- •210308 – Техническое обслуживание и ремонт
- •Энергетическая диаграмма твердого тела
- •Энергетическая диаграмма твердого тела выглядит:
- •Ширина запрещенной зоны влияет на электропроводность:
- •2 Внутреннее строение полупроводников
- •2.1 Примесная проводимость полупроводника
- •2.1.1 Донорная (электронная) проводимость
- •2.1.2 Акцепторная (дырочная) проводимость
- •2.2.2 Диффузионный ток
- •3 Контактные явления
- •3.1.1Симметричный p-n переход в равновесном состоянии
- •3.1.2.Обратное включение p-n перехода
- •3.1.3 Прямое включение p-n перехода
- •3.1.4 Вольт-амперная характеристика перехода Выпрямляющий и омический контакты
- •3.2 Емкости p-n перехода
- •3.2.1 Барьерная емкость
- •3.2.2 Диффузионная емкость
- •3.3 Пробой p-n перехода
- •Обратная ветвь вах при пробое:
- •Виды пробоев:
- •3.3.1 Тепловой пробой
- •3.3.2 Электрический пробой
- •А) Лавинный пробой
- •Б) Туннельный пробой
- •Механизм туннельного пробоя:
- •4 Внутренний и внешний фотоэффект
- •4.1 Внутренний фотоэффект
- •4.2 Внешний фотоэффект
- •5.2 Выпрямительный диод
- •Механизм сглаживания пульсаций:
- •5.3 Стабилитрон
- •Применение стабилитронов:
- •5.4 Буквенно-цифровое обозначение стабилитронов бцо стабилитронов состоит из четырех элементов:
- •Пример1: кс182а
- •Пример2: 2с620а
- •5.5 Варикап
- •Принцип работы схемы:
- •Применение варикапа:
- •5.6 Импульсный диод
- •Пример: 2д503а
- •Причины инерционности:
- •Способы уменьшения инерционности импульсного диода (повышение быстродействия)
- •Р hν ассмотрим фотодиодный режим:
- •6.2 Особенности лазерного излучения
- •6.3 Лазеры на гетероструктурах
- •Применение гетеропереходов:
- •6.4 Применение лазеров
- •7 Транзисторы
- •7.1.Биполярные транзисторы
- •Обозначение:
- •7.1.1 Назначение областей транзистора
- •7.1.2 Режимы работы транзистора
- •7.1.3 Буквенно- цифровое обозначение транзисторов бцо транзисторов состоит из четырех элементов:
- •7.1.4 Принцип работы транзистора
- •7.1.5 Основные коэффициенты, характеризующие работу транзистора
- •Выходные характеристики транзистора об
- •Статические вах транзистора оэ
- •Входные характеристики транзистора оэ
- •7.1.9 Динамический режим работы транзистора
- •7.1.10 Первичные параметры транзистора
- •Примечание:
- •7.1.12 Частотные свойства биполярных транзисторов
- •Граничные частоты транзисторов:
- •Способы уменьшения времени пролета нз через базу
- •Время пролета уменьшают:
- •7.2 Полевые транзисторы
- •Полевой транзистор содержит 3 электрода:
- •Полевые транзисторы бывают:
- •7.2.1 Полевой транзистор с p-n затвором
- •Обозначение:
- •Принцип действия полевого транзистора
- •Влияние напряжения на сечение канала
- •Выходные (стоковые) характеристики
- •Стоковые (выходные) характеристики
- •Стоко-затворные (передаточные) характеристики
- •Обозначение:
- •Достоинства:
- •Недостатки:
- •8 Тиристоры
- •8.1 Динисторы
- •Обозначение:
- •Вах динистора
- •8.2 Тринисторы
- •Пример: ку 201а, ку 202а
- •Вах тринистора
- •9 Электронные лампы
- •9.1 Диод
- •9.2 Триод
- •Анодные (выходные) характеристики триода
- •Анодно-сеточные (передаточные) характеристики триода
- •9.3 Тетрод
- •9.4 Пентод
- •Анодные (выходные) характеристики пентода
- •Анодно-сеточные характеристики пентода (в режиме перехвата)
- •Электростатическая отклоняющая система
- •Трубки с магнитным управлением
Конспект лекций
по дисциплине
«Электронная техника»
(1семестр)
Специальности: 210306 – Радиоаппаратостроение
210308 – Техническое обслуживание и ремонт
радиоэлектронной техники (по отраслям)
1 Основы зонной теории
Классификация твердых тел по проводимости
Все вещества состоят из атомов. Атом, в свою очередь, состоит из более мелких частиц: протонов, электронов, нейтронов.
Протоны имеют положительный электрический заряд, электроны – отрицательный, нейтроны – электрически нейтральны (их заряд равен нулю).
Протоны и нейтроны образуют ядро атома, вокруг которого по определенным орбитам вращаются электроны.
Атом является электрически нейтральным (положительный заряд ядра нейтрализуется отрицательными зарядами электронов).
Каждой орбите соответствует определенная энергия: потенциальная и кинетическая. Потенциальная – за счет нахождения электрона на некотором расстоянии от ядра, кинетическая – за счет движения электрона.
На орбите электрон удерживается за счет силы притяжения к ядру. Чтобы удалить электрон от ядра, необходимо преодолеть их взаимное притяжение, т.е. затратить некоторую энергию. Поэтому электроны, находящиеся на внешних (более удаленных) орбитах, обладают большей энергией, чем электроны, находящиеся на внутренних орбитах.
, где - энергия
Электроны, находящиеся на внешних орбитах атомов, называются валентными.
Они определяют химическую активность вещества – валентность (если на внешней орбите атома какого-то вещества находятся 4 валентных электрона, то это вещество является четырехвалентным).
Под действием внешних факторов (тепло, свет, радиационное излучение и т.д.) валентные электроны могут покинуть свою орбиту.
Освободившиеся от внутриатомных связей электроны называются свободными.
При возникновении свободного электрона нарушается электрическая нейтральность атома – появляется положительный ион.
Процесс образования ионов называется ионизацией.
При отсутствии электрического поля свободные электроны движутся хаотически. При наличии электрического поля движение свободных электронов становится упорядоченным, направленным – возникает электрический ток.
Электрический ток – это направленное движение носителей заряда (НЗ).
Чем больше свободных электронов имеет вещество, тем выше его электропроводность, т.е. способность вещества проводить электрический ток.
По степени электропроводности твердые тела делятся на:
-
проводники;
-
полупроводники;
-
диэлектрики.
Энергетическая диаграмма твердого тела
В 1890г. Планк выдвинул гипотезу, согласно которой электроны в атоме не могут обладать произвольной энергией.
Каждой орбите соответствует строго определенная энергия электрона – так называемый разрешенный энергетический уровень.
Энергия, которой не может обладать электрон, соответствует запрещенному энергетическому уровню.
Все это относится к одному изолированному атому. Но твердое тело состоит из множества атомов, которые расположены настолько близко друг к другу, что на электроны влияет не только ядро собственного атома, но и ядра соседних атомов.
В результате взаимодействия многих атомов происходит расщепление энергетических уровней на подуровни.
Совокупность энергетических уровней свободных электронов образует зону проводимости (ЗП).
Совокупность энергетических уровней валентных электронов образует валентную зону (ВЗ).
Энергетический промежуток, не содержащий энергетических уровней, называется запрещенной зоной.