Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

Схемотехника / Аналог / Аналоговая схемотехника

.pdf
Скачиваний:
548
Добавлен:
12.05.2017
Размер:
1.97 Mб
Скачать

Министерство образования и науки Российской Федерации Национальный исследовательский университет «МИЭТ»

А.А. Миндеева

Элементная база аналоговых схем

Учебное пособие

Утверждено редакционно-издательским советом университета

Москва 2012

PDF created with pdfFactory Pro trial version www.pdffactory.com

УДК 621.382(075.8) М57

Рецензенты: док. техн. наук Ю.Ф. Адамов; канд. техн. наук Ю.М. Кобзев

Миндеева А.А.

М57 Элементная база аналоговых схем: учеб. пособие. - М.: МИЭТ, 2012. - 184 с.: ил.

ISBN 978-5-7256-0702-4

Рассмотрены основные схемотехнические решения базовых аналоговых функциональных блоков. Показаны принципы построения эквивалентных малосигнальных схем, приведены методы расчета параметров элементов, основные характеристики аналоговых блоков и методики определения основных параметров, характеризующих неидеальность реальных схем.

Предназначено для студентов IV и V курса факультета ЭКТ, обучающихся по направлению «Электроника и наноэлектроника» и «Информатика и вычислительная техника».

ISBN 978-5-7256-0702-4

ã МИЭТ, 2012

2

PDF created with pdfFactory Pro trial version www.pdffactory.com

 

Содержание

 

Введение ...............................................................................................

6

1.

Особенности аналоговых интегральных схем ..........................

8

 

1.1. Особенности проектирования АИС..........................................

8

 

1.2. Причины ошибок преобразования АИС ..................................

9

 

1.3. Области применения АИС ........................................................

9

 

1.4. Классификация АИС по функциональному назначению.......

10

2.

Модели элементов аналоговых интегральных схем................

11

 

2.1. Дифференциальные проводимости биполярного транзистора

13

2.1.1.Дифференциальная прямая передаточная проводимость

2.1.2.Дифференциальная входная проводимость

2.1.3.Дифференциальная выходная проводимость

2.1.4.Дифференциальная проводимость коллектора при подключении полных сопротивлений ZЭ и ZБ

2.2. Малосигнальные эквивалентные схемы биполярного транзистора

19

2.2.1.Малосигнальная эквивалентная схема при включении транзистора с общим эмиттером (ОЭ)

2.2.2.Малосигнальная эквивалентная схема при включении транзистора с общей базой (ОБ)

2.2.3.Малосигнальная эквивалентная схема при включении транзистора с общим коллектором (эмиттерный повторитель)

2.3. Дифференциальные проводимости полевого транзистора ....

24

2.3.1.Дифференциальная прямая передаточная проводимость полевого транзистора

2.3.2.Дифференциальная выходная проводимость

2.3.3.Влияние сопротивления в истоке на дифференциальную выходную проводимость транзистора

2.4. Малосигнальные эквивалентные схемы полевого транзистора

27

2.4.1.Включение полевого n-МОП-транзистора с общим истоком (ОИ)

2.4.2.Включение транзистора с общим затвором

2.4.3.Включение транзистора с общим стоком или истоковый повторитель

3. Источники постоянного тока .......................................................

32

3.1. Основные параметры.................................................................

32

3.2. Реализация источников постоянного тока на биполярных транзисторах

33

3.2.1. Обычный источник постоянного тока

 

3.2.2. Токовые зеркала

 

3.3. Источники постоянного тока на МДП-транзисторах .............

42

3.3.1. Обычный источник тока

 

3.3.2. Токовые зеркала на МДП-транзисторах

 

3.4. Источники тока на полевом транзисторе со встроенным каналом

49

3.4.1. Простой источник тока

 

3.4.2. Однонаправленный каскодный источник тока

 

3.4.3. Двунаправленный каскодный источник тока 3.4.4. Улучшенный двунаправленный каскодный источник тока

3

PDF created with pdfFactory Pro trial version www.pdffactory.com

4. Простейшие реализации источников опорного напряжения

53

4.1. Простейшие источники опорного напряжения .......................

