
- •Лабораторная работа № 2 исследование методОв формирования сигналов с амплитудной модуляцией Основные теоретические сведения
- •Описание лабораторного стенда
- •Часть 1. Исследование базовой модуляции смещением Цели работы:
- •Программа выполнения работы
- •Часть 2. Исследование коллекторной модуляции Цели работы:
- •Программа выполнения работы
- •Содержание отчета
- •Контрольные вопросы и задания
Программа выполнения работы
.
1. Ознакомиться с расположением органов управления стендом и поставить потенциометры, регулирующие уровни напряжений смещения, коллекторного питания, модулирующего сигнала и возбуждения в крайнее левое положение. Включить для прогрева лабораторный стенд и осциллограф. На экране жидкокристаллического дисплея в правой верхней части лицевой панели должна появиться надпись, подтверждающая работоспособность встроенного мультиметра, а на светодиодном индикаторе установки частоты генератора модулирующего сигнала высветится текущее значение частоты. Перед началом работы, нажимая кнопки клавиатуры мультиметра, следует изучить последовательность вывода информации на экран ЖКД.
2. "Собрать" схему осуществления
базовой модуляции смещением, поставив
переключатели S1 и S2 в положение 1. Снять
статическую модуляционную характеристику
СМХ, т. е. зависимость амплитудного
значения тока контура
в функции от напряжения смещения на
базе
:
=f(
),
а также зависимость постоянной
составляющей тока коллектора транзистора
от
.
Эксперимент проводится при постоянных
значениях напряжения коллекторного
питания
,
амплитуде напряжения возбуждения
= 0,5 В,
напряжения модуляции
= 0.
Напряжение
выбрать таким, чтобы при
= 0,65
В и
= 0,5 В
наблюдался граничный режим работы
транзистора. Напряжение смещения
изменять в пределах, соответствующих
изменениям тока
от 2 до 30…40 мА. Построить график СМХ
и из построенной зависимости
=f(
)
определить напряжение смещения в режиме
несущей частоты
,
равное напряжению
,
соответствующему середине линейного
участка СМХ. Определить также максимальное
значение модулирующего напряжения
,
при котором коэффициент модуляцииm= 1. Обратить внимание на
изменение формы импульса эмиттерного
тока транзистора и зарисовать ее для
случаев:
<
,
=
,
>
.
Наблюдать на экране осциллографа СМХ,
для чего на вход вертикального усилителяYподать сигнал, пропорциональный
току контура, а на вход горизонтального
усилителяX–модулирующему напряжению
.
Частоту модулирующего сигнала установить
равной 400 Гц. Обратить внимание на
различия в статических модуляционных
характеристиках, снятых при
<
,
=
,
>
и
=
.
3. Снять амплитудную динамическую
модуляционную характеристику ДМХ, т. е.
зависимость коэффициента модуляции mот уровня модулирующего напряжения.
Эксперимент проводится при частоте
модулирующего сигналаF = 1 кГц,
выбранном
и
= 0,5 В.
Измерить два значенияm:
и
,
соответствующие нижней и верхней
полуволнам огибающей. По полученным
зависимостям построить графики
,
=f (
).
4. Снять частотную ДМХ, т. е. зависимость
коэффициента модуляции mот частоты
модулирующего напряженияF. Эксперимент
проводится при постоянной амплитуде
модулирующего сигнала, обеспечивающей
значениеm = 0,5 на частоте
F = 1 кГц и= 0,5 В.
По полученным зависимостям построить
графикиm = f (F).
Часть 2. Исследование коллекторной модуляции Цели работы:
1. Изучение принципов построения и работы схемы осуществления простой и комбинированной коллекторных модуляций.
2. Знакомство с методами определения основных качественных характеристик устройств формирования амплитудно-модулированного сигнала.
3. Изучение статических модуляционных характеристик рассматриваемых схем осуществления коллекторной модуляции.
4. Изучение амплитудных и частотных динамических модуляционных характеристик при коллекторной модуляции.