
- •2. Взаимоотношение понятий «неразрушающий контроль», «техническая диагностика», «дефектоскопия».
- •3. Технический контроль: основные термины и определения; классификация видов тк.
- •4. Продукция и качество продукции: дефекты и брак продукции.
- •5. Классификация видов и методов нк.
- •6. Физические основы электрического неразрушающего контроля. Классификация методов электрического контроля; конструкции преобразователей.
- •7. Физические основы электроемкостного метода нк.
- •8. Физические основы электропотенциального и электрического сопротивления методов нк.
- •9. Физические основы электроискрового и термоэлектрического методов нк.
- •10. Физические основы трибоэлектрического, электрографического и высокочастотной фотографии методов нк.
- •11. Основные понятия магнитного нк: напряженность, магнитная индукция, намагниченность, магнитная восприимчивость, гистерезис, кривые намагничивания.
- •12. Основные понятия магнитного нк: остаточная магнитная индукция, коэрцитивная сила, относительная и абсолютная магнитные проницаемость, коэффициент размагничивания.
- •13. Основные понятия магнитного нк: методы определения магнитных характеристик, задачи магнитного контроля, информативные параметры, классификация методов.
- •14. Первичные преобразователи магнитного поля и магнитные материалы: общая характеристика первичных преобразователей, их классификация, примеры.
- •15. Методы и средства намагничивания: сущность магнитной дефектоскопии, способы и схемы намагничивания.
- •16. Методы и средства намагничивания: особенности намагничивания в постоянном, переменном и импульсном магнитных полях; размагничивание объекта контроля.
- •17. Магнитные поля дефектов: модели, вид тангенциальной и нормальной составляющей напряженности магнитного поля над трещиной
- •18. Магнитная дефектоскопия: способы магнитного контроля.
- •19. Магнитопорошковая дефектоскопия: уровни чувствительности; технология контроля.
- •Основные этапы технологии мпк
- •20.Средства магнитного контроля: магнитопорошковый, индукционный дефектоскопы.
- •21. Средства магнитного контроля: феррозондовый, магнитографический дефектоскопы.
- •22. Магнитная толщинометрия (разновидности) и ее средства.
- •23. Магнитная структуроскопия (разновидности) и ее средства.
- •24. Физические основы вихретокового метода нк (закон электромагнитной индукции, схемы замещения, особенности и области применения).
- •25. Классификация вихретоковых преобразователей по типу преобразования параметров (общая схема классификации, определение и примеры).
- •26. Классификация вихретоковых преобразователей по способу соединения катушек (общая схема классификации, определение и примеры).
- •27. Классификация вихретоковых преобразователей по положению относительно ок (общая схема классификации, определение и примеры).
- •29. Средства вихретокового нк: дефектоскопы, их классификация, характеристики.
- •30. Средства вихретокового нк: толщиномеры (глубина проникновения магнитного поля, типы покрытий), структуроскопы (регистрируемый параметр, типы полей).
- •31. Физические основы акустических методов нк: определения, основные акустические величины и формулы, понятие децибела, номограмма перевода относительных величин в децибелы.
- •32. Волновое уравнение (сферическая, плоская волны, частные виды уравнения).
- •Уравнение сферической волны
- •33. Типы акустических волн, упругие постоянные, схематическое представление волн.
- •34. Акустические свойства сред: акустический импеданс, затухание звука и его причины.
- •36.Дифракция упругих волн в твердых телах (типы дифракции).
- •37.Пьезоэффект, свойства пьезоматериалов.
- •38.Схема пэп, основные типы пэп, соотношения, определяющие работу пэп (амплитуда, добротность, мощность).
- •39.Основные параметры, характеризующие свойства пэп (коэффициент преобразования, ахч, полоса пропускания).
- •40.Акустическое поле преобразователя, диаграмма направленности.
- •45. Активные акустические методы: собственных частот, импедансные
- •46. Пассивные акустические методы: сущность и примеры.
- •47.Нк проникающими веществами: термины и определения.
- •48. Геометрические характеристики поверхностных дефектов.
- •49. Операции капиллярного контроля, их последовательность и сущность
- •50. Смачивание и поверхностное натяжение;
- •51. Адгезия и когезия; Капиллярность;
- •52. Растворение. Давление насыщающего пара, капиллярная конденсация.
- •53. Диффузия (Закон Фика. Заполнение тупиковых капилляров).
- •54. Сорбционные явления. Взаимодействие «жидкость–жидкость» в капилляре.
7. Физические основы электроемкостного метода нк.
