![](/user_photo/2706_HbeT2.jpg)
- •Теоретические и практические основы измерений Основные понятия об измерениях
- •Виды средств измерений
- •Погрешности измерений
- •Методы расчета случайных погрешностей
- •Для прямых измерений.
- •Для косвенных измерений.
- •Контрольные вопросы Вопросы на «удовлетворительно»
- •Вопросы на «хорошо»
- •Классификация электроизмерительных приборов
- •Основные показатели электроизмерительных приборов
- •Измерение тока
- •Измерение напряжения
- •Контрольные вопросы Вопросы на «удовлетворительно»
- •Вопросы на «хорошо»
- •Вопросы на «отлично»
- •Лабораторная работа № 2 опытная проверка закона ома
- •Основные теоретические сведения
- •Контрольные вопросы Вопросы на «удовлетворительно»
- •Вопросы на «хорошо»
- •Контрольные вопросы Вопросы на «удовлетворительно»
- •Вопросы на «хорошо»
- •Вопросы на «отлично»
- •Лабораторная работа №4 изучение работы полупроводникового диода
- •Основные теоретические сведения
- •Контрольные вопросы Вопросы на «удовлетворительно»
- •Вопросы на «хорошо»
- •Вопросы на «отлично»
- •Лабораторная работа № 5 изучение характеристик фоторезистора
- •Основные теоретические сведения
- •Контрольные вопросы Вопросы на «удовлетворительно»
- •Вопросы на «хорошо»
- •Вопросы на «отлично»
- •Лабораторная работа № 6 Измерение температуры при помощи термопары
- •Основные теоретические сведения
- •1) Контактная разность потенциалов двух разнородных проводников зависит лишь от химического состава и __________________ соприкасающихся металлов.
- •Контрольные вопросы Вопросы на «удовлетворительно»
- •Вопросы на «хорошо»
- •Контрольные вопросы Вопросы на «удовлетворительно»
- •Контрольные вопросы Вопросы на «удовлетворительно»
- •Вопросы на «хорошо»
- •Вопросы на «отлично»
Лабораторная работа №4 изучение работы полупроводникового диода
Цель работы: изучить свойства, принцип действия, применение полупроводникового диода и построить его вольт-амперную характеристику.
Основные теоретические сведения
В зависимости от способности проводить электрический ток все твердые тела делятся на _______________, полупроводники и _______________.
Полупроводниками являются вещества, занимающие промежуточное положение между __________________ и ___________________ по своей способности проводить электрический ток.
Граница между полупроводниками и ______________________ условна, так как _______________________ при соответствующем значительном повышении температуры становятся подобными полупроводникам, а чистые полупроводники при весьма низкой температуре ведут себя как ________________.
Характерной особенностью полупроводников является необычайно- высокая чувствительность к примесям. Чем лучше очистка полупроводника, тем __________ его удельное сопротивление. При 300 К (27°С) удельное сопротивление германия 47 Ом/м. Но достаточно добавить к 108 атомам германия один атом примеси, и его удельное сопротивление снижается до 4 Ом/м.
В чистых полупроводниках (без примесей), находящихся при низких температурах, свободные электроны (электроны проводимости) отсутствуют, так как все они участвуют в образовании связей между атомами кристаллической решетки. Для того чтобы валентный электрон стал электроном проводимости и мог принимать участие в переносе заряда, необходимо сообщить атому дополнительную энергию. Это можно осуществить путем повышения __________________ полупроводника или воздействуя на него __________________.
Процесс
отрыва электрона от нейтрального атома
сопровождается образованием на его
месте вакансии, которую называют
____________ (рис. 1).
В чистом полупроводнике число электронов проводимости равно числу __________. В результате теплового возбуждения электроны соседних нейтральных атомов могут переходить на вакантное место. Такое коллективное поочередное движение электронов, находящихся в основном в положении равновесия около атомов, можно представить в виде встречного потока положительно заряженных частиц, называемых __________. Перемещение, как свободных электронов, так и ___________ в отсутствие электрического поля носит _________________ характер.
