
- •Определение основных характеристик оптопар
- •Исследуемые схемы
- •Ход экспериментов
- •Опыт 2. Регистрация характеристик диодной оптопары зод101б в фотогенераторном режиме
- •Опыт 3. Регистрация характеристики диодной оптопары зод101б в фотодиодном режиме
- •Опыт 4. Регистрация характеристики транзисторной оптопары
- •Опыт 5. Регистрация характеристики тиристорной оптопары мос3010
- •Ответы на контрольные вопросы
Министерство образования и науки Российской Федерации
Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования
«Национальный исследовательский Томский политехнический Университет»
ИШЭ
«Электроэнергетика и электротехника»
Лабораторная работа №7
Определение основных характеристик оптопар
по дисциплине:
Электроника 1.1
Исполнитель:
|
|
||||
студент группы |
4Т61 |
|
Кошкин Д.Р. |
|
|
|
|
|
|
|
|
Руководитель:
|
|
||||
преподаватель |
|
|
Паюк Л.А. |
|
|
|
|
|
|
|
|
Томск – 2018
Определение основных характеристик оптопар
Цель работы: изучение основных свойств оптопар и определение их характеристик.
Оборудование: источник переменного напряжения, амперметр, вольтметр, омметр, соединительные провода, резисторная оптопара ОЭП13, диодная оптопара ЗОД101Б, симисторная оптопара МОС3010, лампочка и набор сопротивлений (22 кОм и 100 Ом).
Исследуемые схемы
Рисунок 1 - Принципиальная схема резисторной оптопары
Рисунок 2 - Принципиальная схема диодной оптопары в фотогенераторном режиме
Рисунок 3 - Принципиальная схема диодной оптопары в фотодиодном режиме
Рисунок
4 - Принципиальная схема транзисторной
оптопары
Рисунок 5 - Принципиальная схема симисторной оптопары
Ход экспериментов
Опыт 1. Регистрация характеристики RВЫХ = f(IВХ) резисторной оптопары ОЭП13
В данном опыте, изменяя входной ток регулятором напряжения, мы проследили за изменением сопротивления фоторезистора. Полученные данные занесены в таблицу 1.
Таблица 1
RВЫХ, Ом |
120 |
103 |
104 |
105 |
106 |
107 |
108 |
IВХ, мА |
21,3 |
14,3 |
10,4 |
8,8 |
7,3 |
6,9 |
6,2 |
Введём вдоль оси RВЫХ логарифмический масштаб и построим зависимость IВХ = f(RВЫХ):
Рисунок 6 - График зависимости входного тока резисторной оптопары от выходного сопротивления
Вывод: С ростом выходного сопротивления входной ток нелинейно убывает.
Опыт 2. Регистрация характеристик диодной оптопары зод101б в фотогенераторном режиме
В таблице 2 представлена зависимость выходного напряжения диодной оптопары от входного тока в фотогенераторном режиме.
Таблица 2
IВХ, мА |
0 |
0,5 |
1 |
2 |
4 |
6 |
8 |
10 |
12 |
UВЫХ, В |
0,276 |
0,394 |
0,43 |
0,457 |
0,491 |
0,51 |
0,521 |
0,53 |
0,537 |
Рисунок 7 - Зависимость выходного напряжения от входного тока диодной оптопары в фотогенераторном режиме
Вывод: вольтамперная характеристика диодной оптопары в фотогенераторном режиме по форме схожа с ВАХ p-n-перехода.
Опыт 3. Регистрация характеристики диодной оптопары зод101б в фотодиодном режиме
В таблице 3 представлена зависимость выходного тока от входного диодной оптопары в фотодиодном режиме.
Таблица 3
IВХ, мА |
0 |
2 |
4 |
6 |
8 |
10 |
12 |
IВЫХ, мА |
0 |
0,076 |
0,151 |
0,230 |
0,301 |
0,375 |
0,442 |
Рисунок 8 - График зависимости выходного тока от входного диодной оптопары в фотодиодном режиме
Вывод: Зависимость входного тока от выходного в фотодиодном режиме линейная