- •Общая технология производства полупроводниковых приборов и имс
- •Урок Основы эвг.
- •Урок Микроскопы.
- •Тема: Общая характеристика полупроводникового
- •Производства.
- •Общая характеристика полупроводникового производства.
- •Тема: Механическая обработка. Урок Требования, предъявляемые к полупроводниковым пластинам.
- •Непараллельность
- •Урок Резка слитков на пластины.
- •Шлифовка и полировка.
- •Тема: Химическая обработка. Урок Виды загрязнений. Обезжиривание.
- •Урок Травление. Очистка в h2o
- •Очистка в н2о.
- •Отмывка струей
- •Гидромеханическая отмывка
- •Тема: Эпитаксия. Урок Общие сведения об эпитаксии.
- •Подложка
- •Хлоридный метод эпитаксии.
- •Силановый метод эпитаксии.
- •Тема: Окисление Урок Термическое окисление.
- •Урок Осаждение пленок SiO2.
- •Тема Осаждение пленок Si3n4 и поликремния. Урок Осаждение пленок нитрида кремния.
- •Тема Фотолитография Урок Фотолитография. Назначение основных операций.
- •Урок Подготовка поверхности подложки. Нанесение фоторезиста. Сушка фоторезиста.
- •2. Хорошо смачивается фоторезистом, т.Е. Поверхность гидрофильна к фоторезисту ( θфоторезиста →0° )
- •Нанесение слоя фоторезиста.
- •Метод центрифугирования:
- •Сушка слоя фоторезиста.
- •Урок Совмещение и экспонирование
- •Урок Проявление фоторезиста
- •Задубливание фоторезиста
- •Урок Травление технологического слоя
- •Удаление фоторезиста
- •Тема: Изготовление фотошаблонов Урок Изготовление фотошаблонов
- •1. Изготовление первичного оригинала.
- •2. Изготовление промежуточного фотооригинала (пфо).
- •3. Изготовление эталонного фотошаблона.
- •4. Изготовление рабочих фотошаблонов.
- •Основные механизмы диффузии.
- •1. Вакансионный механизм.
- •2. Межузельный механизм.
- •2. Диффузия из ограниченного источника примеси -
- •Двухстадийная диффузия.
- •Способы проведения диффузии.
- •Тема: Ионное легирование Урок Механизм ионного легирования. Схема установки ионного легирования.
- •Урок Основные параметры ионного легирования. Особенности ионного легирования. Основные параметры процесса ионного легирования.
- •2. Плотность тока ионного пучка j
- •3. Доза облучения q
- •Угол наклона ионного пучка к направлению главной кристаллографической
- •Особенности ионного легирования.
- •Тема: Плазмохимические процессы. Урок Общие сведения о вакууме, ионизации газа, плазме.
- •Урок Плазмохимическое осаждение SiO2
- •Урок Плазмохимическое травление ( пхт )
- •Плазмохимическое удаление фоторезиста ( пхуф )
- •Тема: Металлизация Урок Общие сведения о металлизации
- •Урок Термическое испарение в вакууме
- •Ионное распыление
- •Тема: Общие сведения о технологии сборочных работ. Урок Разделение пластин на кристаллы.
- •Урок Методы сборки.
- •Сварка.
- •Склеивание.
- •Урок Этапы сборки.
- •I. Монтаж кристаллов.
- •II. Подсоединение электродных выводов.
- •III. Герметизация.
- •Тема: Испытания. Заключительные операции. Урок Испытания. Заключительные операции.
- •Список рекомендуемой литературы по курсу "Общая технология производства полупроводниковых приборов".
- •По темам курса:
- •Содержание
Минский государственный профессионально-технический
колледж электроники.
Общая технология производства полупроводниковых приборов и имс
Разработала преподаватель Некрасова И.А.
Минск 2000 г.
Урок Основы эвг.
Электронно-вакуумная гигиена - это комплекс технических и санитарных мероприятий, обеспечивающих высокую чистоту производства, которая необходима для получения качественной продукции.
Исключительно важное значение для обеспечения высокого процента выхода годных ИМС имеют стабильность климатических параметров производственных помещений (температура и влажность), а также высокая чистота производственной атмосферы, технологических газов и жидкостей, использование сверхчистых материалов.
