Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
ОБЩАЯ ТЕХНОЛОГИЯ КОНСПЕКТ.doc
Скачиваний:
25
Добавлен:
03.11.2018
Размер:
650.75 Кб
Скачать

Тема Фотолитография Урок Фотолитография. Назначение основных операций.

Фотолитография - это многооперационный процесс, целью которого является получение рисунка нужной конфигурации на поверхности подложки с помощью ультрафиолетового света и светочувствительного вещества - фоторезиста.

В переводе с греческого языка фотолитография означает: "рисую с помощью света на камне".

Все операции фотолитографии выполняют в 3 этапа:

  1. Формирование на поверхности подножки светочувствительного слоя (фоторезиста) определённой толщины.

  2. Формирование рисунка (защитного рельефа) в слое фоторезиста.

  3. Формирование рисунка на поверхности подложки (в слое плёнки, нанесённой на эту подложку).

Примечание: любую плёнку (SiO2 , Si3N4, ФСС, поликремния, алюминия), нанесённую на поверхность подложки, называют технологическим слоем.

Последовательность выполнения основных операций фотолитографии.

  1. Подготовка поверхности подложки

  2. Нанесение фоторезиста I этап

  3. Сушка фоторезиста

  4. Совмещение и экспонирование

  5. Проявление фоторезиста II этап

  6. Задубливание фоторезиста

  7. Травление технологического слоя Ш этап

  8. Удаление фоторезиста

I этап. Поверхность подложек предварительно очищают, чтобы удалить загрязнения с

поверхности и обеспечить высокую смачиваемость поверхности фоторезистом и адгезию (сцепляемость с поверхностью) фоторезиста.

Затем на подложки тонким слоем наносят фоторезист и сушат его для удаления из него растворителя:

I I этап. Совмещение и экспонирование – это две различные операции, но выполняются на

одной установке. На операции совмещения рисунок на подложке (полученный на предыдущей фотолитографии) совмещают с рисунком на фотошаблоне

(фотошаблон - стеклянная пластина с нанесённым на неё непрозрачным плёночным рисунком). На операции экспонирования слой фоторезиста засвечивают через фотошаблон ультрафиолетовым светом:

На операции проявления под действием проявителей вымываются участки фоторезиста. Если фоторезист позитивныйвымываются засвеченные ультрафиолетовым светом участки;

если фоторезист негативныйвымываются незасвеченные участки:

а) Позитивный фоторезист б) Негативный фоторезист

Затем слой фоторезиста задубливают (термообрабатывают), чтобы повысить химическую стойкость и адгезию фоторезиста.

Ш этап. На операции травления под действием травителя травятся участки технологического слоя, не защищенные фоторезистом:

а) б)

а) б)

После травления технологического слоя фоторезист удаляется, а на подложке остаётся рельефный рисунок технологического слоя, переданный с фотошаблона при помощи фоторезиста:

Урок Подготовка поверхности подложки. Нанесение фоторезиста. Сушка фоторезиста.

Подготовка поверхности подложки.

Оптимально подготовленной к фотолитографии поверхностью является поверхность, которая:

  1. Очищена от загрязнений (технологически чистая)