
- •1.1 Терминология
- •Ключ - конструктивная особенность, которая определяет позицию вывода 1.
- •По конструктивно-технологическому признакуразличают корпуса:
- •1.4 Параметры микросхем
- •2.1 Диоды
- •2.1.2 Параметры диодов
- •2.1.3 Корпуса диодов
- •2.1.4 Излучающие оптоэлектронные приборы
- •2.2 Транзисторы
- •2.2.1 Классификация и условные обозначения транзисторов
- •2.2.2 Параметры транзисторов
- •2.2.3 Корпуса транзисторов
- •2.2.4 Выбор транзисторов
- •2.3 Тиристоры
- •2.3.1 Классификация и система условных обозначений тиристоров
2.2.3 Корпуса транзисторов
Существует более 70 типов конструкции корпусов транзисторов. Некоторые типы включают в себя несколько типоразмеров. Конструкции описываются ГОСТ18472-88.
2.2.4 Выбор транзисторов
Стандартный транзистор будет выбран, верно, с учетом следующих требований:
1) Транзисторы являются приборами универсального применения и могут усиленно использоваться в функциональных элементах различных классов, их следует применять по назначению, указанному в справочниках.
2) В справочниках приводятся значения параметров для соответствующих оптимальных или предельных режимов эксплуатации. Рабочий режим транзистора в проектируемом устройстве часто отличается от указанных. В этом случае необходимо по формулам и характеристикам определить необходимое значение для выбранного режима.
Применение ВЧ транзисторов в НЧ устройствах нежелательно, так как они дороги, склонны к самовозбуждению и развитию вторичного пробоя, обладают меньшим эксплутационным запасом.
Эксплутационный запас – это разница между максимальным значением какого-либо параметра и его максимально допустимым (предельно допустимым) значением.
Не допускается превышение максимально допустимых значений напряжений, токов, температуры, мощности рассеяния. Как правило, транзистор работает более устойчиво при неполном использовании его по напряжению и полном использовании по току.
Для надежной работы транзистора, напряжение на его коллекторе и рассеиваемая на нем мощность должны составлять не более 70-80% от maxдопустимых значений. Создаваемый тем самымвторой эксплуатационныйзапаспредотвращает превышение этими параметрами их допустимых значений при колебаниях, например, питающих напряжений, при переходных режимах, возникающих при включении аппаратуры и т.д.
Не следует применять мощные транзисторы там, где можно применить маломощные. Так как при использовании мощных транзисторов в режиме малых токов их коэффициент передачи по току мал и сильно зависит как от тока, так и от температуры окружающей среды. А также ухудшаются массогабаритные и стоимостные показатели аппаратуры.
Необходимо применять транзистор минимально возможной для данных условий мощности, но так чтобы он при этом не перегревался.
Лучше применять транзистор малой мощности с небольшим теплоотводом, чем большой мощности без теплоотвода.
Если нет особых причин применять германиевый транзистор, лучше применить кремневый, так как они лучше работают при высоких температурах, имеют более высокие пробивные напряжения и на один - два порядка меньше, чем германиевые, обратные токи.
Коэффициент передачи тока базы Н21э зависит от тока коллектора и при некотором его значении обычно имеет максимальное напряжение.
Для хорошего усиления на низких частотах желательно выбирать это максимальное значение Н21э или близкое к нему по приводимым в справочнике графикам. В других случаях коэффициент передачи тока следует принимать равным указанному в справочнике типовому значению или среднему арифметическому от минимального и максимального значений параметра.