54

4.1.1. ИОН, реализованный на резистивном делителе

 

4.1.2. Реализация ИОН на диоде

 

4.2. Стабилизаторы напряжения......................................................

57

4.3. Источник напряжения, использующий UБЭ в качестве опорного

60

4.4. Источник опорного напряжения, не зависящий от температуры

61

4.5. Источники опорного напряжения, определяемый

 

шириной запрещенной зоны......................................................

63

4.6. Источники напряжения на МОП-транзисторах ......................

66

5. Усилительные каскады. Разновидности. Основные параметры

71

5.1. Усилительные каскады на биполярном транзисторе..............

71

5.1.1. Усилительный каскад с резистивной нагрузкой

 

5.1.2. Усилительный каскад с активной нагрузкой

 

5.1.3. Усилительный каскад с эмиттерным повторителем (двухкаскадный)

 

5.1.4. Усилительный каскад на составном транзисторе

 

5.2. Усилительные каскады на полевых транзисторах с затвором Шоттки

75

5.2.1. Усилительный каскад на ПТШ с резистивной нагрузкой

 

5.2.2. Усилительный каскад на ПТШ с активной нагрузкой .

 

5.2.3. Усилительный каскад на ПТШ с комбинированной нагрузкой

 

5.2.4. Усилительный каскад на ПТШ с каскодным включением

 

5.3. Усилительные каскады на МОП-транзисторах.......................

78

6. Дифференциальный усилитель ...................................................

81

6.1. Дифференциальный усилитель на биполярном

 

транзисторе. Передаточная характеристика.............................

81

6.2. Расчет дифференциальных передаточных проводимостей дифференциального

 

усилителя ...........................................................................................

84

6.3. Расчет дифференциальных входных проводимостей по дифференциальному и

 

синфазному сигналу..........................................................................

86

6.3.1. Входная проводимость дифференциального

 

каскада по дифференциальному сигналу

 

6.3.2. Входные проводимости дифференциального

 

каскада по синфазному сигналу

 

6.4. Расчет коэффициента усиления дифференциального усилителя

87

6.5.Дифференциальный усилитель. Теорема биссекции..............

6.6.Причины, вызывающие напряжение смещения дифференциального усилителя на

биполярных транзисторах..........................................................

90

6.6.1. Влияние коллекторного напряжения

 

на балансировку дифференциального усилителя

 

6.6.2. Температурный дрейф напряжения смещения

 

6.7. Дифференциальный усилитель с активной нагрузкой ...........

92

6.8. Дифференциальный усилитель со вторым каскадом..............

95

6.9. Дифференциальный усилитель на составных транзисторах..

97

6.10. Дифференциальные усилители на МОП-транзисторах........

98

6.11. Напряжение смещения в дифференциальных усилителях на МОП-транзисторах

100

6.12. Дифференциальный усилитель на МОП-транзисторах с активной нагрузкой

100

6.13. Дифференциальный усилитель с р-МОП-нагрузкой............

100

6.14. Схема дифференциального усилителя с инжекцией тока на p-МОП-транзисторе

104

6.15. Дифференциальный каскодный усилитель............................

104

6.16. Дифференциальный свернутый каскодный усилитель ........

105

4

PDF created with pdfFactory Pro trial version www.pdffactory.com

6.17. Дифференциальный усилитель на р-МОП-транзисторах ....

106

6.18. Дифференциальный усилитель на полевом транзисторе с затвором Шоттки

106

6.19. Напряжение смещения полевого транзистора с затвором Шоттки и его

 

температурный дрейф.......................................................................

109

7. Операционный усилитель.............................................................

110

7.1. Структура операционного усилителя.......................................

110

7.2. Параметры операционного усилителя .....................................

112

7.3. Включение операционного усилителя .....................................

113

7.4. Преобразование сопротивления операционного

 

усилителя, включенного в режиме повторителя......................

116

7.5.Операционный усилитель на биполярных транзисторах........

117

7.5.1. Электрическая схема операционного усилителя

 

7.5.2. Расчет коэффициента усиления операционного усилителя

 

7.5.3. Входные и выходное сопротивления операционного усилителя

 

7.6. Операционный усилитель на МОП-транзисторах ..................

