4.3. Расчет коллекторной цепи оконечного каскада
1. Допустимая мощность, рассеиваемая на коллекторе
Вт,
где tк= 70С - рабочая температура корпуса транзистора.
2. Напряжение источника коллекторного питания Eкдолжно удовлетворять ус-ловиям
,
где Uкиe0- амплитуда переменного напряжения и остаточное напряжение на коллекторе соответственно. Указанным условиям удовлетворяет значениеEк= 35В.
3. Крутизна линии граничного режима
А/В.
4. Амплитуда импульса коллекторного тока iКmдля заданного значения мощности , рассеиваемой на коллекторе
А.
5. Мощность первой гармоники, отдаваемая в нагрузку одним транзистором
Вт,
где 1= 0,5 - значение 1-го коэффициента Берга при угле отсечки= 90.
6. Количество двухтактных схем, обеспечивающих заданную выходную мощность Pоконечного каскада
.
Берем 4 пары транзисторов.
7. Сопротивление нагрузки по первой гармонике, ощущаемое одним транзистором
Ом.
8. Уточненное значение сопротивления RК
Ом.
9. Уточненное значение амплитуды импульса коллекторного тока
А.
10. Значение первой гармоники коллекторного тока
А.
11. Уточненное значение амплитуды переменного напряжения на коллекторе
В.
14. Максимальное значение мгновенного напряжения на коллекторе
В.
15. Значение постоянной составляющей коллекторного тока
А.
Величина IК0= 2,31Ане превышает максимально допустимое для выбранного транзис-тора2Т922Взначение 3А.
16. Уточненное значение мощности первой гармоники, отдаваемой в нагрузку одним транзистором
Вт.
17. Мощность, потребляемая одним транзистором от источника питания
Вт.
18. Мощность, рассеиваемая на коллекторе одного транзистора
Вт.
Величина PK= 76,399Втне превышает максимально допустимое для выбранного тран-зистора2Т909Бзначение 112,5Вт.
19. Коэффициент полезного действия
.
20. Минимальное значение шунтирующего сопротивления xКколлекторной ем-костиCК
Ом.
Так как xКmin= 78.017Ом>>RК= 3,2Ом, то шунтирующим влиянием коллекторной емкости можно пренебречь.
|
Величина |
Значение |
|
Напряжение источника коллекторного питания EК,В |
35 |
|
Постоянная составляющая коллекторного тока IК0,А |
3.9 |
|
Мощность, потребляемая одним транзистором P0,Вт |
148.9 |
|
Амплитуда переменного напряжения на коллекторе UК,В |
21.5 |
|
Первая гармоника коллекторного тока IК1,А |
6.7 |
|
Мощность первой гармоники, отдаваемой в нагрузку одним транзисто-ром P1,Вт |
72.5 |
|
Остаточное напряжение на коллекторе e0,В |
7,27 |
|
Максимальное значение мгновенного напряжения на коллекторе eКm,В |
60 |
|
Амплитуда импульса коллекторного тока iКm,А |
13.5 |
|
Мощность, рассеиваемая на коллекторе одного транзистора PК,Вт |
76.4 |
|
Коэффициент полезного действия ,% |
49 |
|
Сопротивление нагрузки по первой гармонике, ощущаемое одним тран-зистором RК,Ом |
3,2 |
|
Минимальное значение шунтирующего сопротивления xКmin,Ом |
78 |
|
Суммарная выходная мощность оконечного каскада PОК,Вт |
139.2 |
Рис.4.2.Диаграммы токов и напряжений в коллекторной цепи одного транзистора