14.Внешняя организация и временные диаграммы динамических зу.

Рис.19-а

Рассмотрим временные диаграммы работы динамической памяти.

Рис.19-б

Циклы обращения к ЗУ начинаются сигналами (активный уровень – низкий), отрицательным перепадом сигналов RAS и CAS соответствуют области подачи на адресные линии ЗУ (А) полуадресов, адресов строки и столбцов матрицы соответственно.

В соответствии с сигналом о выполняемой операции либо вырабатываются выходные данные , либо принимаются входные . В циклах регенерации подаются только импульсные сигналы и адреса строк, т.е. регенерируется целая строка.

Динамические ЗЭ без разрушения информации при считывании.

В основу работы таких элементов так же положено хранение информации в виде заряда ёмкости, включенной между информационным МОП транзистором и общим проводом схемы, для чего используют трёхтранзисторные схемы.

Рис.20 3-хтранзисторное запоминающее устройство

В трёхтранзисторных ЗУ конденсатор изолирован от разрядной шины и считывание информаций происходит без её разрушения. Однако, из–за утечки тока в требуется её периодическая регенерация, что достигается подачей высокого потенциала на АШ, которая открывает транзистор , и специальной схемой, подключенной к РШ подаётся , т.е. ёмкость заряжается.

15.Постоянные Запоминающие Устройства пзу.

Модули памяти, в которых изменить записанную информацию средствами самой системы невозможно, называют ПЗУ (или ROM). В ПЗУ можно достичь намного большей плотности упаковки информации, так как их ЗЭ проще.

Базовую структуру ПЗУ можно представить себе состоящей из дешифратора адреса и совокупности подключенных к нему элементов логического ИЛИ. Выходные линии дешифратора адресов находятся во взаимнооднозначном соответствии с ЗУ ПЗУ. Число элементов логического ИЛИ определяется разрядностью выходного слова. Соединив выходную линию дешифратора, соответствующую некоторому входу памяти с выходом элемента ИЛИ получим значение одного бита в этом слове.

Процесс записи информации в ПЗУ называется программированием. По способу программирования ПЗУ делят на три вида:

1. С масочным программированием, которое производится в процессе изготовления ПЗУ

2. Однократно программируемая или электрически программируемая ПЗУ

3. Репрограммируемые (программирование с возможностью стирания)

Программируемость памяти любого из этих типов подразумевает установку или снятие специальной перемычки, связывающей линию выборки строки со входом соответствующего логического элемента ИЛИ. Место установки перемычек определяют информацию, хранимую в ПЗУ. А конкретная реализация этих перемычек и способ их программирования зависят от типа ПЗУ.

ПЗУ, программируемые в процессе изготовления.

Эти ПЗУ программируются на последних технологических этапах их производства. Элементы коммутации – это некоторые промежутки, часть которых перемыкается на последнем этапе металлизации схемы. Делается это с помощью масок, т.е. фотошаблонов, которые задают точную форму участков металлизации и изготавливаются для каждого конкретного наполнения ПЗУ.

Рассмотрим пример такого ПЗУ, где роль элементов ИЛИ выполняют полупроводниковые диодные логические элементы И от инверсных сигналов на выходе дешифратора, что по закону Де–Моргана соответствует операции И от неинвертированных выходных сигналов.

Рис.21 Структура ПЗУ

Когда на входе высокие потенциалы, то и на выходе высокие. Когда на одном из входов есть ноль, то выход ноль.

На каждый бит в каждом слове приходится один диод. В проводниках соединительные диоды с общей линией столбца есть промежутки. Для программирования ноля в определённом бите нужно установить в промежутке перемычку, т.е. произвести металлизацию промежутка, в противном случае значение бита будет равно единице. Поскольку общая линия данных в столбце нормально имеет высокий потенциал через , этот потенциал может стать низким только за счёт присоединяемой перемычкой АВС с низким потенциалом через открытый диод.

Пример ЗУ на МОП транзисторах.

Рис.22 Запоминающее устройство на МОП транзисторах

Здесь операция ИЛИ на выходе данных дешифратора выполняется при помощи –канальных нормально закрытых МОП транзисторах. Промежутки располагаются в цепи стока каждого транзистора. Когда выбирается определённая ЛВС, то дешифратор на эту линию даёт высокий потенциал и открывает все транзисторы, базы которых к ней подсоединены. Если промежуток был металлизирован, на соответствующем вертикальном столбце будет низкий потенциал, соответствующий нолю. В противном случае – единице.