттер
приобретает отрицательный заряд). Для
восстановления нейтральности эмиттера
избыточные электроны уходят из эмиттера
к внешнему источнику питания (),
т.е. во внешней эмиттерной цепи протекает
ток
снизу вверх.
Пришедшие
в коллектор дырки нарушают его
электрическую нейтральность(коллектор
приобретает положительный заряд). Для
восстановления электрической нейтральности
в коллектор поступают электроны от
внешнего источника питания (),
т.е. во внешней коллекторной цепи
протекает ток
сверху вниз.