121

7.7. Амплитудно-частотная характеристика операционного

 

усилителя. Определение частоты единичного усиления ........

123

7.8. Устойчивость операционного усилителя и коррекция частотной характеристики

126

7.9. Определение частоты f180°..........................................................

128

7.10. Определение запаса по фазе....................................................

130

8. Компараторы напряжения ...........................................................

131

8.1. Определение параметров...........................................................

132

8.2. Компаратор с положительной обратной связью .....................

133

8.3. Электрическая схема компаратора на биполярных транзисторах

135

8.4. Компаратор напряжения на переключаемом конденсаторе...

137

8.5. Компараторы напряжения на МОП-транзисторах..................

140

9. Преобразователи данных ..............................................................

141

9.1. Основные термины АЦП и ЦАП ..............................................

142

9.2. Основные параметры преобразователей..................................

143

9.3. Погрешности преобразователей данных..................................

143

9.4. N-разрядный ЦАП......................................................................

145

9.4.1. N-разрядный декодирующий ЦАП

 

9.4.2. ЦАП на резистивной лестничной цепи R-2R

 

9.5. Аналого-цифровой преобразователь........................................

148

9.5.1. Параллельный АЦП

 

Литература...........................................................................................

150

5

PDF created with pdfFactory Pro trial version www.pdffactory.com

Введение

Проектирование современных интегральных систем на кристалле предполагает обработку смешанных сигналов (цифровых и аналоговых) и использование различных соответствующих функциональных блоков. Как правило, первоначальная информация, отражающая малейшие изменения окружающего мира, аналогового типа. Поэтому при

проектировании электронных устройств для обработки и передачи полученной информации необходимо использовать аналоговые функциональные блоки. Предлагаемое учебное пособие посвящено рассмотрению принципов построения, методов

проектирования и параметрической оптимизации основных аналоговых функциональных схем.

Впервой главе рассмотрены особенности АИС и основные причины ошибок преобразования аналоговых сигналов, а также принципы их проектирования и классификация по функциональному назначению.

Вторая глава посвящена определению дифференциальных проводимостей биполярных и полевых интегральных транзисторов, построению эквивалентных малосигнальных моделей и расчету параметров.

Третья глава посвящена принципам реализации источников постоянного тока и определения параметров, а также методикам их расчета и методам улучшения.

Вчетвертой главе рассматриваются простейшие реализации источников опорного напряжения, недостатки и способы их устранения.

Впятой главе приведены одиночные усилительные каскады, разновидности их реализации и методика определения основных параметров.

Вшестой главе рассмотрены дифференциальные усилители, приведен расчет дифференциальных проводимостей по дифференциальному и синфазному сигналам, коэффициента усиления и других параметров. Рассмотрены причины, вызывающие напряжение смещения в ДУ и влияние на него дестабилизирующих факторов. Приведены различные варианты реализации ДУ.

Вседьмой главе рассмотрен операционный усилитель, его структурные и схемотехнические решения. Приведены способы включения ОУ и определение его основных параметров, а также разбираются методы определения и улучшения основных параметров (устойчивость и запас по фазе).

Ввосьмой главе рассматриваются компараторы напряжения, реализующие функцию

сравнения аналогового напряжения с опорным и различные варианты реализации и использования.

6

PDF created with pdfFactory Pro trial version www.pdffactory.com

В девятой главе рассмотрены преобразователи сигналов: цифро-аналоговые и аналого-цифровые, которые широко используются в системах со смешанными сигналами передачи информации.

Благодарна всем преподавателям, принимавшим участие в разработке этого курса: Суэтинову В.И., Тимошенкову В.П., Лосеву В.Н. и Волобуеву П.С. Признательна Адамову Ю.Ф. и Кобзеву Ю.М. за полезные замечания и рецензирование данного пособия.

7

PDF created with pdfFactory Pro trial version www.pdffactory.com

1. Особенности аналоговых интегральных схем

Интегральные схемы (ИС) по способу обработки сигналов подразделяются на два класса: цифровые - сигналы которых представляются двумя дискретными значениями и аналоговые - сигналы которых представляются непрерывными значениями.

