80. Электропроводность полупроводников. Собственная проводимость. Примесная проводимость п/п-ов. Донорные примеси, электронная примесная проводимость.

1. Собственная. Ее имеют хим. п/п-ки. П/п явл. диэлектриком только при низких температурах электрон не может изменить свой сп. С увеличением температуры появляется вероятность перехода электронов из валентной зоны в зону проводимости. Ширина запрещенной зоны у п/п невелика. При переходе электрона в зону проводимости на его месте образуется “дырка”. В эл.п. будт дв. электроны, перемещение в зону проводимости и “дырки” в валентной зоне. Концентрация электронов и “дырок” растет с увеличением температуры, -> ρ уменьшается, электропроводимость увеличивается ρ~e^a/kT, где а-постоянная п/п-ка, к – постоянная Больцмана.

2. Примесная проводимость. Примеси – атомы др. элемента либо дефекты решетки. Дополнительные атомы создают дополнительные энергетические уровни, кот. наз. примесными уровнями. Они расположены в запрещенной зоне. Пусть в решетке германия 1 атом замещен атомом 5 валентного элемента. 4 электрона этого элемента образуют пару с электронами соседних атомов германия, а пятый не найдет себе пары. Лишний электрон легко можно перевести в зону проводимости.

3. ΔWn<< ΔW0 Такие примеси называют донорными, а уровень донорно-акцепторный уровень. Лишний электрон, перейдя в зону проводимости, легко перемещается под действием поля. В п/п наблюдается проводимостьn– типа. Основные носители заряда – электроны. Не основные носители – “дырки ” в валентной зоне, кот. могут создаваться при нагревании п/п.

81.Акцепторные примеси ,дырочная примесная прводимость. П-п –ки n и р типа.Основные и неосновные носители в п-п –ах. Фотопроводимость .Внутренний фотоэффект.

Примесная проводимость возникает ,если некоторые атомы данного полупроводника заменить в узлах кристаллической решетки атомами валентность которых отличается на единицу от валентности основных атомов. В плупроводниках валентность который на 1-цу больше валентности основных атомов , имеется только 1 вид носителей тока – электроны . Соответственно говорят что такой полупроводник обладает электронной проводимостью или является полупроводником n-типа Атомы примеси, поставляющие электроны проводимости –доноры . Если валентность примеси на1-цу меньше валентности основных атомов ,возникают носители тока только одного вида – дырки , проводимость в этом случае- дырочноя , а полупроводник принадлежит к полу проводнику р-типа. Примеси вызывающие возникновение дырок – акцепторные.

Внутренний фотоэффект наблюдается в диэлектриках и полупроводниках. Он заключается в обусловленном действием

света перераспределением электронов по энергетическим уровням .если энергия кванта hw превышает ширину запрещенной зоны ,поглотивший квант электрон переходит из валентной зоны в зону проводимости .В результате появляется дополнительная пара носителей тока (электрон и дырка ) , что увеличивает электропроводность вещества. На внутреннем эффекте основано действие фото сопротивлений.