- •Глава I. Теоретическая часть.
 - •§1. Общие сведения из теории ферромагнетизма
 - •Основные магнитные характеристики вещества в постоянном магнитном поле
 - •Ферромагнетики
 - •1.3. Аморфные ферромагнетики
 - •1.4. Основные методы исследования магнитных свойств вещества.
 - •§3. Методы исследования ферромагнитных веществ при насыщении
 - •3.1. Индукционный метод Вейсса и Форрера
 - •3.2. Индукционный метод Кондорского - Федотова.
 - •3.3. Динамический метод Сексмита.
 - •3.4. Измерение намагниченности маятниковым методом.
 - •§4. Измерение намагниченности насыщения в тонких ферромагнитных плёнках
 - •4.1. Общие сведения о тонких пленках.
 - •Глава II. Практическая часть.
 - •Описание установки.
 - •Дополнительные устройства.
 - •Ход работы.
 - •Определение градиента магнитного поля.
 - •Измерение магнитного объёма образца тонкой плёнки.
 - •Компенсационный метод. Подбор тока, необходимого для возвращения системы в первоначальное положение при втягивании образца в межполюсное пространство.
 - •Результаты измерений (намагниченность насыщения, остаточная намагниченность, коэрцитивная сила)
 - •Приложения
 
Содержание.
Введение.
Глава I. Теоретическая часть.
§1. Общие сведения из теории ферромагнетизма
- 
Основные магнитные характеристики вещества в постоянном магнитном поле
 - 
Ферромагнетики
 - 
Аморфные ферромагнетики
 
1.4. Основные методы исследования магнитных свойств вещества.
§3. Методы исследования ферромагнитных веществ при насыщении
3.1.Индукционный метод Вейса и Форрера.
3.2. Индукционный метод Кондорского - Федотова.
3.3. Динамический метод Сексмита.
3.4. Измерение намагниченности маятниковым методом.
§4. Измерение намагниченности насыщения в тонких ферромагнитных плёнках
4.1. Общие сведения о тонких пленках.
4.2. Схема установки для измерения тонких магнитных плёнок баллистическим методом.
Глава II. Практическая часть.
- 
Описание установки
 - 
Дополнительные устройства
 - 
Ход работы
 
Глава III. Применение установки в преподавании экспериментальной физики.
Заключение.
Приложения.
Литература.
Введение.
В настоящее время изучение свойств тонких аморфных магнитных плёнок имеет большую актуальность. Эти материалы лежат в основе многих широко применяемых устройств от бытовых приборов до научного и медицинского оборудования. Изучение тонких плёнок открывает новые перспективы в научно-техническом прогрессе.
Целью данной работы является теоретическое обоснование явления ферромагнетизма, изложение общих сведений о тонких плёнках и некоторых методах измерений их магнитных свойств.
Основной задачей работы является практическая проверка имеющихся данных о тонких плёнках и методах измерения их магнитных свойств, а именно намагниченности насыщения, остаточной намагниченности и коэрцитивной силы.. С этой целью был разработан прибор для определения намагниченности плёнок и проведены соответствующие измерения с имеющимся образцом.
Соответственно объектом исследования являются тонкие аморфные ферромагнитные плёнки, а предметом исследования - установка для измерения их намагниченности.
Методами данной работы являются обобщение теоретических сведений, дедукция, т.е. выделение из всей теории ферромагнетизма данных о магнитных свойствах тонких аморфных ферромагниных плёнок, эксперимент по измерению намагниченности образца, наблюдение, и обобщение полученных результатов.
Глава I. Теоретическая часть.
§1. Общие сведения из теории ферромагнетизма
- 
Основные магнитные характеристики вещества в постоянном магнитном поле
 
