- •Лабораторная работа 1 Изучение статистических закономерностей в ядерной физике
- •Особенности измерений в ядерной физике, вывод рабочих формул
- •Порядок выполнения работы. Проверка распределения Пуассона.
- •Контрольные вопросы
- •Лабораторная работа 2 Снятие характеристики счетчика Гейгера-Мюллера по космическому излучению
- •Общие указания
- •Порядок выполнения работы
- •Вопросы для самоконтроля
- •Лабораторная работа 3 Изучение работы сцинтилляционного детектора
- •Общие указания
- •Порядок выполнения работы
- •Контрольные вопросы
- •Лабораторная работа 6 Структурный анализ поликристаллических тел.
- •Основные указания
- •2. Экспериментальное получение рентгенограмм и електронограмм
- •3. Расшифровка рентгенограмм и электронограмм
- •Порядок проведения исследований
- •4.1. Индицирование дифрактограммы
- •4.2.Индицирование электронограммы
- •Лабораторная работа № 7 Изучение температурной зависимости электросопротивление металлов и полупроводников.
- •Основные .Указания
- •2. Приборы и принадлежности, схема опыта
- •Порядок проведения исследований
- •Контрольные вопросы
- •Лабораторная работа № 8 Определение работы выхода электронов из металла
- •Описание установки
- •Метод определения работы выхода
- •Порядок выполнения работы
- •Контрольные вопросы
- •Лабораторная работа №9 Изучение фотоэффекта определение постоянной планка. Основные положения
- •Задание Изучение внешнего фотоэффекта и определение постоянной Планка
- •Вопросы для самоконтроля
- •Лабораторная работа №10 Контактные явления в полупроводниках Основные положения
- •Лабораторная работа № 10.1 Исследование явления испускания света полупроводниками
- •Вывод рабочих формул и описание установки
- •Порядок выполнения работы
- •Вопросы для самоконтроля
- •Лабораторная работа № 10.2 Изучение работы полупроводникового выпрямительного диода
- •Вывод рабочих формул и описание установки
- •Порядок выполнения работы
- •Вопросы для самоконтроля
- •Лабораторная работа № 10.3. Изучение работы биполярного транзисторе
- •Вывод рабочих формул и описание установки
- •. Условные обозначения транзисторов обоих типов в электрических схемах приведены на рис.10.9. Кружок у транзистора типа означает, что кристалл помешен в корпус.
- •Порядок выполнения работы
- •Вопросы для самоконтроля
- •Лабораторная работа № 11 Снятие кривой намагничивания и петли гистерезиса с помощью осциллографа.
- •Вывод рабочих формул и описание установки
- •Порядок выполнения работы
- •Упражнение 2. Снятие петли гистерезиса к определение потерь на перемагничивание
- •Порядок выполнения работы
- •Вопросы для самоконтроля
- •Лабораторная работа №12 Определение точки Кюри
- •Вывод рабочих формул и описание установки
- •Порядок выполнения работы
- •Вопросы для самоконтроля
- •Лабораторная работа №13 Определение концентрации носителей тока в полупроводниках с помощью эффекта Холла
- •Вывод рабочих формул и описание установки
- •Порядок выполнения работы
- •Примерная форма таблицы результатов
- •Вопросы дли самоконтроля
- •Лабораторная работа № 14 Изучение сериальных закономерностей в спектре атома водорода и определение постоянной Ридберга
- •Порядок выполнения работы
- •Вопросы для самоконтроля
- •Лабораторная работа № 15.1 Определение постоянной Стефана-Больцмана
- •Порядок выполнения работы
- •Лабораторная работа № 15.2 Изучение поглощательной способности серых тел
- •Порядок выполнения работы
- •Вопросы для самоконтроля
Порядок проведения исследований
1. Включить установку в сеть. После этого вольтметр B7-I6 подготовить к измерению путем включения тумблера режима запуска в положение "ручной запуск", а вольтметр В7-21А привести в рабочее состояние .
2. Измерить сопротивление металлического 3 и полупроводникового образца 8 при температуре окружающей среды путем поочередного нажатия кнопок К2 и КЗ при среднем положении тумблера KI.
3.
Исследовать температурные зависимости
сопротивления металла и полупроводника,
включив поочередно переключатель KI
в положение "металл" и "полупроводник".
При этом фиксировать величину сопротивления
с помощью соответствующих кнопок К2 и
КЗ при температурах, которые соответствуют
значениям ЭДС термопар
от I
до 6 мВ через каждые I
мВ. измеренные данные занести в таблицу.
4. Вычислить температуру на образце по соотношению
![]()
где
- комнатная температура, °С;
- ЭДС термопары, мВ.
|
|
|
|
t0,
|
Т,К |
1/Т,К-1 |
|
|
|
|
0 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
. |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
. |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
. |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
6 |
|
|
|
|
|
|
|
|
5. По
измеренным данным с учетом погрешностей
наблюдений построить графики
,
Из графика
определить величину сопротивления
металлического образца при 0°С путем
продолжения прямой линии до пересечения
с осью ординат. Отрезок на оси ординат
будет соответствовать значению R0
Для определения температурного
коэффициента сопротивления
провести анализ полученной линейной
зависимости
угловым коэффициентом которой является
=(Rm-R0)/R0t
-
Линеаризированная зависимость сопротивления полупроводника от температуры
![]()
позволяет вычислить ширину запрещенной зоны /энергию активации/ путем определения углового коэффициента этой зависимости так же, как это предлагается сделать в пункте 5 для металлического образца. Расчет можно выполнить с помощью ЭВМ по стандартной программе определения коэффициентов линейной зависимости методом наименьших квадратов .
7.
Оценить погрешности определения величины
и
![]()
8.Сформулировать выводы.
Контрольные вопросы
1. Что называется подвижностью носителей тока?
2. В чем отличие зонной структуры проводников, полупроводников и диэлектриков?
3. Чем обусловлена температурная зависимость электросопротивление металлов?
4. Показать, используя формулу электропроводности полупроводника и его зонную структуру, изменение каких параметров влияет на температурную зависимость электросопротивление полупроводника.
5. Что называется энергией активации?
