2. Исследование зависимости фотопроводимости от интенсивности облучения
Первый образец:
|
d, мм |
Rc, МОм |
Yс, мкСм |
Yф, мкСм |
d/d(max), о.е. |
|
0,01 |
2,2 |
0,454545 |
0,354545 |
0,0025 |
|
0,02 |
1,55 |
0,645161 |
0,545161 |
0,005 |
|
0,03 |
1,33 |
0,75188 |
0,65188 |
0,0075 |
|
0,05 |
0,961 |
1,040583 |
0,940583 |
0,0125 |
|
0,1 |
0,529 |
1,890359 |
1,790359 |
0,025 |
|
0,2 |
0,301 |
3,322259 |
3,222259 |
0,05 |
|
0,3 |
0,231 |
4,329004 |
4,229004 |
0,075 |
|
0,5 |
0,153 |
6,535948 |
6,435948 |
0,125 |
|
1 |
0,086 |
11,62791 |
11,52791 |
0,25 |
|
2 |
0,057 |
17,54386 |
17,44386 |
0,5 |
|
4 |
0,053 |
18,86792 |
18,76792 |
1 |
Второй образец:
|
Rc2, МОм |
Yc, мкСм |
Yф, мкСм |
d/dmax, о.е. |
|
15,38 |
0,06502 |
-0,03498 |
0,0025 |
|
14,866 |
0,067268 |
-0,03273 |
0,005 |
|
14,313 |
0,069867 |
-0,03013 |
0,0075 |
|
13,925 |
0,071813 |
-0,02819 |
0,0125 |
|
10,73 |
0,093197 |
-0,0068 |
0,025 |
|
5,421 |
0,184468 |
0,084468 |
0,05 |
|
1,895 |
0,527704 |
0,427704 |
0,075 |
|
0,521 |
1,919386 |
1,819386 |
0,125 |
|
0,1 |
10 |
9,9 |
0,25 |
|
0,09 |
11,11111 |
11,01111 |
0,5 |
|
0,08 |
12,5 |
12,4 |
1 |
Вывод: Выполнив лабораторную работу, я пришёл к выводу, что при увеличении длины волны растёт и сопротивление обоих образцов, но до определённого значения (0.053 у первого образца и 0.008 у второго образца), так как возрастает интенсивность оптических переходов и показатель оптического поглощения и уменьшается глубина проникновения света в полупроводник. При увеличении интенсивности облучения растет и фотопроводимость полупроводника. Исходя из информации на полученных графиках, становится ясно, что при слабых световых потоках фотопроводимость имеет относительно линейный характер, но с повышением интенсивности света рост фотопроводимости замедляется за счет усиления процесса рекомбинации.