В настоящее время известно, что магнитные свойства вещества обусловлены спиновым и орбитальным магнитными моментами электронов, а также магнитными моментами ядер атомов. Опыты по изучению гиромагнитного эффекта показали, что у некоторых металлов спиновый магнитный момент играет основную роль в создании магнитного момента атома. Чтобы атом в целом имел магнитный момент, должны быть нескомпенсированы магнитные моменты спинов. Это возможно в атомах с незаполненными оболочками. К ним относятся элементы переходной группы, редкоземельные элементы и др. Однако наличие незаполненных оболочек в атоме еще не является достаточным условием для существования ферромагнетизма. Между спинами соседних атомов должно существовать еще сильное электрическое взаимодействие квантовомеханической природы (обменные силы). Это приводит к возникновению самопроизвольной намагниченности, когда магнитные моменты атомов ориентируются в очень малых объемах (доменах) в одном направлении, например у ферромагнетиков, или в противоположных направлениях — у антиферромагнетиков.
Если
внешнее магнитное поле отсутствует, то
результирующий магнитный момент вещества
будет равен нулю. При наложении магнитного
поля каждый атом дает слагающую магнитного
момента по направлению поля, и появляется
результирующий магнитный момент М.
Магнитное состояние вещества
характеризуется величиной результирующего
магнитного момента, отнесенного к
единице объема, к единице массы или к
грамм-атому вещества. Результирующий
магнитный момент единицы объема
называется намагниченностью вещества
и обозначается буквой I.
Если величина М относится к единице
массы тела, то имеем массовую или удельную
намагниченность σ. Молярная намагниченность
обозначается 
.
Между намагниченностью и внешним магнитным полем имеется простая связь вида
I=χH (1.1)
где
коэффициент пропорциональности χ
называется магнитной восприимчивостью.
Величина восприимчивости диа- и
парамагнитных веществ очень мала (
—
),
причем у диамагнитных веществ она
отрицательна (х<0). Для ферромагнетиков
соотношение (1.1) является нелинейным,
так как существует сильная зависимость
магнитной восприимчивости от напряженности
магнитного поля, при этом восприимчивость
этих веществ достигает очень больших
значений (до 
).
Если какое-либо вещество поместить во
внешнее магнитное поле, то внутри этого
вещества магнитные моменты атомов
создадут магнитные поля, которые будут
складываться, в результате чего возникнет
внутреннее дополнительное поле. Это
поле добавляется к внешнему магнитному
полю. Среднее магнитное поле в веществе
называется магнитной индукцией и
обозначается буквой В. Магнитная индукция
характеризует магнитное состояние
вещества в некотором бесконечно малом
объеме. Она является функцией внешнего
магнитного поля и определяется
соотношением 
                                           
                            (1.2)
где
— магнитная проницаемость вакуума, а
практически и воздуха (
=4π∙
гн/м), величина 
=
1+χ
называется магнитной проницаемостью
вещества, a (
—
абсолютная магнитная проницаемость).
Прежде
чем приступить к рассмотрению различных
видов проницаемостей, остановимся на
кривой намагничивания ферромагнетика,
которая показана на рис. 1.
Для построения этой кривой  необходимо,
чтобы образец находился в начальном
состоянии. Это состояние получается
после циклического размагничивания и
характеризуется равенством нулю
напряженности магнитного поля и
намагниченности (I
= 0, H
= 0); при этом магнитные моменты областей
самопроизвольной намагниченности
распределены совершенно хаотично. 
Кривую
намагниченности ферромагнетиков можно
разделить на несколько участков, которые
характеризуются определенными процессами
намагничивания. В области начального
или обратимого намагничивания (участок
I) магнитная восприимчивость 
и
проницаемость 
являются постоянными величинами.
Изменение намагниченности в этой области
происходит в основном за счет обратимых
процессов, которые обусловлены упругим
смещением границ между областями
самопроизвольной намагниченности. 
Вторая область кривой намагничивания (область Релея) характеризуется тем, что в этой области намагничивания основную роль играют процессы инверсии. Здесь происходит ступенчатое изменение направления вектора самопроизвольного намагничивания внутри домена, причем процесс изменения намагниченности не является полностью обратимым. В этой области намагниченность подчиняется закону Релея. Теоретическая разработка процессов намагничивания в области Релея принадлежит главным образом Кондарскому и Прейзаху.
Третья область кривой соответствует быстрому возрастанию намагниченности, изменение которой имеет здесь ступенчатый вид (скачки Баркгаузена), что связано с необратимым смещением границ между областями самопроизвольной намагниченности (участок III).
В магнитотвердых материалах могут заметную роль играть также процессы инверсии. Процессы, обусловливающие изменение намагниченности на этом участке, необратимы. В области приближения к насыщению (IV) изменение намагниченности объясняется главным образом процессом вращения, когда направление вектора намагниченности самопроизвольных областей приближается к направлению внешнего поля.
На последнем участке (V) кривой намагниченности в области парапроцесса наблюдается слабый рост намагниченности с увеличением поля. Увеличение I здесь происходит в результате ориентации спиновых моментов отдельных электронов, находящихся внутри областей самопроизвольной намагниченности.
Если
после получения основной кривой
намагничивания уменьшать постепенно
значение магнитного поля, то кривая
намагниченности не будет совпадать с
основной кривой. Поэтому для одних и
тех же значений напряженности магнитного
поля получаются различные значения
намагниченности. Это явление называется
магнитным гистерезисом. Значение
намагниченности, получаемое при
напряженности поля, равной нулю,
называется остаточной намагниченностью
.
Она обычно меньше значения насыщения
.
Если с этого момента опять увеличивать
поле, но уже в другом направлении, то
величина намагниченности будет
уменьшаться и при некотором значении
обратного поля 
она будет равна нулю. Значение напряженности
магнитного поля 
называется коэрцитивной силой. Дальнейшее
увеличение напряженности обратного
поля изменит значение намагниченности
до величины 
.
Таким образом, пройдя полный цикл
изменения намагниченности от +
до —
и
обратно, мы получим замкнутую кривую,
которая называется петлей гистерезиса.
Как видно, техническое намагничивание
связано с необратимыми процессами,
происходящими в ферромагнитном веществе.
Следует
помнить, что для получения установившейся
петли гистерезиса, когда намагниченность
при изменении поля будет изменяться по
одной и той же замкнутой кривой, нужно
несколько раз пройти весь гистерезисный
цикл. Для определения кривой магнитной
индукции вещества нужно знать зависимость
магнитной индукции от величины
напряженности внешнего магнитного
поля:  B
= f(H).
Из
основной кривой индукции, которая
определяется как геометрическое место
вершин установившихся симметричных
петель гистерезиса, легко найти магнитную
проницаемость для каждого значения
магнитного поля и построить зависимость
проницаемости µ от поля H.
На рис. 2 дана зависимость полной, дифференциальной и обратимой проницаемости от напряженности
магнитного поля. Полная проницаемость (кривая 2) определяется отношением величины индукции B к соответствующему значению магнитного поля в данной точке кривой индукции:
                       
