
- •1.Терминология
- •3 Классификация интегральных схем по уровням интеграции.
- •Ключ - конструктивная особенность, которая определяет позицию вывода 1.
- •По конструктивно-технологическому признаку различают корпуса:
- •5 Классификация цифровых микросхем
- •6 Параметры микросхем
- •7 Помехоустойчивость ис.
- •8 Энергия переключения.
- •9 Сравнение различных типов микросхем
- •10 Микросхемы полупроводниковой памяти
- •11 Микропроцессоры
- •12 Взаимозаменяемость и аналоги микросхем
- •13 Маркировка микросхем
- •2.1 Диоды
- •14 Классификация и система обозначений приборов диодов
- •15 Параметры диодов
- •17 Излучающие оптоэлектронные приборы
- •19 Классификация полупроводниковых индикаторов.
- •20 Параметры и характеристики полупроводниковых индикаторов
- •21 Выбор режима работы ппи
- •22 Классификация транзисторы
- •23, 24 Параметры транзисторов
- •25 Выбор транзисторов
- •26 Классификация тиристоры
- •27 Параметры теристоров
- •28 Маркировка полупроводниковых элементов.
- •29 Классификация конденсаторы.
- •30 Параметры конденсаторов.
- •34. Общая классификация резисторов.
- •36 Набор резисторов
- •37 Система условных обозначений резисторов.
- •39 Параметры резисторов
- •42,43 Классификация и система условных обозначений терморезисторов и варисторов.
- •42 Основные электрические параметры терморезисторов.
- •46 Устройство соединителя.
- •48 Маркировка электрических соединителей.
- •47 Основные параметры электрических соединителей.
- •45 Классификация соединителей.
- •56 Основные параметры трансформаторов
- •45 Классификация электрических соединителей.
- •52 Параметры реле
- •53. Основные параметры механических переключателей.
- •54 Система условных обозначений коммутационных устройств.
12 Взаимозаменяемость и аналоги микросхем
Взаимозаменяемостью ИС называют способность равноценно заменить любую микросхему другой из множества однотипных.
Взаимозаменяемость микросхем можно разделить на внешнюю и внутреннюю.
Внешняя – связана с геометрическими размерами и формами присоединительных поверхностей и выводов микросхем, а также эксплутационными показателями: диапазоном температур окружающей среды, параметрами надежности, массой и т.д.
Внутренняя взаимозаменяемость определяется, прежде всего, функциональным назначением микросхем и электрическими параметрами, а также схемотехнологическим исполнением.
Степень взаимозаменяемости при сопоставлении микросхем может быть различной. При совпадении значений по всем параметрам, характеризующим, внешнюю и внутреннюю взаимозаменяемость обеспечивается полная взаимозаменяемость.
Если значения параметров несколько отличаются, но не хуже заданных, то сравниваемые микросхемы являются прямыми аналогами.
Микросхемы, совпадающие только по функциональному назначению, относят к функциональным аналогам.
Обязательным условием взаимозаменяемости является одинаковое напряжение питания, а при сравнении габаритно - присоединительных размеров корпусов – шаг между выводами (1,25 или 1,27; 2,5 или 2,54), а также угол поворота для круглых корпусов.
13 Маркировка микросхем
На каждой микросхеме должны быть отчетливо нанесены:
1)товарный знак (код) предприятия-изготовителя; 2)обозначения типа (типономинала) микросхем; 3)дата изготовления (год, месяц) или код;
4)обозначение первого вывода микросхем, если он не указан другим способом;
5)розничная цена (при поставке в торговую сеть, если позволяют габаритные размеры); 6)порядковый номер сопроводительного листа (допускается наносить на дно корпуса).
Состав сокращенной маркировки и код устанавливают в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов.
Таблица 5 - Год и месяц – коды. (ГОСТ25486-82)
год |
код |
год |
код |
месяц |
код |
1983 |
R |
1995 |
F |
Январь |
1 |
1984 |
S |
1996 |
H |
Февраль |
2 |
1985 |
T |
1997 |
I |
Март |
3 |
1986 |
U |
1998 |
K |
Апрель |
4 |
1987 |
V |
1999 |
L |
Май |
5 |
1988 |
W |
2000 |
M |
Июнь |
6 |
1989 |
X |
2001 |
N |
Июль |
7 |
1990 |
A |
|
|
Август |
8 |
1991 |
B |
|
|
Сентябрь |
9 |
1992 |
C |
|
|
Октябрь |
O |
1993 |
D |
|
|
Ноябрь |
N |
1994 |
E |
|
|
Декабрь |
D |
Полупроводниковые приборы
Промышленные электронные устройства, как правило, содержат микропроцессорную систему управления, которая определяет логику работы устройств и строится на интегральных микросхемах и мощную исполнительную схему, которая передает в нагрузку, преобразованную электрическую мощность. В качестве нагрузки может выступать, например, электродвигатель, ЭВМ, громкоговоритель и т.д. Электронное устройство (схема) состоит из электрически связанных между собой пассивных компонентов (резисторов, конденсаторов и т.д.) и активных компонентов – полупроводниковых приборов. В ИС активные и пассивные элементы составляют единое целое, то есть полупроводниковый прибор нельзя выделить конструктивно из корпуса, как самостоятельный элемент.
Полупроводниковый прибор ИС будем называть интегральным прибором. В мощной схеме – полупроводниковый прибор – конструктивно самостоятельный элемент, и в этом применении его будем называть дискретным прибором. Современный дискретный полупроводниковый прибор мощной схемы преобразует мощность до 10 кВт и более.
Внутри электронного устройства полупроводниковый прибор выполняет две основные функции:
замыкает и размыкает цепь электрического тока, то есть работает как ключ;
обеспечивает линейное усиление электрического сигнала, то есть работает как усилитель.
По функциональным возможностям можно выделить три основных класса полупроводниковых приборов: диоды, транзисторы и тиристоры.