Если к полупроводнику приложить определенную разность потенциалов, то возникает упорядочивающее электрическое поле и движение _________ и электронов примет __________________ характер. Электроны будут перемещаться в сторону ____________ потенциала (против направления линий напряженности внешнего электрического поля), а дырки - в сторону _______________ потенциала (вдоль направления линий напряженности поля). Таким образом, в чистом полупроводнике имеется два вида проводимости - электронная и дырочная. Электронная проводимость ( ___- типа) обусловлена движением свободных электронов, а дырочная ( ___- типа) - коллективным движением связанных с атомами валентных электронов.
Собственной проводимостью называется электропроводность веществ, обусловленная свободными электронами и дырками, образовавшимися в ___________ количествах при ___________ движениях атомов.
В практических целях чаще используются полупроводники с добавками других элементов - примесей, наличие которых приводит к преобладанию одного из типов проводимости.
Так,
если к четырехвалентному германию
добавить незначительное количество
пятивалентного мышьяка или сурьмы, то
в нем образуется избыток слабосвязанных
с ядром ______________ (рис. 2). Обусловлено это
тем, что четыре валентных электрона
примеси участвуют в создании химической
связи с атомом германия, а пятый валентный
электрон оказывается слабо связанным
с атомом примеси, поэтому он легко
становится «свободным». Эти электроны
уже при комнатной температуре могут
принимать участие в создании тока
проводимости.
Примеси, добавление которых к собственному полупроводнику приводит к увеличению концентрации свободных электронов, называются донорными, а проводимость в этом случае будет ________________ (n-типа).
Добавление
к германию примеси с валентностью,
равной трем, например, бора или индия,
приводит к повышению концентрации
__________ (рис. 3). Объясняется это нехваткой
у атома индия одного электрона для
установления прочной связи с атомом
германия, при этом между этими двумя
атомами получается незаполненная
валентная связь, или «дырка». Число
дырок в кристалле равно числу ___________
примеси.
Примеси, при добавлении которых к чистому полупроводнику возрастает концентрация дырок, называются акцепторными, а проводимость будет _____________ (p-типа).
Примесной называется проводимость, обусловленная присутствием в полупроводнике ____________ какого-либо типа.
Большая часть полупроводниковых приборов работает на основе электронно-дырочного перехода, который представляет собой границу между двумя областями полупроводника, одна из которых p – типа, а другая n – типа. Создание такого перехода осуществляется, например, ________________ способом или путем ______________ имплантации (ионной бомбардировкой поверхности полупроводника с последующим высокотемпературным отжигом).
В p - области перехода основными носителями являются __________, а неосновными - ____________. В n – области, наоборот, основными носителями являются ________________, а неосновными - __________. Следовательно, в каждой области концентрация основных носителей много больше концентрации неосновных носителей заряда и в области контакта полупроводников с различным типом проводимости существует градиент концентрации электронов и дырок, вызывающий их диффузию через пограничный слой во встречных направлениях.
В результате ухода электронов и дырок из атомов в приконтактных областях возникает область положительно и отрицательно заряженных ионов (доноров и акцепторов) – _________________________ слой. Этот слой обладает большим сопротивлением, так как в нем отсутствуют свободные носители заряда. Сами электроны и дырки, перейдя в соседние области p-n перехода, рекомбинируют (нейтрализуются) там с основными носителями. Таким образом, на границе двух полупроводников появляется контактное поле напряженностью Ek (рис. 4).
Направление
контактного поля таково, что оно
_________________ дальнейшему переходу через
двойной слой основных носителей с той
и другой стороны p-n
перехода и, наоборот, ____________ переносу
неосновных носителей.
