- •Общая технология производства полупроводниковых приборов и имс
- •Урок Основы эвг.
- •Урок Микроскопы.
- •Тема: Общая характеристика полупроводникового
- •Производства.
- •Общая характеристика полупроводникового производства.
- •Тема: Механическая обработка. Урок Требования, предъявляемые к полупроводниковым пластинам.
- •Непараллельность
- •Урок Резка слитков на пластины.
- •Шлифовка и полировка.
- •Тема: Химическая обработка. Урок Виды загрязнений. Обезжиривание.
- •Урок Травление. Очистка в h2o
- •Очистка в н2о.
- •Отмывка струей
- •Гидромеханическая отмывка
- •Тема: Эпитаксия. Урок Общие сведения об эпитаксии.
- •Подложка
- •Хлоридный метод эпитаксии.
- •Силановый метод эпитаксии.
- •Тема: Окисление Урок Термическое окисление.
- •Урок Осаждение пленок SiO2.
- •Тема Осаждение пленок Si3n4 и поликремния. Урок Осаждение пленок нитрида кремния.
- •Тема Фотолитография Урок Фотолитография. Назначение основных операций.
- •Урок Подготовка поверхности подложки. Нанесение фоторезиста. Сушка фоторезиста.
- •2. Хорошо смачивается фоторезистом, т.Е. Поверхность гидрофильна к фоторезисту ( θфоторезиста →0° )
- •Нанесение слоя фоторезиста.
- •Метод центрифугирования:
- •Сушка слоя фоторезиста.
- •Урок Совмещение и экспонирование
- •Урок Проявление фоторезиста
- •Задубливание фоторезиста
- •Урок Травление технологического слоя
- •Удаление фоторезиста
- •Тема: Изготовление фотошаблонов Урок Изготовление фотошаблонов
- •1. Изготовление первичного оригинала.
- •2. Изготовление промежуточного фотооригинала (пфо).
- •3. Изготовление эталонного фотошаблона.
- •4. Изготовление рабочих фотошаблонов.
- •Основные механизмы диффузии.
- •1. Вакансионный механизм.
- •2. Межузельный механизм.
- •2. Диффузия из ограниченного источника примеси -
- •Двухстадийная диффузия.
- •Способы проведения диффузии.
- •Тема: Ионное легирование Урок Механизм ионного легирования. Схема установки ионного легирования.
- •Урок Основные параметры ионного легирования. Особенности ионного легирования. Основные параметры процесса ионного легирования.
- •2. Плотность тока ионного пучка j
- •3. Доза облучения q
- •Угол наклона ионного пучка к направлению главной кристаллографической
- •Особенности ионного легирования.
- •Тема: Плазмохимические процессы. Урок Общие сведения о вакууме, ионизации газа, плазме.
- •Урок Плазмохимическое осаждение SiO2
- •Урок Плазмохимическое травление ( пхт )
- •Плазмохимическое удаление фоторезиста ( пхуф )
- •Тема: Металлизация Урок Общие сведения о металлизации
- •Урок Термическое испарение в вакууме
- •Ионное распыление
- •Тема: Общие сведения о технологии сборочных работ. Урок Разделение пластин на кристаллы.
- •Урок Методы сборки.
- •Сварка.
- •Склеивание.
- •Урок Этапы сборки.
- •I. Монтаж кристаллов.
- •II. Подсоединение электродных выводов.
- •III. Герметизация.
- •Тема: Испытания. Заключительные операции. Урок Испытания. Заключительные операции.
- •Список рекомендуемой литературы по курсу "Общая технология производства полупроводниковых приборов".
- •По темам курса:
- •Содержание
Тема Фотолитография Урок Фотолитография. Назначение основных операций.
Фотолитография - это многооперационный процесс, целью которого является получение рисунка нужной конфигурации на поверхности подложки с помощью ультрафиолетового света и светочувствительного вещества - фоторезиста.
В переводе с греческого языка фотолитография означает: "рисую с помощью света на камне".
Все операции фотолитографии выполняют в 3 этапа:
-
Формирование на поверхности подножки светочувствительного слоя (фоторезиста) определённой толщины.
-
Формирование рисунка (защитного рельефа) в слое фоторезиста.
-
Формирование рисунка на поверхности подложки (в слое плёнки, нанесённой на эту подложку).
Примечание: любую плёнку (SiO2 , Si3N4, ФСС, поликремния, алюминия), нанесённую на поверхность подложки, называют технологическим слоем.
Последовательность выполнения основных операций фотолитографии.
-
Подготовка поверхности подложки
-
Нанесение фоторезиста I этап
-
Сушка фоторезиста
-
Совмещение и экспонирование
-
Проявление фоторезиста II этап
-
Задубливание фоторезиста
-
Травление технологического слоя Ш этап
-
Удаление фоторезиста
I этап. Поверхность подложек предварительно очищают, чтобы удалить загрязнения с
поверхности и обеспечить высокую смачиваемость поверхности фоторезистом и адгезию (сцепляемость с поверхностью) фоторезиста.
Затем на подложки тонким слоем наносят фоторезист и сушат его для удаления из него растворителя:
I I этап. Совмещение и экспонирование – это две различные операции, но выполняются на
одной установке. На операции совмещения рисунок на подложке (полученный на предыдущей фотолитографии) совмещают с рисунком на фотошаблоне
(фотошаблон - стеклянная пластина с нанесённым на неё непрозрачным плёночным рисунком). На операции экспонирования слой фоторезиста засвечивают через фотошаблон ультрафиолетовым светом:
На операции проявления под действием проявителей вымываются участки фоторезиста. Если фоторезист позитивный – вымываются засвеченные ультрафиолетовым светом участки;
если фоторезист негативный – вымываются незасвеченные участки:
а) Позитивный фоторезист б) Негативный фоторезист
Затем слой фоторезиста задубливают (термообрабатывают), чтобы повысить химическую стойкость и адгезию фоторезиста.
Ш этап. На операции травления под действием травителя травятся участки технологического слоя, не защищенные фоторезистом:
а) б)
а) б)
После травления технологического слоя фоторезист удаляется, а на подложке остаётся рельефный рисунок технологического слоя, переданный с фотошаблона при помощи фоторезиста:
Урок Подготовка поверхности подложки. Нанесение фоторезиста. Сушка фоторезиста.
Подготовка поверхности подложки.
Оптимально подготовленной к фотолитографии поверхностью является поверхность, которая:
-
Очищена от загрязнений (технологически чистая)