Цифровая ис - интегральная микросхема, предназначенная для преобразования и обработки сигналов, изменяющихся по з-ну дискретной функции (логич. Микросхема)

Степень интеграции интегральной микросхемы – показатель степенисложения микросхемы, хар-ый числом содержащихся в ней эл-ов и компонентов.

Определяется по фор-ле: K=L*N, где

К – коэф., определяющий степень интеграции, округляемый до ближайшего больше целого числа.

N– число эл-ов и компонентов, входящих в интегральную микросхему.

Серия интегральных микросхем- совокупность интегральных микросхем, кот. могут выполнять различные функции, имеющие единое конструктивно-технологическое исполнение и предназначенные для совместного применения.

В ГОСТ 17467-88 приведены термины, касающиеся конструктивных ИС.

Тело корпуса – часть корпуса без выводов.

Позиция вывода – одно из нескольких равноотстоящих др. от др. место положений выводов на выходе из тела корпуса, разложенных по окружностям или в ряду, которое может быть занято или не занято выводом, каждая позиция вывода отмечена порядковым номером.

Установочная плоскость – плоскость, на которую устанавливается интегральная микросхема.

Ключ - конструктивная особенность, кот. опр-ет позицию вывода1.

На низшем, нулевом, уровне конструктивной иерархии ЭВА любого типа и назначения находятся ИС, выполняющие логич., вспомогат., специальные функции, а также функции запоминания.

1.2 Классификация микросхем и условные обозначения.

В зависимости от технологии изготовления ИС делятся на 3 разновидности:

1) полупроводниковые.

2) пленочные.

3) гибридные.

Кроме того, ИС можно разделить на:

1) цифровые

2) аналоговые.

В основу классификации цифровых микросхем положены 3 признака:

1. компонентов логической схемы, на кот. выполняются логич. операции над входными переменными;

2. способ соед. полупроводниковых приборов в логич. схему;

3. вид связи между логич. схемами.

По этим признакам логич. ИС можно классифицировать следующим образом:

а) схемы с непосредственными связями МОП-стимуляторах – НСТЛМ (МОП – металл-окисел-полупроводник или МДП металл-диэлектрик - полупроводник).

б) схемы с резисторно-емкомстными связями – РЕТЛ; РЕТЛ – схемы, входная логика кот. осущ-ся на резисторных цепях. РЕТЛ и РТЛ – морально устарели и в новых разработках не используются.

в) схемы, входная логика кот. осущ-ся на диодах – ДТЛ.

г) схемы, входная логика кот. выполняется многоэмитторным транзистором – ТТЛ.

д) схемы, со связанными эмиттерами – ЭСЛ, или ПТТЛ – логика на переключателях тока.

ж) инжекторно-интегральная логика ИИЛ или И²Л – на ее основе создаются микросхемы большой степени интеграции высокого быстродействия и с малым потреблением энергии.

з) схемы, основанные на современном вкл. пары транзисторов с каналами разных видов проводимости, так наз. комплиментарные структуры. (КМОЛ – структуры).

Все отечественные ИС делятся по конструктивно-технологическому исполнению делятся на 3 группы:

1. 1 ,5 ,6 ,7 – полупроводниковые.

2. 2 ,4 ,8 – гибридные.

3. 3 прочие – (пленочные, вакуумные и т.д.).

Применение микро корпусов (МК) дает возможность увеличить мощность компоновки БИС и улучшить их эл. проводимость.

Наиболее очевидны преимущества МК по сравнению с традиционными корпусами. ИС явл. значительное уменьшение геометр. параметров МК занимает площадь примерно в 4,8 раза меньше, и объем в 5,5 раза, чем обычный корпус ИС.

МК явл. частью конструкции ИС (БИС) и предназначен для защиты кристаллов от внеш. воздействий и соединения по средствам выводных площадок (выводов) с внеш. эл. цепями.