- •210308 – Техническое обслуживание и ремонт
- •Энергетическая диаграмма твердого тела
- •Энергетическая диаграмма твердого тела выглядит:
- •Ширина запрещенной зоны влияет на электропроводность:
- •2 Внутреннее строение полупроводников
- •2.1 Примесная проводимость полупроводника
- •2.1.1 Донорная (электронная) проводимость
- •2.1.2 Акцепторная (дырочная) проводимость
- •2.2.2 Диффузионный ток
- •3 Контактные явления
- •3.1.1Симметричный p-n переход в равновесном состоянии
- •3.1.2.Обратное включение p-n перехода
- •3.1.3 Прямое включение p-n перехода
- •3.1.4 Вольт-амперная характеристика перехода Выпрямляющий и омический контакты
- •3.2 Емкости p-n перехода
- •3.2.1 Барьерная емкость
- •3.2.2 Диффузионная емкость
- •3.3 Пробой p-n перехода
- •Обратная ветвь вах при пробое:
- •Виды пробоев:
- •3.3.1 Тепловой пробой
- •3.3.2 Электрический пробой
- •А) Лавинный пробой
- •Б) Туннельный пробой
- •Механизм туннельного пробоя:
- •4 Внутренний и внешний фотоэффект
- •4.1 Внутренний фотоэффект
- •4.2 Внешний фотоэффект
- •5.2 Выпрямительный диод
- •Механизм сглаживания пульсаций:
- •5.3 Стабилитрон
- •Применение стабилитронов:
- •5.4 Буквенно-цифровое обозначение стабилитронов бцо стабилитронов состоит из четырех элементов:
- •Пример1: кс182а
- •Пример2: 2с620а
- •5.5 Варикап
- •Принцип работы схемы:
- •Применение варикапа:
- •5.6 Импульсный диод
- •Пример: 2д503а
- •Причины инерционности:
- •Способы уменьшения инерционности импульсного диода (повышение быстродействия)
- •Р hν ассмотрим фотодиодный режим:
- •6.2 Особенности лазерного излучения
- •6.3 Лазеры на гетероструктурах
- •Применение гетеропереходов:
- •6.4 Применение лазеров
- •7 Транзисторы
- •7.1.Биполярные транзисторы
- •Обозначение:
- •7.1.1 Назначение областей транзистора
- •7.1.2 Режимы работы транзистора
- •7.1.3 Буквенно- цифровое обозначение транзисторов бцо транзисторов состоит из четырех элементов:
- •7.1.4 Принцип работы транзистора
- •7.1.5 Основные коэффициенты, характеризующие работу транзистора
- •Выходные характеристики транзистора об
- •Статические вах транзистора оэ
- •Входные характеристики транзистора оэ
- •7.1.9 Динамический режим работы транзистора
- •7.1.10 Первичные параметры транзистора
- •Примечание:
- •7.1.12 Частотные свойства биполярных транзисторов
- •Граничные частоты транзисторов:
- •Способы уменьшения времени пролета нз через базу
- •Время пролета уменьшают:
- •7.2 Полевые транзисторы
- •Полевой транзистор содержит 3 электрода:
- •Полевые транзисторы бывают:
- •7.2.1 Полевой транзистор с p-n затвором
- •Обозначение:
- •Принцип действия полевого транзистора
- •Влияние напряжения на сечение канала
- •Выходные (стоковые) характеристики
- •Стоковые (выходные) характеристики
- •Стоко-затворные (передаточные) характеристики
- •Обозначение:
- •Достоинства:
- •Недостатки:
- •8 Тиристоры
- •8.1 Динисторы
- •Обозначение:
- •Вах динистора
- •8.2 Тринисторы
- •Пример: ку 201а, ку 202а
- •Вах тринистора
- •9 Электронные лампы
- •9.1 Диод
- •9.2 Триод
- •Анодные (выходные) характеристики триода
- •Анодно-сеточные (передаточные) характеристики триода
- •9.3 Тетрод
- •9.4 Пентод
- •Анодные (выходные) характеристики пентода
- •Анодно-сеточные характеристики пентода (в режиме перехвата)
- •Электростатическая отклоняющая система
- •Трубки с магнитным управлением
5.2 Выпрямительный диод
Выпрямительные диоды делятся на низкочастотные мощные (силовые) и высокочастотные маломощные.
Их назначение – преобразование переменного напряжения в постоянное.
Работа выпрямительного диода основана на его односторонней проводимости.
Схема однополупериодного выпрямителя
Трансформатор служит для понижения входного напряжения до значения . U2
0 + t
Т
IД
0 t
UВЫХ
заряд
разряд
0 t
При положительной полуволне напряжения диод находится под прямым напряжением, сопротивление диода мало, через него протекает ток , который создает на нагрузке падение напряжения (закон Ома). При отрицательной полуволне напряжения диод находится под обратным напряжением, его сопротивление велико, через диод протекает небольшой тепловой ток, которым можно пренебречь, т.е. считать его равным 0. При этом и падение напряжения на нагрузке будет .
Таким образом, через диод и нагрузку протекает пульсирующий ток (то он есть, то его нет), длительность импульсов которого равна половине периода входного сигнала (), поэтому схема называется однополупериодной. Этот ток является выпрямленным, т.к. не меняет знак – всегда положителен.
Для сглаживания пульсаций параллельно сопротивлению нагрузки подключают блокировочный конденсатор .
Механизм сглаживания пульсаций:
При положительной полуволне конденсатор быстро заряжается через малое сопротивление открытого диода.
При отрицательной полуволне конденсатор медленно разряжается через относительно большое сопротивление нагрузки.
В результате выходное напряжение приближается к постоянному напряжению.
Чем больше емкость блокировочного конденсатора и чем больше сопротивление нагрузки, тем меньше пульсации.
Емкость блокировочного конденсатора выбирается из условия: реактивное сопротивление конденсатора должно быть много меньше сопротивления нагрузки, т.е. .
В электронной технике понятие «много» означает на порядок, поэтому данное неравенство можно переписать: .
Учитывая, что , получим: .
Отсюда выражаем или
, где
Таким образом, зная частоту входного сигнала и сопротивление нагрузки, легко определить емкость блокировочного конденсатора.
Конденсатор пропускает переменный ток и не пропускает постоянный.
Докажем это. Для постоянного тока , следовательно, реактивное сопротивление конденсатора в этом случае будет стремиться к бесконечности (вытекает из выражения 5), а через бесконечно большое сопротивление ток протекать не может.