- •1.1 Терминология.
- •Уровень Число эл-ов и компонентов в одной микросхеме
- •Цифровая ис - интегральная микросхема, предназначенная для преобразования и обработки сигналов, изменяющихся по з-ну дискретной функции (логич. Микросхема)
- •1.3 Корпуса микросхем.
- •1.4 Параметры микросхем.
- •1.5 Сравнение различных типов микросхем.
- •1.6 Микросхемы полупроводниковой памяти.
- •Ппзу – однократно программируемые пзу
- •1.7 Микропроцессоры.
- •1.8 Взаимозаменяемость и аналоги микросхем.
- •1.9 Маркировка.
- •2.1 Диоды.
- •2/1.1 Классификация и система обозначений приборов.
- •2.1.2 Параметры диодов.
- •2.1.3 Корпуса диодов.
- •2.1.4 Излучающие оптоэлектронные приборы.
- •2.2 Транзисторы.
- •2.2.1 Классификация и условные обозначения транзисторов.
- •2.2.2 Параметры предельных режимов работы транзистора и влияние температуры на его параметры.
- •2.2.3 Корпуса транзисторов.
- •2.2.4 Выбор транзисторов.
- •2.3 Тиристоры.
- •2.3.1 Классификация и система условных обозначений тиристоров.
2.2.3 Корпуса транзисторов.
Существует более 70 типов конструкции корпусов транзисторов. Некоторые типы вкл. в себя несколько типоразмеров.
2.2.4 Выбор транзисторов.
Стандартный транзистор будет выбран верно с учетом следующих требований:
транзисторы явл. приборами универсального применения и могут усиленно использоваться в функциональных эл-ах различных классов, их следует применять по назначению, указанному в справочниках.
в справочниках приводятся значения параметров для соответствующих оптимальных или предельных режимов эксплуатации. Рабочий режим транзистора в проектируемом устройстве часто отличается от указанных. В этом случае необходимо по формулам и хар-ам определить необходимое значение для выбранного режима.
Применение ВЧ транзисторов в НЧ устройствах нежелательно, т.к. они дороги, склонны к самовозбуждению и развитию вторичного пробоя, обладают меньшим эксплутационным запасом.
Эксплутационный запас – это разница между maxзначением какого-либо параметра и егоmaxдопустимым значением.
Не допускается превышение maxдопустимых значений напряжений, токов, температуры, мощности рассеяния. Как правило, транзистор работает более устойчиво при неполном использовании его по напряжению и полном использовании по току.
Для надежной работы транзистора, напряжение на его коллекторе и рассеиваемая на нем мощность должны составлять не более 70-80% от maxдопустимых значений. Создаваемый тем самым второй эксплуатационный запас предотвращает превышение этими параметрами их допустимых значений при колебаниях, например, питающих напряжений, при переходных режимах, возникающих при вкл. аппаратуры и т.д.
Не следует применять мощные транзисторы там, где можно применить маломощные. Т.к. при использовании мощных транзисторов в режиме малых токов их коэф. передачи по току мал и сильно зависим как от тока, так и от температуры окр. среды. А также уменьшаются массогабаритные и стоимостные показатели аппаратуры.
Необходимо применять транзистор minвозможных для данных условий мощности, но так чтобы он при этом не перегревался.
Лучше применять транзистор малой мощности с небольшим теплоотводом, чем большой мощности без теплоотвода.
если нет особых причин применять германиевый транзистор, лучше применить кремневый , т.к. они лучше работают при высоких температурах, имеют более пробивные напряжения и на 1-2 порядка меньше, чем германиевые, обратные токи.
Коэф. передачи тока базы зависит от тока коллектора и при некотором его значении обычно имеет maxнапряжение.
Для хорошего усиления на низких частотах желательно выбирать это maxзначение или близкое к нему по приводимым в справочнике графикам. В др. случаях коэф. передачи тока следует принимать равным указанному в справочнике или среднему арифметич. отminиmaxзначений параметра.
2.3 Тиристоры.
Тиристор – п-п прибор с 2 устойчивыми состояниями, 3 или более переходов, кот. может переключатся из закрытого состояния в открытое и наоборот. Может выполнять функции преобразователя тока любой формы, ключей генераторов, используется в качестве ЗУ.