Если на p - полупроводник подать положительный потенциал, а на n - полупроводник - отрицательный, то двойной слой обогатится __________________ носителями заряда и его сопротивление снизится (прямое смещение p-n перехода). Если на p - область подать отрицательный потенциал, а на n - область - положительный, то _____________ носители заряда будут оттягиваться от области двойного электрического слоя, ширина его увеличится и сопротивление возрастет (обратное смещение перехода). Ток через p-n переход будет мал и обусловлен движением ________________ носителей заряда, концентрация которых незначительна. Такой ток называют обратным или тепловым. Таким образом, сопротивление p-n перехода при одном направлении тока больше, чем при другом, следовательно, p-n переход хорошо пропускает ток только в _____________ направлении (обладает выпрямляющими свойствами). Эти свойства легли в основу работы полупроводникового диода - полупроводникового прибора с одним p-n переходом и двумя выводами. Электронно-дырочный переход нельзя получить, наложив одну на другую пластины, изготовленные из полупроводников с различной примесной проводимостью, так как между пластинами неизбежно наличие поверхностных пленок или очень тонкого слоя воздуха. Такой переход создается лишь посредством образования областей с различными электропроводностями в одной пластине полупроводника методом ________________.
Важнейшее значение в теории полупроводниковых приборов представляет аналитическая зависимость между напряжением, приложенным к p-n переходу и возникающим при этом током. Такая зависимость называется ___________________________ характеристикой p-n перехода (диода) и описывается уравнением:
(1)
где
-
тепловой ток p-n
перехода,
-
приложенное к переходу напряжение
(учитывает знак)
-
температурный потенциал, определяемый
по формуле:
(2)
где
- постоянная Больцмана,
-
абсолютная температура среды
е - заряд электрона.
Анализ
выражения (1) для комнатных температур
(300
К,
В) показывает следующее. При прямых
напряжениях, превышающих 0,1 В, можно
пренебречь ____________ по сравнению с
___________________ составляющей, а при
отрицательных напряжениях
В, наоборот, значение ___________________
составляющей становится пренебрежимо
малым по сравнению с _____________. Следовательно,
график роста прямого тока через
полупроводниковый диод с увеличением
прямого напряжения представляет собой
экспоненциальную кривую. При обратном
включении ток через диод становится
очень малым, определяется только
тепловым током и не зависит от
_________________. Таким образом, величина и
направление тока, протекающего через
p-n
переход (диод), зависят от величины и
знака приложенного к переходу напряжения.
На
рис. 5 приведена вольт-амперная
характеристика
идеального полупроводникового диода.
Для реальных диодов вольт-амперная
характеристика может иметь несколько
иной, но похожий вид.
При
прямом токе
характеристика имеет вид круто восходящей
ветви.
На участке 1 Евн
___________ Езап
и прямой ток мал. На участке 2 Евн
___________ Езап
запирающий слой отсутствует, ток
определяется только сопротивлением
полупроводника. В
обратном направлении
ток быстро достигает насыщения и не
изменяется до некоторого предельного
обратного напряжения
Uпр,
после чего резко возрастает. На участке
3 запирающий слой препятствует движению
_____________ носителей, а небольшой ток
определяется движением ________________
носителей заряда. При напряжении,
большем предельного (Uпр),
наступает пробой
p-n
перехода
и обратный ток Iобр
быстро растет (участок 4). Напряжение
Uпр
еще называют
напряжением
____________
или _____________
напряжением диода.
Напряжение
____________ диода – это одна из характеристик,
определяющих его режим работы.
При использовании диодов в выпрямительных
устройствах работа при обратных
напряжениях, близких к Uпр,
не допускается, так как может привести
к __________________________. В этом случае p-n
переход «выгорает» и диод становится
______________, одинаково хорошо пропускающим
ток в обоих направлениях.
№ |
Критерий оценки, % |
Оценка |
1 |
0т 91до 100 |
отлично |
2 |
От 81 до 91 |
хорошо |
3 |
От 71 до 81 |
удовлетворительно |
4 |
От 0 до 71 |
неудовлетворительно |
Блок содержит 58 подготовленных пропусков |