С точки зрения ЭВГ воздушная среда производственного помещения характеризуется запыленностью. Присутствие в воздухе механических частиц (пыли) является одной из причин брака ИМС. По степени запыленности производственные помещения подразделяют на 6 классов:
Класс чистоты |
Максимальное число частиц размером > 0,5 мкм на 1 литр воздуха |
Участки |
1
|
0,035 |
обеспыленная зона установки |
10 |
0,35 |
обеспыленная зона установки |
100 |
3,5 |
обеспыленная зона установки |
1000 |
35 |
чистая комната |
10000 |
350 |
чистое помещение |
100000 |
3500 |
сборка |
Особенно тщательно оборудуются помещения 1 - 1000 классов, которые называют чистыми комнатами или гермозонами. Чистая комната - это рабочее помещение, где размещается технологическое оборудование и выполняются технологические операции. В чистой комнате обеспечиваются не только определенные температура (22° ± 0,5°С), влажность (45 ± 5% относительной влажности), запыленность, давление, но и определенные скорость и направление перемещения воздуха, способствующие эффективному удалению пыли, образующейся при работе оборудования и движениях персонала.Высокая степень обеспыленности достигается в ограниченных, локальных рабочих объемах – обеспыленных зонах установки. В производстве ИМС в больших количествах используется вода. В воде не должно быть механических частиц, растворенных солей и газов, примесей металлов, микроорганизмов. Процесс очистки воды называется деионизацией, а получаемая при этом вода - деионизованной. Удельное сопротивление такой воды достигает 18 Мом • см (для сравнения: водопроводная вода имеет удельное сопротивление 3 - 6 КОм • см, а идеально чистая (теоретически) вода - 25 МОм • см.).
Урок Микроскопы.
Назначение оптических приборов заключается в том, чтобы дать на сетчатке глаза увеличенное изображение удаленных или близких, но малых по размерам, предметов.
Для получения больших увеличений ( до 2000 ) применяется оптический прибор, называемый микроскопом. Он состоит из двух оптических систем - объектива и окуляра, разделенных значительным по сравнению с их фокусными расстояниями промежутком.
Окуляр
Рассматриваемый предмет ОР помещается перед фокусом объектива F1 в непосредственной близости от него. Объектив дает увеличенное, действительное, перевернутое изображение предмета О'Р', которое рассматривается через окуляр как через лупу. Изображение О'Р' располагается между окуляром и его фокусом F2 на небольшом расстоянии от него. В этом случае получается прямое, увеличенное, мнимое изображение 0"Р", которое рассматривается глазом. Положение окуляра подбирается так, чтобы расстояние от изображения до глаза равнялось расстоянию наилучшего зрения Lнз т.е. наименьшему расстоянию, на котором предмет можно рассматривать без утомления. Для нормального глаза Lнз = 25 см.
Для получения больших увеличений нужно уменьшать фокусные расстояния объектива и окуляра. Более сложные микроскопы состоят из нескольких линз.
На базовом предприятии НПО "Интеграл" оператор кристального производства обязан контролировать качество проведенного им технологического процесса. Этот контроль проводится на отечественных микроскопах МБС-9; МБС-10 (предназначен для визуального наблюдения, увеличение 100 ); ММУ-3 (предназначен для визуального наблюдения и для измерения линейных размеров; увеличение от 80 до 476 ); МИИ - 4 (предназначен для контроля размеров элементов микросхем и определения высоты их рельефа; увеличение 500), а также на зарубежных микроскопах ERGOLUX (предназначен для визуального наблюдения и для измерения линейных размеров, увеличение до 2000, производство - Германия); JENATECH (предназначен для визуального наблюдения и для измерения линейных размеров, увеличение до 1600, производство - Германия); Wild (предназначен для визуального наблюдения и для измерения линейных размеров, увеличение до 1600, производство - Швейцария ) и некоторых других.
Все типы микроскопов можно систематизировать и выделить унифицированные узлы и детали, имеющиеся в каждом из них:
-
предметно- располагающая система - часть конструкции микроскопа, предназначенная для расположения и фиксации объекта наблюдения;
-
осветительная система - часть конструкции микроскопа, обеспечивающая освещение объекта наблюдения;
-
центральная оптическая система - часть конструкции микроскопа, содержащая большую часть оптических узлов и обеспечивающая увеличение объекта наблюдения;
-
крепежно-монтажная система - это крепежные и стопорные винты, которые соединяют и стопорят узлы и детали микроскопа;
-
настраивающая и фокусирующая система;
6. наблюдательная система - часть конструкции микроскопа, обеспечивающая наблюдение объекта.