Скачиваний:
31
Добавлен:
29.01.2014
Размер:
122.88 Кб
Скачать

Общая классификация

Температурный датчик

Индуктивный датчик - измерительный преобразователь угла поворота или перемещения в изменение индуктивности. Индуктивный датчик представляет собой катушку индуктивности с магнитопроводом, подвижный элемент которого (якорь) перемещается под воздействием измеряемой величины.

Наиболее часто применяют индуктивный датчик с переменным зазором (а) и переменной площадью зазора (б). Первые используются для измерений малых перемещений (от долей мкм до 3—5 мм); вторые — для перемещений от 0,5 до 15 мм. Для измерения перемещений в маломощных устройствах, например в стрелочных измерит приборах, применяют индуктивный датчик, катушки которых питаются от источника тока высокой частоты (5—50 Мгц) либо служат обмотками высокочастотных колебательных контуров.  

Схема конструкции индуктивного датчика: а — с переменным воздушным зазором; б — с переменной площадью воздушного зазора: 1 — катушка индуктивности; 2 — сердечник; 3 — якорь.

Индуктивный датчик положения

Индуктивный датчик положения для промышленной автоматизации определяют металлические объекты и различают их по форме и размеру. В конструкции датчика объединены LC-генератор, схема обработки сигнала и коммутирующий усилитель. Катушка генератора создает высокочастотное электромагнитное поле на чувствительной поверхности датчика. При приближении к ней металлического объекта образуется вихревой ток, напряжение падает и уменьшает частоту колебаний генератора.

Общие технические характеристики.

Тип по питанию

Dc тип (постоянный ток)

АС тип (переменный ток)

Напряжение питания

10…30В DC; пульсации<20%

90…250 В АС; 50/60 Гц.

Макс. допустимый ток нагрузки

150 мА макс.

100 мА макс

Потребляемый ток

<10 мА

<2 мА

Ток утечки

<0.8 мА

<4 мА

Схема защиты

Защита от КЗ и переплюсовки

Защита от бросков напряжения

Подключение

Кабель (3 провода * 2м)

Кабель (2 провода * 2м)

Рабочая температура

-20…+80 С; 35%-95% RH

-20…+80 С; 35%-95% RH

Схема датчика положения

Датчик состоит из ферромагнитных неподвижных сердечников 1,2 и подвижного якоря 3. На каждый сердечник намотана первичная W1(W1') и вторичная W2(W2') обмотки: W1=W1'; W2=W2'.Первичные обмотки соединены последовательно и питаются током повышенной частоты (до 5 кГц). Вторичные обмотки включены встречно друг другу и формируют разностное напряжение, являющееся выходным сигналом датчика.

Рис. 5. Схема датчика положения: 1,2—Ферромагнитные сердечники; 3 — подвижный якорь.

Расчет датчика положения >>

Для упрощения расчетов принимается, что намагниченность магнитного материала на торцах сердечников площадью с1 х с2 распределяется равномерно. Индуктивный датчик имеет следующие размеры: с1=14 мм, с2=6мм, с3=6мм, с4=24мм, с5=6,1...11мм (в зависимости от величины зазора)

Для номинальных значений:

Из номограмм определяются номинальные магнитные проводимости воздушного зазора:

Номинальная магнитная проницаемость сердечников:

где - относительная магнитная проницаемость используемого ферромагнитного материала сердечника, =0,4;

-магнитная постоянная =0,4.

Номинальные значения полной магнитной проводимости сердечников с зазорами:

>> Расчет датчика положения

Обмоточные данные датчика: W1=W1’=250 витков.

Питание обмоток: U=5 В, f=5 кГц.

Индуктивное сопротивление каждой из первичных обмоток

Хнам=wLнам=2fLнам=25,10-3( 2,06...0,7610-3)=64,7…23,7 Ом.

Суммарное индуктивное сопротивление первичных обмоток хS=64,7+23,8=88,5 Ом.

Таким образом при изменении воздушного зазора выходное напряжение датчика изменяется на 2,31 В.

Разность полученных напряжений ,

Uвых.=Uвых max-Uвых min=2,31-2,12=0,19 В.

свидетельствует о хорошей разрешающей способности датчика, однако полученное напряжение необходимо усилить для его использования в системе управления.

Схема включения датчика положения.

Рис. 6. Схема включения датчика положения

Первичные обмотки W1, W'1 подключены к вторичной обмотке W5 трансформатора Тр1 блокинг-генератора, собранного из транpзисторов VT1, VT2,резистора R1 и конденсатора С1, вторичные обмотки W2, W'2 датчика соединены с диодными мостами V3, V4, нагруженными резисторами R2, R3, R4