Аналоговые интегральные схемы (АИС) предназначены для приема, преобразования и передачи электрических сигналов, изменяющихся по закону непрерывной функции.

Каждому реальному конкретному значению физической величины на входе АИС соответствует однозначное определенное значение какого-либо параметра (амплитуды, частоты, фазы и т.д.) электрического напряжения или тока. Электрический эквивалент полностью передает состояние реальной физической величины. В большинстве случаев

наблюдаемое и анализируемое реальное событие фиксируется датчиком и преобразуется в электрический эквивалент.

Преимущества АИС заключаются в теоретически максимально-допустимой точности и быстродействии обработки информации, а также в простоте реализуемого преобразования.

Недостатками преобразования сигналов АИС являются:

-низкая помехоустойчивость сигналов, определяемая диапазоном линейного преобразования;

-нестабильность параметров, обусловленная зависимостью от внешних дестабилизирующих воздействий (температуры, изменения напряжения питания, технологического разброса параметров элементов);

-искажения сигналов при передаче на значительные расстояния;

-трудность долговременного хранения результатов преобразования;

-низкая энергетическая эффективность.

1.1. Особенности проектирования АИС

При разработке АИС необходимо учитывать следующие особенности проектирования:

-максимальная универсальность и многофункциональность с возможностью перенастройки внешними сигналами или элементами;

-схемотехническая избыточность - применение схемотехнических приемов, позволяющих избежать использования элементов с большой площадью: конденсаторов и

8

PDF created with pdfFactory Pro trial version www.pdffactory.com

высокоомных резисторов за счет усложнения схемотехники и применения большего числа активных элементов;

-минимизация набора разнотипных активных и пассивных элементов для уменьшения негативных факторов рассогласования однотипных элементов в результате изготовления и эксплуатации;

-схемотехническая компенсация неизбежного разброса параметров в результате влияния дестабилизирующих факторов: воспроизводимости технологических процессов, изменений температуры и напряжения питания в реализуемом диапазоне;

-использование охранных колец для разделения блоков, интегрированных на кристалле, в целях снижения перекрестных наводок по подложке;

-особые требования предъявляются к разводке глобальных шин (питания и земли) и

размещению цифровых и аналоговых блоков в схемах со смешанной обработкой сигналов

вцелях минимизации взаимного влияния;

-широкое применение обратной связи для стабилизации параметров схем;

-энергетическая оптимизация схемы по распределению мощности по кристаллу.

1.2. Причины ошибок преобразования АИС

Перечислим причины ошибок преобразования непрерывных сигналов аналоговыми схемами, которые необходимо учитывать при проектировании:

-конечное значение параметров элементов;

-частотные зависимости;

-температурные зависимости;

-дрейф параметров согласования элементов;

-влияние шумов;

-нестабильность источников питания.

1.3. Области применения АИС

Несмотря на широкое распространение дискретной обработки сигналов, аналоговая передача информации применяется в таких областях, как измерительная техника; связь; бытовая техника; медицинская техника; промышленная электроника; военная техника.

9

PDF created with pdfFactory Pro trial version www.pdffactory.com

1.4. Классификация АИС по функциональному назначению

АИС можно классифицировать по функциональному назначению в соответствии с выполняемыми основными функциями.

1.Источники преобразования: - источники постоянного тока;

- источники опорного напряжения.

2.Усилители:

-усилительные каскады;

-дифференциальные усилители;

-операционные усилители;

-широкополосные усилители и т.д.

3.Компараторы напряжения - устройства сравнения аналоговых сигналов либо аналогового сигнала с заданным опорным напряжением.

4.Смесители - схемы, которые на выходе формируют произведение двух входных аналоговых сигналов.

5.Устройства выборки и хранения предназначены для запоминания мгновенного значения аналогового сигнала и хранения его в течение времени необходимого для дальнейшего преобразования.

6.Функциональные генераторы (генераторы, управляемые напряжением (ГУН), в которых частота выходного сигнала зависит от уровня входного напряжения).

7.Аналоговые ключи.

8.Преобразователи:

-аналого-цифровые преобразователи (АЦП);

-цифроаналоговые преобразователи (ЦАП).

10

PDF created with pdfFactory Pro trial version www.pdffactory.com