
- •1.1 Терминология.
- •1.2 Классификация микросхем и условные обозначения.
- •1.3 Корпуса микросхем.
- •1.4 Параметры микросхем.
- •1.5 Сравнение различных типов микросхем.
- •1.6 Микросхемы полупроводниковой памяти.
- •1.8 Взаимозаменяемость и аналоги микросхем.
- •1.9 Маркировка.
- •2/1.1 Классификация и система обозначений приборов.
- •2.1.2 Параметры диодов.
- •2.1.4 Излучающие оптоэлектронные приборы.
- •2.2.1 Классификация и условные обозначения транзисторов.
- •2.2.3 Корпуса транзисторов.
- •2.2.4 Выбор транзисторов.
- •2.3 Тиристоры.
- •2.3.1 Классификация и система условных обозначений тиристоров.
- •3. Конденсаторы.
- •4.Резисторы.
- •5. Электрические соединения
- •6. Трансформаторы и дроссели.
1.Интегральные микросхемы (ИС).
Основной элементарной базой современной дискретной механики являетсяинтегральная микроэлектроника. Переход к ИС существенно изменил способыпостроения электронной аппаратуры, поскольку изделия микросхема техникипредставляют собой законченные функциональные узлы, будь то логические эл-ты длявыполнения простейших операций или процессоры вычислительных машин,состоящие из многих тысяч элементов.
1.1 Терминология.
В нашей стране разработан и действует ГОСТ 17021-88 «Микросхемы интегральные.Термины и определения».
Некоторые из этих терминов, мы запишем.
Интегральная микросхема (ИС) - микроэлектронное изделие, выполняющееопределенную функцию преобразования и обработки сигнала и имеющее высокуюмощность электрически соединенных элементов и кристаллов, которые с точки зрениятребований к испытаниям рассматриваются как единое целое.
Полупроводниковая интегральная микросхема - интегральная микросхема, всеэлементы и межэлементы соединения которой выполнены в объеме и на поверхностиполупроводника.
Пленочная интегральная микросхема - интегральная микросхема, все элементы имежэлементы соединения которой выполнены в виде пленок (толстопленочные итонкопленочные ИС).
Гибридная интегральная микросхема - интегральная микросхема, содержащаякроме элементов кристаллы (многокристальная ИС).
Тонкопленочная технология - основные материалы:
для нанесения и создания рисунка или схемы.
проводящая пленка - медь, алюминий,золото.
Рулстивный материал - металлы и их сплавы,оксид олова, диэлектрики.
Толстопленочные - в основном кач-ве коммуникационных.
В настоящее время сущ-ют интегральные микросхемы 6-ти степеней интеграции.
1) Малая интегральная микросхема (МИС) - ИС содержащая до 100элементов и компонентов включительно (1..2 степень).
2) Средняя интегральная микросхема (СИС) - ИС содержащая свыше 100до 1000 элементов и компонентов для цифровых ИС и свыше 100 до 500 -для аналоговых (2..3 степень).
3) Большая интегральная микросхема (БИС) - ИС содержащая свыше1000 элементов и компонентов до 1000 элементов и компонентов дляцифровых ИС и свыше 500 - для аналоговых (3..4 степень).
4) Сверх большая интегральная микросхема (СБИС) - ИС содержащаясвыше 1000 элементов и компонентов до 100000 элементов и компонентовдля цифровых ИС с регулярной структурой построения, свыше 50000 - дляаналоговых с нерегулярной структурой построения, и свыше 10000 - дляаналоговых (5..7 степень).
Примечание к цифровым ИС с регулярной структурой построения схемызапоминающих устройств и схемы на основе базовых матричных сигналов, снерегулярной структурой построения схемы вычислительных средств.
5) Сверхскоростная интегральная микросхема (ССИС) - цифровая ИС,функциональное быстродействие которой не менее 1*1013Гц/см3 на 1логический эл-нт.
Под функциональным быстродействием понимают произведение рабочей частотылогич. эл-та, равный обратному учетверенному max значению среднего временизадержки распространения сигнала на число логич. эл-ов, приходящихся на 1 см2площади кристалла.
Классификация ИС по уровням интеграции.
Уровень Число эл-ов и компонентов в одной микросхемеИнтеграции Цифровые микросхемы Аналоговыена МДМ-транзист. на биполярных микросхемы
МИС (1 -2 ст.) <= 100 <= 100 <= 100
СИС(3-4ст.) > 100 <= 1000 >100<=500 >100<=500
БИС (5-6 ст.) > 1000 <= 10000 > 500 <= 2000 > 500
СБИС (7 ст.) > 100000 > 50000 > 10000
Аналоговая интегральная микросхема - интегральная микросхема,предназначенная для преобразования и обработки сигналов по з-ну непрерывнойфункции (микросхема с линейчатой хар-ой - линейная ИС).
Цифровая ИС - интегральная микросхема, предназначенная для преобразования иобработки сигналов, изменяющихся по з-ну дискретной функции (логич. микросхема)
Степень интеграции интегральной микросхемы - показатель степени сложениямикросхемы, хар-ый числом содержащихся в ней эл-ов и компонентов.
Определяется по фор-ле: K=L*N, где
К - коэф., определяющий степень интеграции, округляемый до ближайшего большецелого числа.
N - число эл-ов и компонентов, входящих в интегральную микросхему.
Серия интегральных микросхем - совокупность интегральных микросхем, кот.могут выполнять различные функции, имеющие единое конструктивно-технологическое исполнение и предназначенные для совместного применения.
В ГОСТ 17467-88 приведены термины, касающиеся конструктивных ИС.
Тело корпуса - часть корпуса без выводов.
Позиция вывода - одно из нескольких равноотстоящих др. от др. место положенийвыводов на выходе из тела корпуса, разложенных по окружностям или в ряду, котороеможет быть занято или не занято выводом, каждая позиция вывода отмеченапорядковым номером.
Установочная плоскость - плоскость, на которую устанавливается интегральнаямикросхема.
Ключ - конструктивная особенность, кот. опр-ет позицию вывода!.
На низшем, нулевом, уровне конструктивной иерархии ЭВА любого типа иназначения находятся ИС, выполняющие логич., вспомогат., специальные функции, атакже функции запоминания.