курсовая работа / Курсовая работа по МиЭЭТ(3)

уменьшается до точки возврата, то стекло снова переключается в состояние с малой проводимостью, что соответствует состоянию «выключено».

На рисунке 4, б – переключение с запоминанием. При достижении порогового напряжения Vп происходит переключение в проводящее состояние. Оно сохраняется в стекле, даже если приложенное напряжение равно нулю. Состояние «выключено» можно получить, если пропустить определенный импульс тока.

В некоторых стеклообразных полупроводниках переход в высокопроводящее состояние осуществляется под действием света. Это свойства можно использовать в области печати.

Гидрогенизированный аморфный кремний находит применение для изготовления тонкопленочных МДП-транзисторов. Достоинством таких транзисторов является: большое отношение токов при открытом и закрытом состояниях транзистора, из-за высокого удельного сопротивления; низкие температуры изготовления приборов, менее 350 ; небольшая стоимость.

Недостатком таких транзисторов является малая подвижность носителей заряда.

11

Заключение

Распространение стеклообразных и аморфных полупроводников для изделий электронной техники определяется относительной простотой их получения, невысокой стоимостью, набором определенных электрофизических свойств. Они уже нашили себе применения. Например,

аморфный кремний позволяет удешевить производство компонентов,

значительно увеличить технические характеристики полупроводниковых преобразователей солнечной энергии, солнечных батарей. Все это, вместе взятое, позволяет утверждать, что применение некристаллических твердых тел будет еще более широким.

12

Список литературы

1. Аморфные полупроводники и приборы на их основе: Пер. с англ./

Под ред. Хамакавы Й. – М.: Металлургия, 1986. 376 с.

2. Аморфные полупроводники: Пер. с англ./ Под ред. М. Бродски. – М.:

Мир, 1982. – 419 с., ил.

3. Меден А., Шо М. Физика и применение аморфных полупроводников:

Пер. с англ. – М.: Мир, 1991. – 670 с., ил.

13