Часть 2. Исследование транзисторного генератора с внешним возбуждением со сложной схемой выхода Цели работы:

1. Исследование влияния связи между контурами на режим работы транзистора и энергетические характеристики ГВВ.

2. Снятие настроечной характеристики усилителя мощности со сложной схемой выхода.

3. Наблюдение осциллограмм токов и напряжений в контрольных точках усилителя мощности при различных режимах работы транзистора.

Программа выполнения работы

1."Собрать" усилитель со сложной схемой выхода, поставив переключатели S1 в положение 3 и S2 в положение 2. При постоянных значениях напряжений смещения и возбуждения, установленных в п. 3 первой части работы, снять зависимости ,,ив функции от значения емкости связи между контурами, определяемой положениями переключателей S3 – S5 (см. далее).

S3	Выкл.	Вкл.	Выкл.	Вкл.	Выкл.	Вкл.	Выкл.	Вкл.
S4	Выкл.	Выкл.	Вкл.	Вкл.	Выкл.	Выкл.	Вкл.	Вкл.
S5	Выкл.	Выкл.	Выкл.	Выкл.	Вкл.	Вкл.	Вкл.	Вкл.
, нФ	22	32	44	54	69	79	91	101

При каждом положении переключателей S3 – S5 необходимо подстраивать частоту сигнала возбуждения, добиваясь резистивного характера входного сопротивления нагрузки транзистора. Контроль осуществлять с помощью двухлучевого осциллографа. При этом форма импульса эмиттерного тока должна быть симметричной, а середине импульса должно соответствовать минимальное напряжение на коллекторе транзистора. Определить значение емкости связи между контурами, вызывающее переход усилителя из недонапряженного режима работы в перенапряженный.

Экспериментальные данные ,,,=F() и расчетные зависимости,=F() свести в таблицу и построить соответствующие графики. Отметить, при каком режиме работы транзистора достигается максимальная мощность в нагрузке (=/,= 5 Ом).

2. Снять настроечные характеристики усилителя со сложной схемой выхода, т. е. зависимости ,,,=F(f). Эксперимент проводить при постоянных значениях напряжений смещения и возбуждения, установленных в п. 3, и емкости связи, обеспечивающей при настройке недонапряженный режим работы транзистора, а при расстройке – перенапряженный. Частоту входного сигнала изменять в пределах 170… 230 кГц. В ходе эксперимента наблюдать и зарисовывать формы импульсов эмиттерного тока.

Экспериментальные данные ,,,=F(f) и расчетные зависимости,=F(f) свести в таблицу и построить соответствующие графики. Отметить на графиках области недонапряженного и перенапряженного режимов работы усилителя. Сравнить полученные настроечные характеристики с характеристиками, снятыми в п. 4 части 1.

Содержание отчета

1. Принципиальная схема исследуемого транзисторного усилителя мощности.

2. Таблицы с данными экспериментов и расчетов.

3. Графики экспериментальных и расчетных зависимостей.

4. Осциллограммы импульсов токов и динамических характеристик.

5. Краткие выводы по работе.

Контрольные вопросы и задания

1. Пользуясь упрощенной принципиальной электрической схемой на лицевой панели стенда, показать, по каким цепям протекают переменные и постоянные составляющие токов транзистора.

2. Объяснить назначение блокировочных и разделительных элементов в схеме ГВВ и сформулировать рекомендации по выбору их номиналов.

3. Объяснить уравнения баланса мощностей в коллекторной цепи ГВВ.

4. Дать рекомендации по выбору оптимального угла отсечки в ГВВ.

5. Дать определение граничного, недонапряженного и перенапряженного режимов работы и провести их сравнительный анализ.

6. Как изменится напряженность режима транзистора при увеличении (уменьшении) одного из напряжений (,)?

7. Объяснить ход нагрузочных и настроечных характеристик ГВВ.

8. Как изменяется форма импульсов коллекторного тока и режим работы транзистор при расстройке выходного (антенного) контура, если при настройке был слабо перенапряженный режим (при простой схеме выхода, при сложной схеме выхода)?

9. Провести сравнительный анализ ГВВ с простой и сложной схемами выхода с точки зрения

– фильтрации высших гармоник,

– порядка настройки колебательной системы в выходной цепи транзистора,

– работы на ненастроенную нагрузку.

15