
- •1.1 Терминология
- •Ключ - конструктивная особенность, которая определяет позицию вывода 1.
- •По конструктивно-технологическому признакуразличают корпуса:
- •1.4 Параметры микросхем
- •2.1 Диоды
- •2.1.2 Параметры диодов
- •2.1.3 Корпуса диодов
- •2.1.4 Излучающие оптоэлектронные приборы
- •2.2 Транзисторы
- •2.2.2 Параметры транзисторов
- •2.2.3 Корпуса транзисторов
- •2.2.4 Выбор транзисторов
- •2.3 Тиристоры
- •2.3.1 Классификация и система условных обозначений тиристоров
2.2 Транзисторы
Транзистор - управляемый полупроводниковый прибор, который может работать в электрических схемах, как в ключевом, так и в усилительном режимах. Это универсальных прибор интегральных и мощных схем.
.2.1 Классификация и условные обозначения транзисторов
В настоящее время выпускается большое количество транзисторов различных типов и назначений. Транзисторы классифицируют по их функциональному назначению, физическим свойствам, основным электрическим параметрам, по конструктивно технологическим признакам и типу исходного полупроводникового материала. Транзисторы выпускаются на мощности от 200мВт до сотен ватт, с граничными частотами от 100 кГц до десяти гигогерц, с максимально допустимыми напряжениями от единиц до тысяч вольт и токами от 5 мА до сотен ампер, с уровнем собственных шумов от единиц до десятков децибел. Они могут выпускаться в различном виде корпусов и бескорпусном исполнении для гибридных ИС транзисторных микросборок.
Биполярные транзисторы в соответствии с основными областями применения подразделяются на ряд групп: усилительные НЧ, высокочастотные, сверхвысокочастотные. По мощности транзисторы подразделяются на маломощные, средней и большой мощности. Мощные транзисторы на токи 10 А и более называются силовыми.
По технологии изготовления транзисторы делятся на сплавные, диффузионные, конверсионные, диффузионно-сплавные, планарные и т.д.
Биполярные транзисторы изготовляются в дискретном исполнении и в качестве компонентов ИС.
Полевые приборы выполняют те же функции, что и биполярные.
И полевые и биполярные транзисторы управляются зарядом, но передача управляющего заряда осуществляется по-разному:
- напряжением – в полевых (через емкость)
током – в биполярных (через сопротивление)
Рисунок 9 – Классификация транзисторов
Система обозначений современных транзисторов основана на их физических свойствах и конструктивно-технологических признаках. В основу системы положен буквенно-цифровой код.
|
|
|
|
по параметрам транзисторов, изготовленных по |
единой технологии от А до Я, исключая З, О, Ч, |
Ь, Ъ, Ы |
|
|
|
|
|
цифры от 01 до 999 |
|
|
|
частоты: |
1-маломощные НЧ ; |
2-маломощные средней частоты ; |
3-маломощные ВЧ и СВЧ ; |
4-средней мощности НЧ ; |
5-средней мощности средние частоты ; |
6-средней мощности ВЧ ; |
7-большой мощности НЧ ; |
8-большой мощности средние частоты ; |
9-большой мощности ВЧ и СВЧ ; |
|
|
Подкласс транзистора |
|
|
|
|
Исходный полупроводниковый материал |
|
К или 2-кремний и его соединения ; |
Рисунок - Система условных обозначений современных транзисторов
Условные обозначения биполярных транзисторов, разработанных до 1964 года и выпускаемых до настоящего времени, состоит из двух или трех элементов.