Метод предусматривает:
введение ОК или его исследуемого участка
в электростатическое поле; определение
искомых характеристик материала по
вызванной или обратной реакции на
источник этого поля; Источник поля –
электрический конденсатор
первичный электроемкостной преобразователь
(ЭЕП). Обратная
реакция ЭП проявляется в изменении
интегральных параметров, один из которых
характеризует емкостные свойства ЭП,
а другой – диэлектрические потери
это первичные информационные параметры
ЭМК.
По назначению ЭЕ методы делят:
1. определение геометрических размеров ОК;
2. определение состава и структуры материала;
3. контроль и надежность.
Особенности применения ЭМК:
- информация, полученная от ОК - многопараметрическая;
- возможность применения бесконтактных измерений в динамическом режиме.
ЭМК позволяет получить информацию усредненную по объему или локализовать поле в определенном участке, а также на определенной глубине.
8. Физические основы электропотенциального и электрического сопротивления методов нк.
Электропотенциальный метод основан регистрации распределения электрического потенциала по поверхности ОК. Используется для дефектоскопии электропроводящих объектов. Распределение потенциала определяется свойствами объекта контроля. Вектор плотности тока:
где
удельная
электрическая проводимость материала
ОК;E
– вектор напряженности электрического
поля.
Изолинии тока –
линии равных значений плотности тока
(сплошные). Эквипотенциали – линии
равных значений электрического
потенциала. Если есть дефект, т.е. трещина
искажает изолинию или экзипотенциале.
Разность потенциалов зависит от ширины
трещины, тока, удельной электрической
проводимости
.
Скин-эффект
(от анг. sceen
- шкура) проявляется в уменьшении глубины
проникновения электромагнитного поля
в ОК с повышением
.
Толщина скин-слоя:
.
Относительная
разность напряжений
Глубина трещины:
Если h<a
– постоянный ток; если
– переменный ток.
2a
– расстояние между токовыми электродами;
2- расстояние между потенциальными
электродами.
В трехэлектродном два электрода потенциальные и один токовый. Второй токовый – выносной. Ширина трещины на точность измерения не влияет. Длина трещины должна не менее чем в 3 раза превышать глубину. Электропотенциальные приборы позволяют контролировать объекты из любых электропроводящих материалов: стали, чугунов, графитов.
Метод электрического сопротивления основан на регистрации электрического сопротивления участка ОК. Применяют для измерения толщины электропроводящих покрытий на изоляционных основаниях. Метод используется для контроля свойств материалов, структуры.
9. Физические основы электроискрового и термоэлектрического методов нк.
Электроисковой метод основан на регистрации электрического пробоя на участке поверхности ОК. Используется для обнаружения нарушений сплошности диэлектрических защитных покрытий на электропроводящих объектах, а также для обнаружения трещин в диэлектрических объектах.
Напряженность
искрового пробоя:
где
расстояние между электродами;
электрическая прочность диэлектрика,
т.е. напряженность электрического поля,
при которой возникает пробой. Для
воздуха:
(при
НУ).
Электроискровые
микроскопы используются для контроля
качества диэлектрических покрытий
толщиной
мм из полимерных материалов, стекла,
эмали, красок, позволяют обслуживать
поры, трещины, царапины и другие дефекты,
когда иные методы и средства практически
не применимы.
Термоэлектрический метод основан на регистрации электродвижущей силы, возникающей при контакте разнородных проводников (один из которых ОК). При контакте разнородных проводников в тонком слое возникает электродвижущая сила, называемая контактной. В цепи, состоящей из разнородных проводников алгебраическая Σ контактных ЭДС=0, если все участки цепи имеют одинаковую температуру. В такой цепи при отсутствии ЭДС другого происхождения нет. Если контакты разнородных проводников имеют различную температуру, то возникает термо-ЭДС. Это явление называется эффект Зеебека.
где
коэффициент термо-ЭДС;
температура нагретого контакта;
температура не нагретого контакта.
Используется
для сортировки металлов и сплавов по
маркам (химическому составу). При контроле
термоэлектрическим методом используют
две схемы: абсолютная и дифференциальная.
При совпадении химического состава
материалов ОК и контрольного образца:
Термоэлектрические
приборы можно применять только для
контроля металлических объектов, не
имеющих изоляционных покрытий.
Рисунок 10– К пояснению термоэлектрического метода измерения
толщины металлических покрытий
Рисунок 12 – Абсолютная (а) и дифференциальная (б)
схемы термоэлектрического контроля