                              (1.3)
Кривая 2 показывает, что полная проницаемость при определенном значении поля H достигает максимального значения. Максимальную проницаемость нетрудно найти по основной кривой B=f(H). Для этого из начала координат проводится касательная к основной кривой индукции. Угол наклона этой касательной определяет значение максимальной проницаемости. Начальная проницаемость определяется как
                          
                              (1.4)
Если
магнитное состояние вещества фиксируется
какой-либо точкой на основной кривой
индукции, то при увеличении магнитного
поля на величину ∆H
возрастает
и индукция на величину∆B,
соответственно смещается точка на
кривой индукции. Предел отношения 
при 
называется
дифференциальной проницаемостью (кривая
1): 
                   
                              (1.5)
При
уменьшении напряженности магнитного
поля уменьшается величина индукции, но
не по основной кривой, а несколько
медленнее. Если затем опять начать
увеличивать поле, то магнитная индукция
возвратится к исходному состоянию, но
уже по новому пути. Другими словами,
индукция опишет узкую петлю. Наклон
полученной петли, или предел отношения
 при
,
называется обратимой проницаемостью
(кривая 3) и описывается выражением 
                              (1.6)
Все сказанное выше о магнитной проницаемости в такой же мере относится и к магнитной восприимчивости. [1]
Петля гистерезиса.
При циклическом перемагничивании кривая намагничивания образует петлю гистерезиса (рис. 3.).
Если намагничивание
происходит так, как показано стрелками
на рис. 3, а,
то при однократном прохождении петли
точки 
и 
  соответствующие
одному и тому же полю
Н, не совпадают,
что объясняется различной для этих
точек магнитной историей.
Для получения более определенной симметричной (установившейся) петли (рис. 3, б) при измерениях в цепях постоянного тока производят так называемую магнитную подготовку, которая состоит в многократном (5—10 раз) коммутировании тока в намагничивающей обмотке после установления его значения.
Форма петли для
данного материала зависит от значения
поля 
Для
слабых полей она имеет вид эллипсов, с
увеличением поля у нее начинают
вытягиваться «носики», соответствующие
точкам 
и 
 (рис. 3, б) .	
Петлю гистерезиса, пjлученную при условии насыщения, называют предельной. В справочниках обычно приводятся симметричные предельные петли гистерезиса.
Основными характеристиками петли гистерезиса являются остаточная индукция Вγ, коэрцитивная сила Нс и площадь петли, характеризующая потери на гистерезис Рг за один цикл перемагничивания.
Остаточной
индукцией Вγ
называют
индукцию, которая остается в предварительно
намагниченном образце после снятия
внешнего магнитного поля.
Коэрцитивная сила Нс — это размагничивающее поле, которое должно быть приложено к предварительно намагниченному образцу, для того чтобы индукция в нем стала равной нулю.
При изображении
петли гистерезиса в координатах 
(рис. 4) остаточная индукция сохраняет
то же значение, что и в координатах 
,
а коэрцитивная
сила по намагниченности iНС
отличается от
коэрцитивной силы по магнитной индукции
Нс.
Для большинства применяемых в технике
магнитных материалов разница между
этими величинами незначительна,
однако для некоторых материалов
(магнитотвердых с большими значениями
коэрцитивной силы) iНС
и Нс
могут отличаться очень сильно. [2]
