
- •Содержание
- •Введение
- •1 Бестрансформаторный усилитель мощности
- •2. Двухтактный трансформаторный усилитель мощности на биполярном транзисторе
- •Однотактный трансформаторный усилитель мощности на биполярном транзисторе
- •4 Предварительный усилитель на операционном усилителе
- •5.1 Расчет требуемой глубины осс.
- •Расчет параметров пу
- •Погрешности пу, вызванные влиянием температуры
- •5 Предварительный усилитель на биполярном транзисторе
- •6 Схема согласования
- •7. Генератор тактовых импульсов на логических элементах
- •8 Делитель частоты
- •9. Активный фильтр
- •10. Генеравтор синусоиды на операционном усилителе
- •11. Блок питания
- •Список литературы
- •Приложение а
- •Приложение б
- •Приложение в
-
Погрешности пу, вызванные влиянием температуры
1) Погрешность от дрейфа есм.
Наличие напряжения смещения на выходе ОУ, вызванное его не идеальностью, приводит к возникновению погрешности выходного напряжения ПУ:
,
Где ∆Т=Tmax – To = 50-25=25 ºС.
В.
Находим относительную погрешность выходного напряжения ПУ:
.
2) Погрешность, вызванная температурными изменениями резисторов.
В Т.З. задан широкий диапазон изменения температуры (+10 ºC +50 ºC). Данное обстоятельство вызывает отклонение величины сопротивления резисторов от номинального значения. Это отклонение определяется температурным коэффициентом сопротивления (ТКС). Для резисторов типа МЛТ (до 510 кОм и интервала температур от +20 до +315 ºC) ТКС равен ±0,7·10-3 1/ºC. Изменение величины резистора под действием температуры:
∆R=TKC·R·∆T,
где R- величина резистора.
Соответственно изменение величины сопротивлений приводит к изменению коэффициента усиления ОУ.
Для инверсного включения величина погрешности составляет:
.
При использовании резисторов типа МЛТ получим:
=|2·ТКС·∆Т|
= 2·0.7·10-3·25
= 0.035
=
=
=0.036.
Эта погрешность влияет на стабильность амплитуды ГСС.
По заданию
нестабильность амплитуды ∆Uн/Uн=
1%. Введение ООС. в схему усилителя
уменьшает погрешность
в F раз, т.е. получаем:
0.156% < 1%.
5 Предварительный усилитель на биполярном транзисторе
Исходными данными для расчета предварительного усилителя являются входные параметры однотактного усилителя мощности (см. раздел 3.12):
- мощность, потребляемая нагрузкой Рн= 3 мкВт;
- сопротивление нагрузки Rн= 332 Ом;
- частота сигнала fн=5,5 кГц;
- амплитуда
напряжения на нагрузке
Принципиальная схема предварительного усилителя на биполярном транзисторе представлена на рисунке 5.1.
Рисунок 5.1 – Принципиальная схема предварительного усилителя на биполярном транзисторе
Напряжение питания каскада рекомендуется принять таким же как в однотактном трансформаторном усилителе мощности.
Расчет предварительного усилителя вначале производится в соответствии с методикой расчета усилительного каскада с общим эмиттером без отрицательной обратной связи (расчет по постоянному току, расчет по переменному току: определение h-параметров выбранного транзистора, построение нагрузочной линии по переменному току, определение нелинейных искажений, определение входного и выходного сопротивлений, коэффициентов усиления по напряжению, току и мощности).
Далее для введения в схему усилителя синусоиды отрицательной обратной связи (ООС), резистор Rэ делится на две части – Rэ и Rэ. Величины данных сопротивлений принимаются равными:
Rэ = 0.1·Rэ; Rэ = Rэ – Rэ.
При введении ООС в предварительном усилителе возникает местная обратная связь, которая влияет на основные параметры предварительного усилителя.
Зная коэффициент передачи цепи местной обратной связи:
.
пересчитываются основные параметры усилителя с учетом местной ООС:
;
Rвх β = Rвх ·(1+Ku·β”); Rвых β = Rвых + Rэ·(1+Ku·β”);
KI β = KU β·Rвх β/Rн; KР β = KU β∙ KI β.
После этого рассчитываются емкости шунтирующих и разделительных конденсаторов и выбираются их типы.
5.1 Расчет звена общей отрицательной обратной связи
Исходные данные:
- коэффициент нелинейных искажений в нагрузке γн;
- коэффициент нелинейных искажений двухтактного усилителя мощности γ2УМ;
- коэффициент нелинейных искажений однотактного усилителя мощности γ1УМ;
- коэффициент нелинейных искажений предварительного усилителя γПУ.
Требуемый коэффициент нелинейных искажений усилителя синусоиды должен быть равен:
.
Реальный коэффициент нелинейных искажений усилителя синсоиды, равен:
Тогда глубина ООС рассчитывается по формуле:
Далее рассчитывается коэффициент усиления по напряжению усилителя синусоиды:
KYsin = K2УМ·K1УМ·KUβ ПУ
Тогда коэффициент передачи звена общей обратной связи будет равен:
,
а сопротивление резистора Rос:
.
Если полученное значение сопротивления Rос не удовлетворяет условию: Rос >> Rн (Rос 10Rн), то в схеме усилителя синусоиды будет сильное влияние ООС на выходной сигнал. В этом случае необходимо увеличить коэффициент усиления по напряжению путем применения дополнительного аналогичного предварительного усилителя (без местной ООС) и пересчитать значение Rос:
KYsin = (K2УМ·K1УМ·KUβ ПУ)∙KПУ;
;
Величина Rос увеличивается в (KПУ)n раз, где n - число дополнительно введенных каскадов предварительного усиления.
Коэффициент усиления по напряжению усилителя синусоиды с учетом обратной связи рассчитывается по формуле:
Kβ = KYsin/(1+β·KYsin).
Напряжение на входе усилителя синусоиды определяется по формуле: Uвх m = Uн/Kβ.